Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150 ℃~170 ℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.     

多晶CdS薄膜——电解液太阳电池的初步探索

本文对多晶CdS薄膜—电介液太阳电池作了初步探索,其中的对阴极是用化学喷涂法在玻璃板上沉积成的SnO_2薄膜,CdS薄膜有两种,一是在上述涂有SnO_2的玻璃上用化学喷涂法沉积成的CdS薄膜(即喷涂膜),另一种是以导电陶瓷((SnO_2—ZnO))为衬底的烧结CdS薄膜(即烧结膜)。电解液为目前常用的NaOH—S—Na_2S混合液。通过实验与测量得到以下几点结果: 1.发现有一个最佳电介液浓度约为0.33M,在这个浓度下,电池得到最大的短路电流和开路电压。 2.在自然阳光下,喷涂和烧结薄膜—电介液(0.33M)电池的Jsc分别达160μA/cm~2和420μA/cm~2,比Chartier的同类喷涂CdS薄膜——电介液(1M)电池在100mw/cm~2的Hg灯光下测得的Jsc=32μA/cm~2大5—14倍,相应的喷涂和烧结电池的Voc分别为0.34伏和0.50伏,前者与Chartier的Voc=0.36伏相当,后者却高出1/3。 3.阳光下测得的Ⅰ—Ⅴ曲线的特性较劣,填充因子FF在0.25以下,表明这种电池内存在很大的串联电阻。这种情况同样存在于Chartier的实验结果中。     

ZnTe多晶薄膜及其在CdTe太阳电池中的应用研究

用真空共蒸发法制备ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜 .刚沉积的ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜为高度 (111)择优取向的立方相 ,适度掺Cu为立方和六方混合相 ,晶粒大小 2 0～ 6 0nm .作为背接触层获得了转换效率为 11.6 %的太阳电池 .     

双源真空蒸发制备CdS/CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试.在AM1.5,100mW/cm2的碘钨灯下,对1cm2的太阳电池测得其最大转换效率为6.2%.     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

低倍聚光多晶Si太阳电池的研制

本文报道了用50×50毫米~2浇铸多晶Si制成具有密栅、背场结构的低倍(2～5倍)聚光太阳电池,在AM1.5标准光强下,全面积转换效率达到10.2％,有效面积转换效率达到11.46％。在聚光2.73倍时,电池短路电流增益为2.5～2.71倍。在低倍聚光下工作的太阳电池的研制,国内尚未见报道。用多晶硅材料试制成这种电池,有可能进一步降低系统成本,在近期达到20～25元/峰瓦。     

CuInSe2薄膜太阳电池

ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料,其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料科学的观点来介绍ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的特性及制作过程并提及其材料品质可改善的程度。这方面的了解将有助于我国对于高效率薄膜太阳电池的研究。     

新型高效薄膜太阳电池

人们越来越意识到，可再生能源将是最具发展潜力的产业。近年来由于全球对环保的重视，光伏产业得到飞速发展。正在兴起的光     

硅薄膜太阳电池的研制

本文阐述了用真空蒸镀法制作微晶—非晶硅薄膜p—i—n结构太阳电池的工艺过程及原理,所制得的电池开路电压Voc已超过500mv。     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积(30×40 cm~2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加.在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰.随着退火温度的增加,电导激活能降低.经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C~2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率.     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积（30*40cm2）CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响。结果表明：刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着（111）方向择优取向而退火后（111）（220）（311）等峰都有不同程度的增加。在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰。随着退火温度的增加,电导激活能降低。经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率。     

关于多晶CdS太阳电池不均匀性的研究

通过分隔测量开路电压V_(oc)显示出CdS太阳电池的不均匀性及其对电池效率的影响。结果如下;1.在烧结体和喷涂膜CdS太阳电池中,不均匀现象是普遍而明显的,有时显得很严重,对电池效率影响也很大。2.空气中热处理能使新制的CdS电池的V_(oc)普遍提高,同时使不均匀程度大大减小。3.衰降严重的CdS电池中,存在三种因素使局部地区的V_(oc)特别低;除锡焊点短路、Ag栅短路外,还有所谓的低压小块,它的出现与这一局部地区的Cu_2S组成和异质结特性发生显著变化有关。最后对上述结果作了分析和讨论。     

硒薄膜太阳电池串联电阻

导出半导体太阳电池串联电阻计算公式,凭据串联电阻值判别电池背接触电阻的大小。指出:在铋、金、镍三种材料中,铋与硒的接触电阻较小。文章还对串联电阻的计算和在实验中调整电池硒层厚度的问题作了讨论。     

X射线荧光光谱法用于CIGS薄膜太阳电池中吸收层的定量分析

介绍了X荧光薄膜分析法测试CIGS薄膜太阳电池中吸收层的4种元素的比例,并对其进行了分析和研究,此方法测量速度快,精确度高,对于制备高效率的CIGS太阳电池具有重要的指导意义。     

CdS多晶薄膜的制备及其性能

采用化学水浴法(CBD)及85~65℃的高低温工艺模式,在醋酸镉体系中制备大面积硫化镉CdS多晶薄膜,经X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等测试表征CdS多晶薄膜结构、形貌及光学性质。结果表明:CdS在85℃条件下快速成核,再逐渐降温至65℃慢速生长,可使大面积CdS多晶薄膜的粒径较大(约60 nm)、均匀性较好、致密度较高。通过优化85℃到65℃的高低温生长工艺,降温速率为2℃/min的条件下制备出厚度约50 nm的超薄CdS多晶薄膜,经氮气气氛400℃退火处理后,CdS晶粒长大,透过率降低,禁带宽度变窄。     

多晶铁电薄膜的双层结构模型

实验观察发现：多晶钛酸铅铁电薄膜的表面层与体内层有不同的结晶和相变特性。根据实验结果，可假设多晶铁电薄膜具有与铁电微粉类似的特征，将表面层描述为小晶粒低应变层；体内层描述为大晶粒高应变层；所有晶粒均被一薄的非铁电层覆盖。     

PbS多晶薄膜均匀性的改善

本文介绍了PbS薄膜常用化学沉淀的制备方法及原理,深入分析了基片沉淀过程中表面出现突出物现象的原因,薄膜基片电镜分析以及改善PbS基片表面均匀性的工艺方法。     

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区溶再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积（RTCVD）在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10．21％,填充因子为0．6913的电池产品。     

硅基薄膜太阳电池研究现状

硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。     

多晶硅薄膜太阳电池电子辐照研究

利用静电加速器对多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照实验。电子能量为1MeV,分别以1014e/cm2、1015e/cm2和1016e/cm2电子辐照注量进行辐照,首次获得了多晶硅薄膜太阳电池在高注量的电子辐照后,性能衰降比晶体硅大的结果。结合太阳电池理论和半导体材料的电子辐照效应给出了合理的解释。