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1.
非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化 总被引:6,自引:0,他引:6
分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过对GCT结构参数的优化,指出当n缓冲层的浓度为5×1016cm-3时,可获得比较理想的阻断特性。 相似文献
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随着科技进步和信息技术的迅猛发展,电网供电质量越来越受到人们的重视。在电压凹陷、电压波动和闪变、谐波、三相不平衡、频率偏移等电能质量问题中,电压凹陷是危害较严重的动态电能质量问题。晶闸管分级电压调节器(TVR)是进行电压凹陷的动态补偿的有效装置。本文在深入研究瞬时无功功率理论和基于该理论的检测方法后,采用了基于d-q变换算法的晶闸管电压调节器电压快速检测方法;并在Matlab仿真平台上搭建了TVR的电压凹陷检测算法仿真模型,仿真结果验证了基于d-q变换算法的电压检测方法能够很好的满足TVR的动态电压检测要求。 相似文献
3.
高玉民 《西安交通大学学报》1996,30(10):30-36
提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法,在大量数值计算基础上,获得了有效率电离率系数随硅单边穿变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式,把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果大电压范围内与数值计算结果符合得相当好。 相似文献
4.
分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅-阴极击穿电压的影响,讨论了如何进行正向阻断电压和栅-阴极击穿电压的控制和调节。 相似文献
5.
平面型电力电子器件阻断能力的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用场限环终端结构及P^ I(N^-)N^ 体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力,提出了一种优化设计阻断能力的新方法,通过将器件作成体击穿器件,使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配,从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性,并降低器件的通态损耗及成本。最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性。该方法可直接推广到整流器,晶闸管,GTR,IGBT,IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中。 相似文献
6.
运用PISCES-2ET软件对非对称型集成门极换流晶闸管进行器件模拟,给出了器件的杂质浓度、电子和空穴浓度和电势的二维和三维分布;通过模拟结果来验证设计是否合理,对下一步设计器件的物理参数和结构参数起到指导作用。 相似文献
7.
对目前工业生产中最为常用的四种晶闸管相控式交流调压主电路进行了定量的分析,得出了输出电压随控制角变化的解析式和曲线。定量分析了四种电路性能上的一些特殊点以及这些电路对负载的要求,在此基础上指出了它们各自的适用范围。 相似文献
8.
本文给出了具有场环和场板的穿通型VDMOS结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在n/n^+外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的VDMOS器件的实验结果,进行比较,二者吻合的很好。 相似文献
9.
针对现有高速高精度模数转换器(ADC)芯片内部参考电压缓冲器需要牺牲很大功耗来满足精度和速度要求的问题,提出了一种具有非对称AB类输出级的全差分参考电压缓冲器,能够以较低的运放增益满足缓冲器高精度的需求,从而显著降低缓冲器的功耗。通过引入非对称的输出结构,参考电压缓冲器只需要满足高带宽,不再需要较高的开环增益;输入级采用互补结构进一步降低了功耗;为了消除传统结构所引入的高阻节点,提出了低输出阻抗的AB类驱动电路,提高了带宽。仿真结果表明,在负载为20pF的片内滤波电容的情况下,参考电压缓冲器的功耗为27mW,建立时间小于2.5ns,与相近性能的电路相比,所提电路的功耗更低。其中运放的单位增益带宽为602MHz,相位裕度为61°。所提出的参考电压缓冲器应用于一款双通道14位200 MHz的流水线ADC中,测试结果表明,ADC的信号噪声失真比达到73dB,所提出的电路结构能以较低的功耗实现较高的精度和速度。 相似文献
10.
提出了台面造型的新方法,实现了在大台面、高电压、大电流晶闸管上采用玻璃钝化技术新的工艺途径。 相似文献
11.
针对应用于高压领域的半控型器件晶闸管容易出现短路故障的情况,根据晶闸管短路故障的特征提出了一种新型、实用的适用于高压环境的晶闸管模块击穿状态辨识原理及软硬件设计方案。本方案用光纤取得信号,隔离高压,用施密特触发器对信号处理,用单片机对晶闸管进行状态识别。文中分析了对信号的识别方法和抗干扰原理。该原理安全,有效,易于实现。对于保护半控型器件晶闸管及保障电力系统的安全运行具有重要的意义,这种原理和实现方案具有良好的灵活性和广泛的应用性。 相似文献
12.
许建国 《武汉科技学院学报》1995,(1)
电网的电压是恒定的,要得到可调的交流电压必须使用调压器。常用的用晶闸管组成的调压器需要专用的触发装置和同步电源,结构复杂.本文介绍一种由双向可控硅组成的、不需要专用触发器和同步电源的三相自动调压器. 相似文献
13.
周令琛 《上海大学学报(自然科学版)》2003,9(6):507-512
普通晶闸管电流源变频器(CSI)由于六拍换流存在着较大的谐波,且脉宽调制式(PWM)电流源逆变器一般需要具有反向电压关断能力的门极关断电路,这就限制了它的应用.该文提出一种采用一个门极可关断开关和六个晶闸管的新的PWM电流源逆变器,此电路通过有源换流来实现传统的晶闸管CSI的脉宽调制.文章阐述了这种变流装置的调制技术并给出仿真实验结果.该电路适合于高性能和大功率的应用场合. 相似文献
14.
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅介质膜击穿寿命增加,实验结果与模型预期的相符 相似文献
15.
许淑辉 《华侨大学学报(自然科学版)》2005,26(2):130-133
晶闸管在交流调压等方面有着广泛的应用,至今仍是功率较大的电力电子器件.为保证大功率晶闸管在使用中可靠地工作,其触发电路的设计是重要的一环.为超小量电阻焊焊机的双向晶闸管(主晶闸管)设计带有脉冲封锁环节、较完善保护功能的触发电路,具有工作可靠、性能稳定等特点. 相似文献
16.
屈广林 《沈阳大学学报:自然科学版》1993,(2)
本文通过理论上分析,结合作者多年的实践经验,认为“多层绝缘结构击穿电压的
提高”,对解决油浸电力电缆、电缆头、电容器等多层电介质绝缘问题提供新的设计方案. 相似文献
17.
提高静电加速器击穿电压方法分析 总被引:3,自引:2,他引:3
从高压电极与钢筒尺寸的选择,绝缘气体的成份和压力,高压电极的光洁度,绝缘支柱的层压式结构等4个方面,分析了提高静电加速器击穿电压的方法,给出了相关数据和关系曲线。 相似文献