富氮SiOxNy膜的电子注入特性

通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变。测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系。结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微机结构，对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论。     

氧化镍薄膜结构与电致变色性能的热处理效应

用电子束蒸发NIO粉末的方法在ITO导电玻璃上制备电变色氧化镍薄膜，并将薄膜置于200-500℃的空气环境中进行1h热处理．用XRD分析了薄膜的结构，用电化学方法测试了薄膜的电致变色性能．发现热处理对薄膜微观结构的影响较小，而对薄膜的致色效率及致色与消色态的速射率动态变化范围影响较大．分析了薄膜中电荷的输运机制，讨论了OH-离子电荷的注入位置     

淬火对聚合物薄膜电荷存贮寿命的影响

淬火可以使聚合物薄膜材料改性。本文主要通过TSD电流谱,研究淬火对高聚物薄膜驻极体电荷存贮寿命的影响。对淬火前样品的升温率、淬火时间、淬火温度、淬火后和注极前存放时间等因素与样品注入电荷稳定性的关系进行探讨,并试从晶体结构变化角度进行一些初步解释。     

高分子选择性透气膜的透气性测定方法的比较

利用真空压力法和体积法对高分子薄膜的透气性能进行了比较．得出真空压力法适用于多种透气量的高分子薄膜的透气性能测定，体积法测试范围大，对大透气量的膜及复合膜、多孔膜测试结果比较准确．对膜材料的性能测试及选择具有一定的实用价值．     

氧退火对Ba1-xSrxTiO3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而形成金属-绝缘体-氧化物-半导体(MIOS)双介质电容器结构．通过该薄膜电容器的充放电实验，研究薄膜的电荷存储特性．结果表明，该薄膜在不超对800℃下退火．其电荷存储能力主要与氧组分有关；氧空位越多，电荷存储能力越强。     

微结构振动特性的自由衰减测试方法

为准确快速地对微结构的谐振频率和阻尼比进行测试和分析，组建了以激光多普勒测振仪为核心的微结构瞬态离面运动特性测试系统．附有压电驱动的微悬臂梁和微振动薄膜在斜波脉冲激励信号作用下产生自由衰减振动，通过激光多普勒测振仪将瞬态运动速度转换为模拟信号，经数据采集卡数字化后送入计算机，对其振动特性进行分析．实验测得MPA-41200-10型微悬臂梁谐振频率为48．676kHz，阻尼比为0．0029，微薄膜谐振频率为25．446kHz，阻尼比为0．042．实验结果与采用频率扫描方法测试的结果进行了对比，证实自由衰减振动法对微结构振动特性的快速测试是可行、有效的．     

电场下聚丙烯薄膜的光发射

采用电致发光测量方法对聚丙烯薄膜在均匀直流电场作用下的发光变化进行了研究,分析了聚丙烯薄膜在高电场作用下的发光特性和电场对发光的影响.研究结果表明:聚丙烯的发光量随电场而增大,场强越大,从两极注入的载流子获得的动能越大,越容易与发光中心发生碰撞,将能量转化为激发过程.在3.9 MV/cm以下,发光量随时间变化不大,在4.0 MV/cm时,发光量陡增,发生预击穿.     

Ce，Sm联合掺杂TiO2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce,Sm联合掺杂TiO2电致变色薄膜,Ce,Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计,研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明,Ce,Sm的摩尔分数为2%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为1512mC·cm-2,循环可逆性K值为07.Ce,Sm的摩尔分数为5%和10%时,随着掺杂量的增加,薄膜的峰值电流减小,电荷存储能力变弱.Ce,Sm掺杂TiO2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度,着色时颜色很浅,着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致,均在90%以上,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.     

受压橡胶圆薄膜非线性变形特性分析

在将橡胶圆板处理为圆薄膜后，基于非线性变形理论和储能函数的特性，导出了橡胶圆薄膜大变形状态的平衡方程和变形曲面的几何特性参数．在将变形曲面作球冠面假设后，获得了挠度与载荷之间的特征关系．与实验测试值的比较发现，所求得的理论解是有效的．     

多电荷Cr离子注入聚合物的微观结构和离子浓度分布

采用MEVVA源引出的Cr离子对聚酯（PET）薄膜进行了离子注入,引出的Cr离子具有多种电荷态,多种能量的Cr离子同时注入,其射程分布与单能离子注入的射程分布有明显的差别,借助于TRIM计算程序,采用多次叠加法得出了合理的计算结果,计算结果表明,由于多电荷叠架注入,Cr原子浓度分布出现3导结构,用散射RBS方法分析了Cr离子在PET中的剖面分布,所测量的Cr原子浓度分布形态与计算结果相近,但是所的分布比计算结果分布范围窄,相应位置上的原子浓度低,说明溅射效应对Cr原子浓度分布和注入到基体中的注量有明显的影响,计算结果与样品横截面电子显微镜观察相符合,这种结构对PET薄膜改性有重要的影响。     

铒二酞花青的阳极电化学变色效应

本文提出一种制备铒二酞花青固体薄膜的浸渍方法.测定了这种固体薄膜的吸收光谱和薄膜在5%KCl 溶液中,外加不同电位时的吸收光谱和拉曼光谱,测定了循环伏安曲线和阳极极化曲线等,讨论了铒二酞花青薄膜在氯化钾溶液中阳极电化学变色的机理。作者认为,电荷传递过程是铒二酞花青电化学变色的速度控制步骤.     

纳米晶体三氧化钨的电变色研究

报道了一种结合泡沫形成和热处理技术制备纳米晶体三氧化钨的新方法。经X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对WO3的结构和表面形貌的表征证实,WO3呈正交结构,并形成由30~40 nm的纳米颗粒组成的晶体簇。以浸涂的方法将WO3修饰在ITO导电玻璃上制备成电极,电化学测量表明由该方法制备的WO3具有很好的电变色可逆性和很快的响应特性。     

反应溅射制备MoO3薄膜及其电致变色响应时间研究

在Ar和O2气氛下采用直流反应溅射沉积了MoO3薄膜,样品制备过程中改变薄膜沉积气压,保持其它参数不变,研究了沉积气压对其电致变色性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.采用分光光度计研究了MoO3薄膜的电致变色性能,通过电致变色动态测试对样品...     

溶胶-凝胶法制备WO3电致变色薄膜的研究进展

三氧化钨薄膜作为重要的电致变色材料在军事伪装、智能调光窗、可变反射率镜及高对比度非辐射信息显示器上具有广泛的应用前景.介绍了溶胶-凝胶法制备三氧化钨薄膜的方法及电致变色机理,论述了不同氧化物掺杂对其电致变色特性的影响,并讨论了三氧化钨薄膜存在的问题及拟解决途径.     

透射式氧化钨基电致变色器件的制作与性能研究

本采用多聚配合物法制备非晶态氧化钨变色薄膜,同时采用半固态电解质初步组装了透射式氧化钨基电致变色器件,并对其着色效率、响应时间等电致变色性能参数进行了测定。     

光电功能型超分子聚合物的研究进展

超分子聚合物是重复单元经超分子弱键作用链接而形成的聚集体,是功能软物质中一种新的组织方式。文中基于众多超分子聚合物的分类,重点论述主链式光电功能型超分子聚合物(optoelectronic supramolecular poly-mer,OSP)在太阳能电池、有机电致光、电致变色等得到深入研究领域的应用进展;通过调控能量转移、电荷转移、载流子迁移率等可以实现OSP的白光、光电转换、电致变色等性质和相关器件,并使OSP日渐成为超分子化学与有机电子等学科交叉领域研究的新热点;最后展望了OSP的研究趋势。     

Non-retinotopic arrangement of fibres in cat optic nerve

Fibres in the mammalian optic nerve are generally thought to be organised retinotopically. Recording electrophysiologically from the cat optic nerve, we found little evidence to support this notion, which led us to investigate the problem by anatomical methods. We made a localised injection of horseradish peroxidase into the lateral geniculate body of the cat, labelling a small clump of retinal ganglion cells and their axons in the optic nerve. These fibres, emanating from neighbouring cells in the retina, became widely scattered through the optic nerve, indicating that retinotopic order is essentially lacking.     

掺杂对WO3薄膜的变色性能的影响

纳米三氧化钨薄膜是一种重要的功能材料,因其表现出优良的电致变色、气致变色等性能而得到深入研究及应用,但有些指标还有待改善。本文综述了掺杂对WO3薄膜在电致变色和气致变色两方面的影响,并对今后研究提出展望。     

适于MEMS加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器

提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100～8000 kHz。信号频率低于500 Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500 Hz的信号则由连续时间低通滤波器来处理。该低通滤波器采用1.2 μm的2P2M的N-阱CMOS工艺实现。设计中分析并解决了因时钟信号引起的制约开关性能的因素：优化的开关时序消除了电荷注入引起的非线性;时钟馈通敏感节点增加虚拟开关抵消了耦合电荷;高PSRR共源共栅折叠式差分输入结构,有效地抑制了来自电源的干扰,改善了电路的性能。