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相似文献
 共查询到15条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
从RLC并联电路的经典运动方程出发,研究了介观含源RLC并联电路在压缩Fock态中磁通量和电荷的量子涨落。着重讨论了阻尼对量子涨落的影响。  相似文献   

2.
通过量子化RLC电路,讨论了在热压缩真空态和热压缩态下介观RLC电路中电荷、磁通的量子涨落.  相似文献   

3.
李洪奇 《菏泽学院学报》2005,27(2):27-29,53
从经典LC并联电路的运动方程出发,将介观LC并联电路量子化.在此基础上,研究了热真空态下各支路电流和电压的量子涨落.结果表明,各支路电流电压的量子涨落均与电路器件的参数以及温度有关.  相似文献   

4.
电荷离散化时Fock态下耗散介观电路中的量子涨落   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于电荷离散化的事实,应用最小平移算符的性质,计算耗散介观电路中电荷、电流及能量的量子涨落.结果表明,计及电荷不连续性的事实,在Fock态下耗散介观电路中电荷不存在量子涨落,而电流与能量的量子涨落不为零,分别与电荷量子、Planck常数等有关,大小决定于电路参数.  相似文献   

5.
介观并联RLC电路在压缩真空态的激发态下的量子涨落   总被引:2,自引:0,他引:2  
从有源并联RLC电路运动方程出发,通过量子化的有源RLC电路计算了在压缩真空态的激发态下电荷和电流的量子涨落,并对结果进行了讨论。  相似文献   

6.
Fock态下介观电容耦合阻尼双谐振RLC电路的量子涨落   总被引:3,自引:0,他引:3  
将介观电容耦合阻尼电路作双模耦合阻尼谐振子处理,使其量子化,通过3次幺正变换,将体系的哈密顿量对角化,并给出了体系的本征能谱.研究了Fock态、真空态下回路中电荷和电流的量子涨落.  相似文献   

7.
在热压缩态下介观电容耦合电路中的量子涨落   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用热场动力学(TFD)方法研究了有限温度下介观电路中的噪声或涨落压缩问题,分析了对信息交换起重要作用的电路耦合部分的情况,当电路处于热压缩态时,选取不同的参数,电荷和电流的涨落分别可以得到压缩,电容耦合对分回路以及耦合区域的电荷涨落压缩有增强效应,但是对于电流则没有这样的效果。  相似文献   

8.
对具有普遍意义的量子化介观RLC并联电路各支路的电流与电压在压缩真空态下的量子效应进行了研究,并对影响各支路电流与电压的量子涨落的因素进行了分析.结果表明,在压缩真空态下量子化介观RLC并联电路中各支路电流与电压的量子涨落受到电路元件的参数、压缩真空态的参数以及时间因素的影响,具体表现在各支路电流与电压的量子涨落随时间...  相似文献   

9.
通过量子化有源RLC电路,研究了激发相干态、压缩真空态下介观电路的量子涨落以及电源对量子涨落的影响。  相似文献   

10.
针对LG电路的实际情况提出了双耗散介观LC并联电路模型,并利用经典电路的基尔霍夫定律和阻尼谐振子的量子化方法对电路进行量子化.在电路模型量子化的基础上进一步讨论了双耗散LC介观并联电路在真空态下电感支路和电容支路中电流和电压的量子涨落,并分析耗散电阻RC和RL对两个支路中的量子涨落的影响.结果表明,两个支路的电流和电压...  相似文献   

11.
利用阻尼谐振子量子化方法,将介观RLC串并联电路量子化,在此基础上,研究了热真空态下,各支路电流和电压的量子涨落,结果表明,各支路电流电压的量子涨落均与电路器件的参数以及温度有关,且随时间衰减。  相似文献   

12.
介观互感电容耦合双谐振电路在压缩真空态下的量子涨落   总被引:5,自引:4,他引:5  
对介观互感电容耦合电路作双模耦合谐振子处理,将其量子化.通过三次幺正变换,将体系的哈密顿量对角化,给出了体系的本征能谱,研究了压缩真空态下回路中电荷和电流的量子涨落.  相似文献   

13.
压缩真空态的激发态下介观串并联RLC电路的量子涨落   总被引:2,自引:4,他引:2  
将介观串并联RLC电路等效成阻尼谐振子并量子化,研究了压缩真空态的激发态、压缩真空态、真空态下电流和电压的量子涨落.结果表明,支路电流电压的量子涨落不仅与电路器件的参数有关,而且和激发量子数、压缩因子及压缩角有关,并随时间衰减.  相似文献   

14.
介观阻尼LC并联电路的量子化   总被引:5,自引:0,他引:5  
借鉴阻尼谐振子的量子力学处理的研究思想.将介观阻尼LC并联电路量子化,在此基础上研究了真空态下,各支路电流和电压的量子涨落.结果表明.各支路电流电压的量子涨落均与电路器件的参数有关,且随时间衰减.  相似文献   

15.
借鉴阻尼谐振子的量子力学处理的研究思想,将介观阻尼LC并联电路量子化,在此基础上研究了真空态下,各支路电流和电压的量子涨落.结果表明,各支路电流电压的量子涨落均与电路器件的参数有关,且随时间衰减.  相似文献   

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