提高半导体激光器可靠性的研究

半导体激光器广泛应用于高新技术领域,其可靠性是应用系统可靠性的关键。通过研究半导体激光器的可靠性及其规律．采用电导测试技术评价半导体激光器质量和可靠性,并在器件制造、器件筛选和器件使用三个环节提出新的提高半导体激光器可靠性的措施。     

功率肖特基整流二极管及其工艺制做原理的探讨

功率肖特基整流二极管（简称SBD），作为新兴的一类整流器件近年来得到了飞速地发展。它不仅具备普通整流器件的优点，更由于它的特殊原理和结构，使其具有大工作电流、低正向压降、高频低功耗、高浪涌电流、瞬态保护功能等特点。因此，它可广泛应用于各种低压高频开关装置中，如稳压器、整流器、逆变器、UPS等。在不远的将来，在许多领域中，它极有可能替代现行使用的多种低压整流器件，因此具有十分广阔地发展前景。本文就功率肖特基整流二极管产品及其工艺制做原理做一适当地介绍和分析。l功率肖特基整流二极管产品概述11SBD的分类S…     

短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究

肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂.采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性.结果表明:在MPS阳极区(p 区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数.     

锯齿型GeSe纳米带的边缘态对整流效应的调控研究

锯齿型硒化锗(ZGeSeNR)是准一维纳米结构的材料,由于其具有特殊的维度特性及优异的电子特性而成为研究热点.本研究使用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,系统地研究了边缘结构对锯齿形硒化锗纳米带的电子结构及输运性质的影响.能带结构图显示边缘裸露的ZGeSeNR、P和S原子钝化边缘的ZGeSeNR具有导电的金属性质,用F,Cl, H原子和OH^-根离子钝化处理边缘后的ZGeSeNR则表现出半导体性质.基于不同边缘结构的ZGeSeNR构建金属-半导体界面的两电极器件模型,计算出的器件电压-电流曲线证实了边缘态对整流效应的调控作用.特别是裸露-H原子钝化的锯齿型GeSe纳米带(H-ZGeSeNR)器件中的整流比可达到8.7×10⁵.改变该器件结构中散射区内钝化原子的数目来调控整流特性,最高可得到1.1×10⁷的整流比.研究结果对设计ZGeSeNR纳米整流器提供了重要参考.     

基于迭代学习控制的整流器谐波抑制研究

针对传统整流所带来的电网侧功率因数低和电流波形畸变严重等问题,提出了将迭代学习控制算法应用于整流器中,并设计了迭代学习控制器。通过对PWM整流器的建模与分析,可知开关器件的等效电阻和频率等参数的不确定会使得控制系统的稳态性能变差。仿真结果表明,将迭代学习控制应用于PWM整流器波形控制中,可以有效改善整流器的稳态性能和降低交流侧输入电流谐波畸变率。     

DOCC Ⅲ的实现及在浮地精密整流器中的应用

采用1块具有双输出端的第三代电流传输器（DOCCⅢ）及4个整流二极管开发了两个微弱浮地精密全波整流器：一个适合处理微弱浮地电压信号;另一个适合处理微弱浮地电流信号。因目前市面上尚无DOCCⅢ芯片出售,为了便于计算机仿真和实验研究,给出了4种实现DOCCⅢ器件的新方案。文中对所提出的精密全波整流器进行了计算机仿真和实验研究,结果证实了所提出的DoccⅢ实现电路及浮地精密全波整流器的正确性。     

基于全控整流技术的电磁发射机

为了改善电磁发射机的性能,减小电磁发射机的体积和质量,设计了一种基于脉冲宽度调制(PWM)整流技术的电磁发射机电路结构,并对其中永磁同步发电机(PMSG)的PWM整流器的控制结构和参数进行设计.在同步旋转坐标系下,建立PMSG中PWM整流器的数学模型;根据电动机双闭环调速理论设计了转子磁链定向的PWM整流器电压电流双闭环控制系统,以实现有功电流和无功电流的解耦控制;为了提高系统的动态性能和稳定性,提出PWM整流器比例积分(PI)控制器的参数整定方法.仿真和实验结果表明,采用PWM整流技术的电磁发射机不仅可以满足地球物理探测的实际需要,而且具有结构简单、功率因数高和电流谐波小等优点.所提出控制器设计方法能够确定PI参数,从而简化了系统设计.     

核空气净化系统过滤小室内气流均匀性的实验研究

在核反应堆中 ,防止放射性尘埃随空气泄漏的核空气净化系统的小室内气流如果不均匀 ,会导致系统效率检测失效 ,造成严重后果。该文介绍了小室内气流流场均匀性的实验研究过程 :实验台的搭建、所研究的工况及测量手段等。针对有 3台过滤器的过滤小室 ,对不同工况和整流器整流角下的流场均匀性进行了分析 ,得出如下结论 :1 )没有整流器时 ,过滤器的整流效果很好 :没有过滤器的小室气流很不均匀 ,仅有一级过滤器的气流均匀性已有明显改观 ,经两级过滤器后的气流则很均匀 ;2 )整流器对流场的整流作用明显 ,而且必然能找到满足气流均匀性的整流角 ;3)整流器对有两级过滤器的气流影响很小。     

掺稀土元素钇的n-型a-Si:H 薄膜

本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中的实验结果。在含有氢气的氩气中由射频溅射获得了掺钇的α—Si:H 薄膜,热探针测试表明样品为 n 型,室温(300K)直流电导率最大值为6×10~(-1)Ω~(-1)·cm~(-1)。变温电导测量指出,在室温附近样品是激活型延展态电子导电,所得样品的电导激活能最小值为0.12ev。将掺钇的α—Si:H 膜沉积在 p 型单晶硅片上,制备出α—Si/c—Si 结构的p—n 结,测量其电流—电压特性结果表明,它具有象晶态半导体 p—n 结同样的整流作用。     

GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子（P，As，Sb）替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0，器件呈现显著的整流特性.     

电弧炉整流电路在线监测软件的设计与开发

电弧炉整流电路运行状态在线监测系统软件实现对电弧炉整流器晶闸管电流、整流器触发脉冲、整流器冷却系统水温、室温的实时测量 ,并给出各参数变化趋势图和报表 ,实现故障报警和预测     

电弧炉整流电流在线监测软件的设计与开发

电弧炉整流电路运行状态在线监测系统软件实现对电弧炉整流器闸管电流，整流器接触发脉冲，整流器冷却系统水温，室温的实时测量，并给出各参数变化趋势图和报表，实现故障报警和预测。     

高功率因素的PWM整流器滤波的MATLAB仿真

简略讲解了整流器基本原理及其高功率因数的控制方法和电力滤波技术及其控制方案。经过比较后选择较好的UPF控制策略对PWM整流器进行MATLAB仿真。首先将整流直流电压的测量值与给定值进行比较并相减,再经过具有低通滤波功能的误差放大器后得到电压控制量。该电压控制量经过与各输入相电压的参考信号相乘后得到各相的输入电流给定信号,该给定信号与各实际电流信号相比较后经过各自PI调节器,得到最终的体现有输出电压调节和输入电流调节的综合控制信号,然后经过电压比较器后得到6路PWM信号,经过隔离放大后驱动对应功率器件工作。     

基于新颖磁链观测的三电平PWM整流器的直接功率控制策略研究

三电平PWM整流器在高压大功率场合有着广泛的应用,但是由于三电平PWM整流器自身开关器件的非线性和对电路参数的依赖性,使得传统的电压电流双闭环控制无法更好的提高其动态性能,因此限制了其在更宽负载范围内的运用。本文在建立二极管钳位式PWM整流器数学模型的基础上,在传统的直接功率控制和电压定向控制的基础上,提出了一种新型简化虚拟磁链定向的固定开关频率的三电平PWM整流器直接功率控制方法。仿真实验表明：该控制方法能够保证中点电位平衡,网侧电流谐波小,具有良好的动静态性能,实现了单位功率因数运行。     

状态变量分析法在整流系统谐波分析中的应用

本文采用将线性系统和非线性系统撕裂开来的方法,应用网络拓扑理论分别对线性电网系统和非线性整流器子网络进行了状态分析,建立了各自的状态方程,并综合形成了可控硅整流系统的电子计算机传真模型,通过对整流系统高次谐波电流。电压的分析计算,作出了在满足规定的电压畸变率要求下,整流装置容量与系统短路容量配合的关系曲线,并且得到了含容性元件的整流系统中,系统谐波电流畸变率DFI_n与整流装置换向角u的关系的新概念。     

可控硅技术简介

什么是可控硅(一)可控硅的特点和作用可控硅是最近几年出现的一种新型的半导体器件,它的全称叫可控硅整流器,其特点是,能够把交流电变成直流电,又能在整流过程中控制其大小。可控硅整流器比普通的整流器多一个极,共有三个极:阳极、阴极和控制极(见图10)。     

获得高耐压P—n结的有关工艺技术

从节省能源的意义出发,大功率硅整流元件和晶闸管的制造及应用在国民经济中占有不可低估的作用。元件的高压化、大电流化、快的开关速度化将成为今后大功率半导体器件的明确发展方向。在高耐压化、大电流化、快的开关速度化特性中,其中高耐压化受工艺技术难度的影响比较大。目前,就国际水平范围内,超4000伏耐压也还很不普遍。为了突破大功率半导体元件高耐压的问题,我们的实验室试做了3000—4000伏耐压的 p-n 结,并以此为基础,对有关工艺技术问题做些探讨。     

一种新型的双闭环三相PWM整流器仿真分析

介绍了三相PWM整流的基本原理,并以三相整流器在d-q同步旋转坐标系中的模型为基础,采用基于输入输出电流解耦反馈控制策略和PI调节方法,建立了电流内环和电压外环的PWM整流器简化数学模型.运用Matlab R2009a建立了系统仿真模型,实现了输出电压的稳定性,仿真结果验证了该方法的有效性和实用性.     

同步整流器驱动方式对开关电源效率的影响

在低电压大电流输出的开关电源中，输出整流器的功率损耗是影响效率的关键因素，本文详细地分析了在采用功率ＭＯＳＦＥＴ实现整流输出的同步整流中技术中，同步整流器的驱动方式对电源效率的影响，指出采用控制驱动的方式可比自驱动方式获得更高的效率。     

基于VIENNA的三相整流器研究与实现

三相三电平VIENNA整流器作为一种三电平BOOST箝位结构变换器,其在设备功率因数的提高,电流的总谐波畸变降低方面与其它一些三相PFC整流器相比较是有这一些显著的优势的。在控制策略方面,单周期控制作为一种直接电流控制技术,在对VIENNA整流电路的控制方面可以同时完成脉冲调制和电流控制。通过仿真的结果,进行实物搭建、调试,验证整个实验过程的可行性。最后的调试结果显示,整流器可以很好的提高功率因数,并使电流波形有效跟踪电压波形。