磁流体力学若干问题

磁流体力学是研究被看作連續介貭的导电流体(液体或气体)在磁場中的运动,由于流体的运动,将在其中引起感应电流,从而改变原有磁場;与此同时,电流在磁場中运动又产生机械力,改变流体原来的运动,这种場和运动的相互作用,使得这一現象远較单純的电磁运动或連續介貭运动都要复杂得多,尽管目前人們对这种現象的认识还只不过是开端,可以予期,随着研究的逐步广泛深入,这一领域中綜錯复杂的秘密将会不断地被揭示出来。考虑到磁場和运动流体的相互作用,磁流体力学基本方程应是經典电磁場方程与普通流     

美軍边和机場

边和机場是美国侵略强盜在南越三个最大的空軍基地之一(其他两个是峴港机場、新山一机場),它在西貢东北,距离西貢城只有三十公里左右,是美国侵略者于一九六一年建成的一个現代化的机場。这个机場有长达三千六百米的鋼筋水泥跑道,拥有最現代化的飞行和技术設备,可供各种噴气式飞机起飞和降落。在边和机場駐有B—57型喷气式战斗轰炸机、U—2型和无人駕駛高空偵察間諜飞机。     

准一维纳米材料场发射模拟软件的研制

 研制了准一维纳米材料场致电子发射模拟软件,该软件基于一个纳米材料场致电子发射的双电流模型,自洽地计算电势、电荷密度、费米能级的分布和发射电流。最后给出了一个算例,计算了单根硼纳米线的场致电子发射,得到的结果与文献一致。     

Ni颗粒对碳纳米管场致电子发射的影响

根据Fowler-Nordheim的场致电子发射机制建立了顶端被催化剂Ni颗粒封闭的碳纳米管场致电子发射模型.利用该模型分析了Ni颗粒被移去前后碳纳米管场致电子发射性能的差异.分析结果表明Ni颗粒被移去前后碳纳米管场致电子发射性能的差异主要起源于碳纳米管顶端处电场强度的不同.     

场致发射显示屏技术的研究

介绍了场致发射显示技术的工作原理及特点,分析了微尖型场致发射阴极、膜状型场致发射阴极的场致电子发射特性,对场致发射显示屏（FELLS）的结构做了研究,并讨论了影响场致发射显示屏性能的主要因素及改进的措施．     

一种基于纳米碳管的常开型后栅极场致发射显示板

提出了一种常开型后栅极场致发射显示板及其工作原理．该显示板直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加低于阴极电压的电压来阻止阴极产生场致电子发射,从而来调制显示所需图像．文中采用有限元法对该场致发射器件的电场强度分布进行了模拟计算,并研究了该器件中阴极的发射特性．计算结果表明在该场致发射显示板中,阴极发射均匀性好,发射面积大,从理论上证明了该常开型后栅极场致发射显示板工作原理的可行性．     

场致发射三极管的结构模拟

以场致发射原理为基础，对场致发射三极管器件结构进行有限差分的模拟计算．在保持其它参数不变的条件下，改变尖锥曲率半径、栅孔半径，分析对电场强度、发射电流密度及电子轨迹的影响．针对电子注的发散问题，讨论双聚焦情况．     

金属热—场电子发射特性研究

用一简单直观的金属电子发射物理模型,对热、Schottky、热-场和场致电子发射进行了分析,定义了热隧道电子的新根子度,用数值方法对常用发射材料（W）的热隧道电子电流部分进行了计算,并采用比值拟合的方法,得到了该部分电子的发射电流密度与温度及场强的关系式,在此基础上,可求出W的热-场电子发射方程,用该方法能清晰地了解金属的电子发射机理,从而为热-场阴极的研究开发提供了理论依据。     

PZT阴极的XPS研究

通过对PZT 阴极进行XPS 微观分析及发射前后性能参数变化的对比,在极化反转致电子发射的理论基础上,从发射电子的能量出发,发射后介电常数的减小及XPS分析得出的表面介质层的增厚均增大了发射电子能量,合理解释了实验中观察到的多次发射后起始阈值降低的现象。在此基础上制做的非化学计量整比铁电阴极具有更低的发射起始阈值。     

水晶在电场作用下的新腐蚀图形

水晶的X截面,Y截面,Z截面以及大小菱方r面和z面同時在垂直的直流電場和氟氫酸的作用下,得到十二种不同的新腐蝕圖形,这种圖形的形狀不僅与晶軸觔方位有关並且与電場方向有关。X截面上的電腐蝕圖形中的似細微裂縫線條几与主要的溫度系數為零的振動晶片的切割方向一致,其中的一种圖形与各向異性的楊氏模量表示圖一致。電腐蝕圖形可能出現于有缺陷的位置,其原因可能是由于在缺陷处電場不均原子所受之電場力不同所致。     

硅场致发射特性的数值模拟

用数值方法求解潭移－扩散模型下半导体基本方程组以及耦合的场致发射方程,对硅的场致发射特性进行数值模拟,模型中包含以往输运方程模型中未考虑的碰撞电离现象,模拟结果表明,当发射电流较大时,硅场致发射主要受体内电子向发射表面输运过程的限制,碰撞电离现象对输运过程有显著地影响。该模型有助于更全面地了解硅场致发射阴极内部的物理状态。     

平板显示中MISM多层膜电子发射结构的制作

介绍了一种用于场致发射显示的平面多层膜电子发射结构的制作过程 ,采用真空溅射的方法镀制玻璃衬底 Cr-Cu Al2 O3 ZnS Ag结构的平面电子源 ,对其发射性能进行了论述 ,并取得优化发射性能的工艺参数     

越南人民抗美救国斗争的辉煌战果

越南人民保卫祖国、反对美帝国主义侵略的战爭,是一場伟大的人民战爭。現在,越南軍事形势大好。在越南南方,人人是战士,戶戶是堡垒,村村是战場,人民武装到处出击,风雷动地。在越南北方,軍民团結,决战决胜,广大的国土上,到处是消灭美国空中强盜的射击場。美国侵略者和南越伪軍,深深地陷在越南全民战爭的汪洋大海中,处处受到沉重的打击和遭到惨重的失敗。南方人民武装攻势凌厉,     

配位势場理論的研究 Ⅱ.强場与弱場波函数的变換关系及其应用

应用群分解的方法对配位場强場組态的能譜分类进行了討論。定义了“混合楊圖”将强、弱場两种耦合方案的能譜直接对比,从而明确了强、弱場波函数之間的变換关系。根据本工作第一篇文章中所提出的改进的弱場方案,且利用該文所定义的旋轉群一点群的V系数及亲态比系数,推导並計算了在正八面体場中d~2-d~5組态的强、弱場波函数之間的变換系数C_(m(δ_1)n(δ_2)SI)~(m+n(SξL),研究了这种系数的性質。由强、弱场波函数之間的变換系数可以得到計算作用能矩陣元的簡捷方法,使現有的强、弱場两种耦合方案的計算方法都有所改进。通过从自由原子到弱場以及从弱場到强場波函数之間的变換关系,証明了自由原子、强場及弱場三者的互补态理論实質上是等价的。     

NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究

在无铅铁电阴极钛酸铋钠（NBT）中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象,揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生,也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理,进行了NBT与锆钛酸铅（PZT）的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常     

磷酸钍燐光体的埸致发光

本文对电埸作用下磷酸钍的发光现象作了实驗研究,肯定了这是一种初級效应的場致发光,並測試了磷酸钍場致发光的某些性能。     

含过渡族离子晶体电偶极跃迁几率的计算

一、引言在过去的廿年中,过渡族离子在晶場中的电子結构和能譜已經作了透彻的研究。晶場理論成功地解释了許多含过渡族元素化合物的光譜特性和磁学性質。但是晶場理論在計算过渡族离子在晶場中的电偶极跃迁几率时遇到了困难,它需要知道相反宇称的所有激发态     

FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响

在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙的 FED电场分布 ,采用 Runge- Kut-ta法计算该空间电子轨迹 ,得出了支撑墙对 FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示 ,在三极型和四极型 (聚焦型 )结构中 ,支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应 ;与之相反 ,平面型发射结构则很好地避免了这一负面影响     

等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响

氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高.     

氢气辉光放电的非伦琴X-射线发射

通过氢气放电实验中有无磁场情况下(去掉电子的韧致辐射)X射线谱的比较,指出氢气辉光放电会产生非伦琴X射线发射,X射线能量范围与"电子-离子束缚态及其引发核过程"模型预言的p-e-p～12.5keV、p-e-A+～25keV X射线发射不矛盾.