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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,~ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于~ 398.5e V和~ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于~ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :~ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;~ 398.5e V则属于 sp3C—N键 .  相似文献   

2.
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键 合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp3C-N, sp2 C-N 和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp3 C-N键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp3 C-N键的形成.  相似文献   

3.
聚脂膜衬底上的类金刚石薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
X光电子能谱和硬度分析测试表明:利用MEVVA离子注入机在聚脂膜(PET)表面注入或沉积C,可形成类金刚石(DLC)薄膜.根据C1s XPS谱可直接计算出DLC中sp3键所占比例.沉积法生长的DLC中sp3键所占比例明显高于注入法.与衬底PET相比,表面薄膜硬度提高了1个量级,大大改善了PET的性质.对DLC膜中的碳氧化合物污染进行了讨论.  相似文献   

4.
利用非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅片上沉积了类石墨碳镀层,采用X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)等分析方法对镀层的微观结构进行了研究.结果表明:不同成份类石墨碳镀层的Raman光谱与宽化的多晶石墨Raman光谱相似,类石墨碳镀层是以sp2键结构为主,且含有多种纳米团簇颗粒的非晶镀层,sp3键含量在12~15%范围;根据高斯解谱计算,镀层中碳团簇线度为1.2 nm以下,并随铬含量增高而减小;镀层主要由单质碳、铬及其铬氧化物组成,并随铬含量增高,逐步有碳铬化合物形成.  相似文献   

5.
研究了氮离子(N )轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N 轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度~108cm-2。XPS谱证实有许多N原子注入薄膜,膜内存在大量sp2杂化轨道键。场发射测试表明,经过N 轰击,整个薄膜在场发射的均匀一致性方面有较明显的改善,场发射电流密度从0·3增大到1·65mA/cm2。  相似文献   

6.
使用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了系列无氢类金刚石(DLC)薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收和光致发光,研究了光致发光与制备条件的依赖关系。结果表明,这种薄膜是有少量sp^2键和sp^2键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1.68~2.46eV,发光在可见光区呈宽带结构。沉积温度对类金刚石薄膜的结构和发光性质有较大影响。当沉积温度从室温升高至400℃时,sp^2团簇的长大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小。  相似文献   

7.
在不同温度下(200~ 800 ℃) 将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验. 利用Raman和XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化. 结果表明, 类金刚石膜是由少量的sp2 C键和大量的sp3 C键组成的非晶态碳膜. 在退火温度小于600 ℃范围内, 类金刚石膜的热稳 定性较好; 退火温度高于600 ℃时, 类金刚石膜中的sp3 C键逐渐向sp 2 C键转变, 当退火温度升到800 ℃时, 类金刚石膜中sp3 C键含量由 退火前的大约70%下降到40%. 可见, 高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势.  相似文献   

8.
利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统,用CH4、H2和NH3为反应气体,分别在沉积有钛膜和碳膜的Si片衬底上制备了锥形碳结构,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线能谱仪(EDX)和显微Raman光谱仪对其形貌和结构进行了表征.SEM结果表明在沉积有碳膜的Si片衬底上易形成碳锥,EDX谱和Raman谱进一步表明形成的碳锥为碳氮结构,由sp3 C-N、sp2 C和sp2 C=N键形成.根据溅射机制和扩散机制,分析了碳锥的形成.同时,还对碳锥Raman谱的荧光背景进行了分析,结果表明由于氮的掺杂,使得碳锥由非极性的碳材料变成为极性碳材料.  相似文献   

9.
用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜,掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明,随注入剂量的增加,损耗峰秽向高频,损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0~10)MHz内小于0.062,没有松驰特性,是制作布线的理想材料。红外光谱表明,离子注入引起PES膜结构变化。  相似文献   

10.
一种制备SiO2膜的方法 ——氧等离子体处理聚硅烷涂层   总被引:1,自引:0,他引:1  
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层,成功地制备了SiO2膜.由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数,随氧等离子体处理时间的不同在1065~1088cm-1范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3~103.5eV,硅氧原子比为11.99;激光椭园偏振仪测得折射率在1.30~1.55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6.6×1010~8.8×1011cm-2,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3~6)×1010cm-2,这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用.  相似文献   

11.
王小帅是“第六代”导演的代表人物。他的电影以生活在现代都市社会边缘的“飘泊者”和“失语者”为主要表现对象,并以高度纪实化的叙事形态和个人化的视角形成自己的特色。但对精神价值的消解却是王小帅电影不容忽视的缺憾。  相似文献   

12.
纪录片走向困境是公认的事实,但是如何帮助纪录片走出困境,重现辉煌不仅是理论上也是实践中的难题。如何解决纪录片的故事性,增进技术性与地域性的角度,怎样才能使纪录片好看,使纪录片重新走入人们的视野,得到广大观众的认可。  相似文献   

13.
采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).   相似文献   

14.
在云母基底上热蒸镀锌膜,再采用简单的原位氧化方法制备氧化锌薄膜.研究发现氧化锌膜上表面具有纳米尺度的丛生珊瑚状结构,而与云母接触的下表面具有圆饼状结构.  相似文献   

15.
报导了纳米Si 薄膜材料的光致发光现象.并根据纳米Si 在1 .63eV 的发光峰值,讨论了发光与纳米微粒尺寸的关系,提出了一个模型,该模型能解释纳米Si 光致发光现象,并研究了光致发光与限制激子的关系.  相似文献   

16.
研究了利用直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系.  相似文献   

17.
P V D F( Polyvinylidene fluoride , 聚偏氟乙烯) 压电材料具有独特的热电效应和压电效应,是一种新型的高分子多功能材料 P V D F 压电薄膜由于制作成本低、容易加工和处理、重量轻、机械性能好等优点,在诸多领域的应用受到人们的广泛关注本文从力和输出的关系、温度与输出电压的关系以及动态响应关系三个方面,综述了 P V D F 压电薄膜在机械、公路交通、建筑、医学、航空航海等方面的最新进展,并分析了压电薄膜的应用前景和存在缺陷  相似文献   

18.
利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM),研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响.结果表明:磺化基团的引入,降低了分子间的作用力,使得分子间排列不紧密,导致聚合物的自由体积大小与强度同时增加;铸膜液溶剂挥发,聚合物浓度增加,胶束聚集体的相互聚集产生较大的胶束聚集体孔,使自由体积减小而强度增大,聚合物的自由体积较好地反映了胶束聚集体的聚集特征.  相似文献   

19.
聚对二甲苯防潮薄膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用原子力显微镜、红外光谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外分光光度计的测试方法,对聚对二甲苯薄膜的表面形貌、组成和光学性能进行研究.实验结果表明:真空气相沉积工艺制备的聚对二甲苯薄膜表面光滑均匀.薄膜主要由含氯取代基的苯环和亚甲基组成,表面有微量的C—O键生成.薄膜在可见-近红外波段的光透过率超过80%.聚对二甲苯薄膜包覆的变色硅胶浸入水中的防潮变色时间可达150 d,防潮性能明显优于传统的环氧树脂、聚氨酯等材料.薄膜的激光损伤阈值为4 J.cm-2(1 064 nm,1 ns).  相似文献   

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