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相似文献
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1.
陈向炜 《河南科学》1995,13(3):213-217
将Huckel-Hubbard方法推广应用于研究只有一个s价电子元素(用字母A标记这类元素)的团簇。计算了结构为团簇的最稳定结构。最后计算了该类团簇线性结构的s价电子体系能量E_n,两相邻团簇的s价电子体系的能量差ΔE=|E_n-E_(n-1)|与原子数n的关系显示出与实验相符合的奇偶性质。  相似文献   

2.
通过激光溅射固体样品,产生了ⅤB簇元素的杂碳团簇CnX-(X=N,P,As,Sb和Bi).随着从N到Bi的变化,CnX-的奇偶效应也产生了由奇强偶弱变化到偶强奇弱变化.根据Pitzer等人提出的杂化轨道理论和Huckle模型,结合ⅤB簇元素性质的变化规律,对实验现象给予了可能的解释:本文认为CnN团簇取直链构型(∶C≡C—C≡C···C≡N∶),Cn与N之间形成共价键;对于CnBi团簇,Cn与Bi之间可能形成离子键(Cn仍为类似聚炔的直链共轭体系);对于其它三种团簇可能存在Cn与X之间离子键与共价键共振,随着电负性由大到小,共价键成分逐渐减弱,而离子键成分逐渐增强,因此出现了奇偶效应的变化.  相似文献   

3.
用直接激光气化和飞行时间质谱探测方法研究了CaO,CaCO3,Ca(OH)2等不同固体样品形成团簇的动力过程,结果发现:除了「Ca(CaO2)n」和「(CaO)n」团簇之外,还出现了强丰度的「H(CaO)n」及显著的「H(CaO)n(H2O)m」团簇系列,质谱丰度分布公及氧化钙族质化和溶剂化反应的明显特征表明,氧化钙团簇的形成过程应采取NaCl型立方结构的增长途径。  相似文献   

4.
陈向炜  王明泉 《江西科学》1996,14(2):119-122
用Hckel-Hubbard理论,考虑多电子体系的组态相互作用,计算出线性碳原子和离子团簇(Cn,)的π电子体系能量En。两相邻团簇的能量差△En=|En-En-1|与n的关系显示出与实验相符合的奇偶性质,从而揭示出碳团簇的奇偶性与该类团簇的π电子体系有关。  相似文献   

5.
应用遗传算法并结合紧束缚二级矩近似势对复合团簇(Ag)x(Rh)n-x的基态能和基态结构进行了研究,计算结果显示:随着Rh原子掺杂比例的增大,复合团簇(Ag)x(Rh)n-x的基态能量呈现上升趋势,并且其基态结构都是二十面体基础上的微扰。  相似文献   

6.
采用密度泛函理论(DFT)对GenSin(m=1,2;n=1~7)团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-311G水平上进行了结构优化和频率分析,得到了各团簇的最低能量结构.对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究.结果表明:GemSin团簇的稳定结构与Six(s=m+n)团簇的结构相似,相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似,这为找到大尺寸的Ge=Si。团簇稳定结构提供了一条有效途径.电荷主要是从Ge原子转移到Si原子.在所研究的团簇中,GeSi3,GeSi6,Ge2Si2,Ge2Si5的结构较稳定.  相似文献   

7.
本文应用分子动力学方法模拟研究了氦团簇在金属钨中的扩散特性,得到了不同大小团簇的扩散系数,结果表明氦团簇越大,扩散越慢.氦团簇越大越容易激发出自间隙钨原子,且大的氦团簇只需要很低的钨基体温度即可激发.在金属钨中加入125个氦原子(氦浓度低于0.1%),研究了氦团簇的形核特性.通过比较氦团簇、自间隙团簇和空位团簇3种缺陷的尺寸分布发现,氦团簇的尺寸在800 K达到最大值,其它两种缺陷尺寸随温度的增加而逐渐增大.  相似文献   

8.
运用飞行时间质谱方法,对XeCl准分子激光烧蚀多种SiO2多孔结构材料而产生的团簇进行了研究,在负离子通道中得到了丰富的「(SiO2)nX」^-团族,实验结果表明延迟时间及材料的多孔网络结构和表面活性基团对「(SiO2)nX」团簇的检测与产生有重要作用。  相似文献   

9.
基于经验势,利用遗传算法研究了中性氧化镁(MgO)n团簇(n=2~20)的稳定结构.当n=3,6,9,12,15,18时,(MgO)n团簇具有幻数结构.对这些幻数结构的不同稳定异构体在Me2/6—31G水平上进行优化,并对稳定结构的特征及其随尺寸变化的规律进行了分析.同时,优化了带负电的(MgO)n^-(n≤6)团簇的结构,分析了额外负电子对团簇结构的影响.  相似文献   

10.
本文应用第一性原理平面波模守恒赝势方法研究了中性Mgn和一价阴离子Mgn(n=2~11)团簇的几何结构,稳定性和电子性质。结合能计算表明,中性Mgn团簇尺寸依赖的稳定性与电子壳层闭合和几何结构"闭合"密切相关。  相似文献   

11.
采用Stillinger-Weber原子间相互作用势,对吸附在Si(001)表面上的二聚体之间的相互作用进行了分子动力学模拟.通过对它们之间相互作用的分子动力学模拟,发现不同的二聚体之间相互作用会形成不同类型的四聚体结构.本文给出两种通过二聚体之间的相互作用形成四聚体结构的途径.模拟还发现这样的四聚体结构在一定温度下是相当稳定的,而且它们的结合位形类似于B型台阶,有利于吸附新的原子形成外延层.  相似文献   

12.
根据空间群理论(SPT)计算了硅酸镓镧晶体(La3Ga5SiO14,简称LGS)的喇曼光谱,并测量了LGS的室温喇曼光谱.根据晶体结构,构造了3个团簇(La3Ga4O12, La3Ga3SiO12和La3Ga2Si2O12),利用密度泛函理论(DFT)对喇曼光谱进行了计算和模拟.结果表明理论与实验非常吻合,LGS良好的压电性起源于3个团簇大的极化率各向异性.  相似文献   

13.
深入分析了Tersoff势,并将Tersoff势用于优化由碳硅锗元素构成的双原子分子团簇(C2、CSi、CGe、Si2、SiGe、Ge2)及三原子分子团簇(C3、C2Si、C2Ge、CSi2、CGe2、CSiGe、Si3、Si2Ge、SiGe2、Ge3)的结构,得到了上述这些分子的最稳定结构,并将其中有些结构与从头计算、密度泛函理论和实验值进行了对比;另外,还分析了所得分子的平均结合能、键长和键角等的特点,并总结出一些规律.  相似文献   

14.
利用密度泛函M06方法,在6-311+G(d, p)基组水平上对Si_5和Li修饰的Si_5团簇的几何结构和电子性质及储氢性能进行理论计算研究.结果表明, Si_5团簇最低能量构型为笼型结构,纯Si_5团簇不能有效吸附氢分子. Li原子的引入显著改善了Si_5团簇的储氢能力.以六个Li原子穴位修饰Si_5团簇为载体,每个Li原子周围可以有效吸附三个氢分子,其氢分子的平均吸附能为2.395 kcal/mol,储氢密度可达16.617 wt%.合适的吸附能和较高储氢密度表明Li修饰Si_5团簇有望成为理想的储氢材料.  相似文献   

15.
应用一种新的薄膜淀积技术──ICB方法,对CdTe薄膜的淀积进行了系统的研究。在单晶Si及玻璃衬底上演积的CdTe膜具有定向生长的大晶粒结构,其晶粒尺寸、取向度与离化电流、加速电压等可控实验参数之间的关系在实验结果中得到了反映。通过考察入射原子团与表面的相互作用,研究了表面迁移能力以及电荷存在对成膜特性的影响。  相似文献   

16.
The structure of Fe80Si10B10 alloy melt was investigated by ab initio molecular dynamic simulation from the local atomic environments. It presents that Fe80Si10B10 alloy can be considered as the combination of B-centered prism-like clusters and bcc-like Fe-Si solid solution. The poor glass-forming ability of the alloy has been investigated and can be attributed to the bcc-like environment around Si atoms and the relative high content of pure Fe clusters.  相似文献   

17.
使用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)对X@Al12(X=Al",C,Si,P+)等幻数团簇吸附氮原子和碳原子性质进行研究.分析氮原子和碳原子在X@Al12表面的吸附位置,还分析了Al-N和Al-C键长,最高占据分子轨道与最低未占据分子轨道的能隙,吸附的结合能和电荷转移等性质.结果表明氮原子和碳原子都倾向于空位吸附.尽管X@Al12(X=Al-,C,Si,P+)性质都很稳定,但很大的结合能表明氮原子和碳原子都能稳定地束缚在这些团簇表面.但是由于中性的Al13团簇不具有满壳层的电子结构,它对N和C的吸附性质明显不同于具有满壳层电子结构的X@Al12(X=Al-,C,Si,P+)团簇,表明掺杂可以有效地调节团簇的性质,从而获得所期望的性质.  相似文献   

18.
研究了共晶和过共晶Ti3(Al,Si)+Ti5(Si,Al)3双相合金中Ti5(Si,Al)3相的显微组织及性能,结果表明,Ti5(Si,Al)3相具有光学各向异性,其显微硬度受其中含Al量的影响,而点阵常数保持不变,根据组织结构对材料的影响,认为具有粗在初生Ti5(Si,Al)3相的过共晶双合金是不宜做结构材料的,而具有细小均匀Ti5(Si,Al)3的共晶双相合金,有可能发展成实用合金。  相似文献   

19.
利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si10团簇与Si(111)表面碰撞的微观过程.研究了入射动能在10—60eV之间的碰撞过程,给出了不同时刻体系的原子位置的微观状态图.结果表明:Si10与Si(111)面碰撞时,吸附在晶体表面的能量域值为20eV,替位域能为30eV,损伤域能为40eV;入射能量大于50eV时,晶体表面严重损伤并且在60eV时,发现在外延层有Si7团簇生成;Si10团簇保持其结构特性吸附在Si(111)表面,需要的最佳能量在10~20ev之间,进而通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可以控制外延生长的结构的结论。  相似文献   

20.
用密度泛函理论DFT ,在B3LYP/CEP 1 2 1G水平上 ,对 (RXN) 4 (X =C ,Si,Ge ,Sn,Pb ;R =H ,CH3,C(CH3) 3,Si(CH3) 3,C6H5)立方簇合物的几何构型、电子结构、振动光谱和化学键性质进行了研究 .结果表明 ,(RXN) 4 的稳定性较差 ,(XNR) 4 的 5种结构的稳定性顺序为 :(PbNR) 4>(SnNR) 4 >(GeNR) 4 >(SiNR) 4 >(CNR) 4 .  相似文献   

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