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为了提高微压印的质量,改进工艺参数优化模具结构,对微压印抗蚀剂的填充行为进行了数值计算和可视化实验研究。实验在三维离焦数字粒子图像测速系统中进行,由此提取了抗蚀剂中的荧光示踪粒子的坐标,通过时间解析算法获得了示踪粒子的三维粒子场,利用粒子跟踪测试技术获得了示踪粒子的速度场。数值模拟中采用了计算流体动力学软件,同时考虑了表面张力和接触角等因素,并根据模具特征划分了不同的压印区域,以分析、预测压印模型中的抗蚀剂填充行为。研究结果显示:数值模拟与实验结果吻合较好,抗蚀剂速度最大值在模具尖角与支撑基板之间,抗蚀剂速度水平方向上的实验最大误差为6.6%,竖直方向上的最大误差为9.6%;模具侧壁下方粒子运动轨迹的演化方向决定着抗蚀剂的体积转移方向和最终的填充形貌。该结果可为深入研究微压印中抗蚀剂流动提供参考。 相似文献
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光敏性高分子是一种功能高分子,它已用作为集成电路制造中不可缺少的光致抗蚀剂。随着电子工业的发展,从集成电路到超大规模集成电路的研究和生产,对光致抗蚀剂提出了更高的要求。目前工业上生产的光致抗蚀剂有两种类型:负性抗蚀剂和正性抗蚀剂。一般前 相似文献
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厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。 相似文献
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从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据。基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系。在分析了现有压印工艺存在的问题后,提出了一个全新的压印工艺:高保真度固化压印,即包括特征转移-抗蚀剂减薄-脱模回弹力释放-保压光固化-脱模等压印过程。实验结果表明,高保真度固化压印过程与加载路线能实现复杂图形特征的复制,从而保证了压印图形的保真度,并可保证图形复制的一致性及适度留膜厚度,压印图形的分辨率可达100nm。 相似文献
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冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在集成电路的冷压印光刻中,为了获得高分辨率抗蚀剂,着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料,从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究。经过对比,得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为O.3%)、固化速度快(小于O.2min)和固化收缩率小(3%)等特性,其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料。因此,最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂。 相似文献
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桨叶多发生穴蚀,而有关形状记忆合金抗穴蚀方面的研究较少,为此选用CuZnAl、TiNi涂层、热处理TiNi涂层等几种形状记忆合金材料制作的试件,利用磁致伸缩激振穴蚀装置研究其抗穴蚀性能.试验结果表明TiNi涂层的抗穴蚀能力优于CuZnAl合金,热处理TiNi涂层的抗穴蚀能力优于未经热处理的TiNi涂层. 相似文献
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用旋转圆盘试验机研究了4种金属材料的抗空蚀性能。结果表明:亚稳态金属材料Fe-Mn-Si合金,Fe-Cr-Mn-Ni和Fe-Cr-Ni不锈钢空蚀中分别诱发了密排六方晶体结构马氏体和体心立方晶体结构马氏体,其抗空蚀性能依次分别为0C13Ni5Mo的不锈钢的7.3倍,1.8倍和1.6倍;空蚀诱发马氏体相变有助于提高材料的抗空蚀性能,并与空蚀过程中动态相变对应力的响应密切相关;马氏体相变及其逆转变引起的能量耗散和伪弹性大大提高了Fe-Mn-Si合金的抗空蚀性能。 相似文献
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本文阐述了化学增强型抗蚀剂(CAR)到抗反射涂层(ARC),远紫外(DUV)光刻技术需要特殊的温度条件以及一些解决措施。对抗蚀剂处理设备温度性能的技术进行监控及分析;同时说明了检查测试热循环过程中实际的圆片热测量和掩模温度的现场监控。 相似文献
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本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素,包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用(散射与二次电子效应)、衬底条件等,并对已用于进行纳米分辨率电子束光刻中的一些方法进行了归纳,讨论了其应用前景. 相似文献
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本文侧重分析电子束纳光刻中的若干限制因素,包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用(散射与二次电子效应)、衬底条件等,并对已用于进行纳米分辨率电子束刻中的一些方法进行了归纳,讨论了其应用前景。 相似文献
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3—苯基绕丹宁做为杀菌抗霉剂、药物、和无机分析试剂特别是作为光敏剂进行了不少的研究;它的合成则采用过多种方法,主要有: 异硫氰酸苯酯与巯基乙酸缩合环化: C_6H_5NCS HSCH_2COOH 相似文献
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用AFM、UVvis、FTrIR、GPC和石英晶体微天平(QCM)对以十二烷基甲基丙烯酰胺(DDMA)为成膜物质,以1,4-二嗯螺环[4,4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯(DNMMA)为光敏感物质的共聚物(pDDMA—DNMMA)LB膜的光刻过程及光分解机理进行了初步探讨。实验结果表明,在深紫外光源照射下,聚合物分子的主链和侧链发生分解反应,生成能挥发、易溶解的链碎片,用碱溶液显影后,可得到分辨率为0.75μm(所用掩膜所能达到的最大分辨率)的抗蚀剂LB膜正型图形。以这种共聚物LB膜图形为抗蚀层,经湿法腐蚀、除去抗蚀层等工序,可将抗蚀剂图形较好地转移到金薄膜上,得到具有相同分辨率的金属金的转移图形。 相似文献
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研究了Al2O3的引入对烧成镁钙砖性能的影响.通过改变Al2O3的加入量,探讨了Al2O3的加入对烧成镁钙砖的体积密度、显气孔率和耐压强度的影响;用静态坩埚法对试样进行渣蚀能力测定;利用X-射线衍射仪和显微镜对烧成后试样及渣蚀后试样的矿物相及显微结构进行分析;通过相图计算了材料在1.580℃烧成时出现的液相量.结果表明,在烧成镁钙砖中引入3%-7%的Al2O3,在l580℃形成9%-17%液相量,促进砖的烧结,提高致密度,并进一步提高镁钙砖的抗渣蚀能力. 相似文献
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研究了以甲基纤维素为主要成分的增强剂对石膏模型强度的影响,确定了增强剂的最佳加入量并初步探讨了其作用机理.增强剂的加入可显著提高石膏模型的强度,在增强剂加入量为3‰时抗折强度最大;扫描电镜分析表明经强剂改性后的石膏模型,晶体发育良好,晶体结合点增多,长径比减小;增强剂的加入使石膏模型的初凝、终凝时间仅延长1~2 min.增强剂能够提高石膏模型的抗碱浸蚀能力. 相似文献
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以兰州市榆中县夏官营古城的苔藓坡面为研究对象,通过野外调查,研究苔藓的生长环境特征.选择有代表性的自然坡面进行风蚀、雨蚀实验,研究苔藓坡面的抗风蚀、雨蚀能力.取当地的原状土样进行室内土工实验研究其强度特征.结果表明:苔藓能显著提高黄土坡面的抗风蚀、雨蚀能力和抗剪强度.苔藓覆盖度越大,抗风蚀、雨蚀能力越强.相比较无苔藓的坡面,苔藓覆盖度达到40%时,抗风蚀能力可提高2~3倍,抗雨蚀能力可提高3~4倍,苔藓覆盖度超过40%后,抗风蚀、雨蚀能力提高幅度会下降.随着苔藓覆盖度增大,原状土样的内聚力显著增大,抗剪强度整体增大. 相似文献
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气井泡排剂YG-1性能评价 总被引:2,自引:0,他引:2
在有水气藏开采的中后期,为排除井底积液,通常采用泡沫排水采气工艺以提高气井采收率,但是井筒积液具有较高矿化度以及甲醇等都会影响泡排剂的性能.针对这一问题,以长链氧化胺和合成两性离子表面活性剂为主剂,并加入非增黏性稳泡剂,研制出一种耐盐抗甲醇泡排剂YG-1.室内实验以起泡高度和携液量为评价指标,采用罗氏-迈尔斯(Ross-Miles)方法考察了该泡排剂的耐盐性能和抗甲醇性能,并与现场应用较多的泡排剂UT-11C和UT-11B进行对比实验.实验结果表明,泡排剂YG-1具有较好的耐温抗凝析油能力以及良好的耐盐抗甲醇能力.并且YG-1与地层水具有良好的配伍性能,可适用于高含甲醇和高矿化度的气井生产. 相似文献