一种46 MHz Gm-C复数滤波器及其自动频率调谐电路设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款高频Gm-C复数滤波器,该滤波器的中心频率达到46MHz,在20MHz的通带内的平坦度小于0.36dB,能够实现98dB的镜像抑制,以及28dB的带外抑制.滤波器工作在1.8V电源电压下,消耗的电流小于7.9mA.为了纠正滤波器的频率,提出了一种基于积分器和数字电路的频率调谐方法,该调谐电路在调谐完成后会自动关闭,实现了"零功耗",特别适合低功耗的应用.仿真结果表明调谐误差小于±1.5%.     

高效率、低功耗直流电压转换器芯片的设计与实现

提出了一种基于脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)模式的高效率、低功耗直流电压转换器的设计方法.电路在负载电流大于60 mA时采用开关频率1 MHz的PWM工作模式,在负载电流小于60 mA时采用开关频率降低的PFM工作模式,实现了在0~250 mA负载电流变化范围内的高转换效率.当输出电压达到预计输出电压的102%时,电路自动进入待机状态,使得静态工作电流降低.芯片采用CSMC公司的0.5μm CMOS混合信号模型设计和流片.测试结果表明:该电路可实现PWM和PFM模式供电以及两种模式之间的平稳过渡,具有较好的负载和线路电压调整,其输出电压的误差小于±2%,最大静态工作电流小于15μA,最大转换效率达92.6%.     

3.1～10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计

采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1～10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.     

用一种新的补偿方法实现低压差线性稳压器

使用一种新的频率补偿方法设计了一种100 mA低压降CMOS线性稳压器(LDO).所设计的LDO仅使用了一个PMOS管进行补偿,无需使用电路内部其他的补偿电容和补偿电路就能保持稳定.使用0.18 μm工艺仿真结果表明,设计的LDO使用4.7 μF的负载电容,具有高的PSRR和很好的瞬态反应特性,在负载电流从0 mA跳变到100 mA以及从100 mA跳变到0 mA的时候,输出的变化小于8 mV,反应时间小于1μs,且在1kHz的时候PSRR为-72.3 dB.     

应用于OFDM超宽带系统中的0.18 μm Gm-C滤波器和可变增益放大器的设计

设计了一种应用于OFDM UWB系统中的完全采用CMOS工艺的滤波器和VGA.滤波器采用5阶Chebyshev近似、G-mC biquad结构,转折频率为264 MHz,OTA采用伪差分结构以提高滤波器的线性度;VGA采用跨导增强型源级负反馈结构来控制增益,并加入源级负反馈电容进行高频补偿以拓展带宽.采用DC OffsetCorrection电路降低直流失调,并通过数字控制电容阵列(DCCA)来实现滤波器的转折频率的调谐.电路采用0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压.电路的仿真结果表明滤波器和VGA系统的增益为6~48 dB,可变增益为42 dB,6 dB/step,在输入电压峰峰值为100 mV时THD小于-54 dBc,线性度为-6.35 dBV,噪声系数在通带内小于25 dB,消耗电流为30 mA.     

恒定、匹配的大电流输出电荷泵电路

用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW.     

基于多相位量化噪声抑制的分数频率合成器的实现

为抑制Σ-△调制器量化噪声对分数频率合成器输出噪声的影响,提出一种基于多相位分数分频器的频率合成器结构. 该结构可以避免毛刺并且主要电路模块不需要工作在高频,从而相应节省了功耗,同时分频器的输入可以不需要50%的占空比. 通过对比发现,对于环路带宽为1 MHz的宽带情况下的Σ-△分数频率合成器,多相位分频器技术可以减小频率合成器输出频谱的相位噪声达12 dB. 该频率合成器使用UMC 0.18 μm CMOS工艺实现,仿真结果证明它可以满足DVB-H系统协议指标要求.      

应用于OFDM-UWB接收机的CMOS信号强度指示器

给出一种应用于超宽带零中频接收机的宽带RSSI电路.改进了传统的全波整流器,解决了增大其带宽与减小静态输出电流的矛盾,使其带宽提高到300MHz的同时消除了输出静态电流.采用0.13μm CMOS工艺,芯片面积为1.27mm2.测试结果表明RSSI工作带宽为300MHz,在-64～-4dBm输入范围内,检测误差小于±1.5dB,在1.2V电压下消耗电流10.6mA.     

一种高速CMOS预放大锁存比较器

介绍了一种适合于高速模数转换器(ADCs)的预放大-锁存(preamplifier-latch)CMOS比较器.此电路结构包括一个预放大器、锁存比较器和输出缓冲器.在预放大器和正反馈锁存比较器之间加入分离电路,以此来减少回扫(kickback)噪声对电路的影响.采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,该比较器在时钟频率为500 MHz,采样频率为40 MHz的时候,可以达到30 μV的精度,功耗大约为0.6 mW.     

一种低噪声交叉耦合结构集成石英晶体振荡器

通过改进电路结构,采用CMOS交叉耦合结构提供负阻,设计一种20 MHz的集成石英晶体振荡器.在该振荡器中,采用共模反馈使其输出稳定的直流电平,并增加RC高通滤波器和预抑制电路降低其相位噪声.基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压为3.3V,偏置电流约400μA时,该振荡器的起振时间约为1.5ms,输出波形峰-峰值为1.08V,输出直流电平约为801.6mV.输出信号频率为19.95 MHz,相位噪声分别可以达到-155dBc/Hz@1kHz,-164dBc/Hz@10kHz.