锑铌施主掺杂对BaTiO3基LPTC电阻的影响

研究了Sb2O3,Nb2O3不同施主掺杂BaTiO3基热敏LPTCR性能,对掺Sb2O3和掺Nb2O3的热敏陶瓷复合制得的LPTC进行了研究,对其机理进行了讨论。     

复合LPTC陶瓷材料的研究

采用低纯氧化物为原料,通过研究施主掺杂、掺Ｃａ及烧成工艺对陶瓷线性性能的影响,选择合理的配方,利用复合方法制作了一种线性度好、灵敏度高、线性温区宽的ＬＰＴＣ电子陶瓷,为其在更广泛的领域得到应用提供了前提。     

施主杂质引入方式对BaTiO3材料PTCR效应的影响

采用了不同的施主掺杂方式，通过过剩施主的一次和二次掺杂材料的室温电阻率和PTCR效应的研究，从缺陷化学的角度，讨论了引入方式与施、受主相互补偿机制的关系和对材料电学性能的影响。     

BaTiO_3热敏电阻陶瓷添加物效应机理的探讨

本文以离子化学价控原理和晶界结构特性论述钛酸钡基ＰＴＣ陶瓷引入添加物和杂质离子对ＢａＴｉＯ３晶体半导化和ＰＴＣ效应的机理．为合理选择原料和有效地控制工艺．以解决生成过程组成敏感性及其产品质量稳定性指出方向．     

液相铌掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷材料的研究

目的研究液相掺铌对BaTiO3系PTCR陶瓷材料电性能的影响。方法采用溶胶-凝胶一步法工艺和不同的降温速率。结果获得了室温电阻率2ρ5℃=28.93Ω.cm,升阻比Rmax/Rm in>1×106,阻温系数α30>15.00×10-2/℃,耐压强度Vbr>210V/mm,居里温度Tc=130℃的PTCR陶瓷材料。结论施主元素Nb以液相的形式添加分布更加均匀,材料的室温电阻率随施主元素Nb掺杂量增加呈U形变化,适量掺杂施主元素Nb可明显提高材料的PTCR特性,加快降温速率会明显削弱材料的电性能。     

BaTiO_3基PTC材料的制备与应用

详细论述了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ材料的制备过程，以及制备过程中所应注意的问题。介绍了该材料在某些方面的具体应用。     

受主掺杂对BaSnO3电阻的电学性能影响

测试BaSnO3电阻样品的复阻抗、损耗电学性能,通过对实验结果的分析得知,通过受主Na2CO3及Mn（NO3）2复合掺杂能够有效增加该材料的晶界电阻.同时得出随着Mn（NO3）2掺杂量的增大,材料的电阻增大,且当掺杂量为1.0 mol%时,材料的电阻率为3.3×10^6Ω.cm;而其介电系数与损耗则随着Mn（NO3）2掺杂量的增加而减小,在1 kHz下的介电系数为1.9×10^4,损耗为0.34.     

电子封装的边界条件独立热阻网络模型的研究

研究倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)电子封装的边界条件独立热阻网络模型.依据热模型的研究路线图,采用三维有限体积法,建立了详细热模型,所得热阻与模拟冷板实验结果对比的平均误差为3.78%,验证了详细热模型的准确性.在此基础上,建立了FC-CBGA三热阻网络模型,它与详细热模型在加装冷板、热沉、强制对流等21类边界条件下的结温对比误差均小于4%.结果表明,该热阻网络模型具有边界条件独立性,结构更加简单,能快速准确地获取电子封装的结温与热阻,可完全替代详细热模型来分析电子系统的热流路径和热管理.     

电阻阵动态红外景象投射器单元电路研究

研究了电阻阵动态红外景象投射器的单元驱动电路特性,特别对辐射体的部分电学和热学特性进行了定量的测量和计算;同时采用热点耦合的方法分析了两种比较典型的单元驱动结构,并对结果进行了实际验证。     

厚膜电阻导电机理的探讨

以钯—银电阻(Pd—Ag玻璃系)材料为研究对象，分析了厚膜电阻常见的4种导电机理，为我们理解厚膜电阻的导电过程提供了帮助。     

线性电阻与非线性电阻伏安特性实验的Origin处理

Origin软件具有较好的数值处理功能,将Origin软件应用于线性电阻与非线性电阻伏安特性实验能准确快速地处理实验数据。     

Ce:BaTiO_3晶体热激发速率的角度特性

提出了在考虑吸收系数强度特性条件下一种测量热激发速率与光激发常数比值的新方法。利用公开报道的关于 Ce:Ba Ti O3晶体双光束耦合角度特性的实验数据计算了 Ce:Ba Ti O3该比值的角度特性。结果表明 ,此方法是可行的。     

常见电阻器的选用要点及检测方法

电阻器是电子电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的30%以上。文章对不同应用电路中普通固定电阻器、熔断电阻器、特殊电阻器(热敏、压敏、光敏)的选用要点以及检测方法做了简单的介绍。     

MSC型湿敏电阻器及其应用

介绍了以氧化铁为主体材料的湿度传感器。文中具体介绍了电阻器的工作原理、特点、技术参数、应用电路及其简单制作方法。