科技“生词”解释

<正>MLCC MLCC是片式多层陶瓷电容器英文Multi-layer ceramic capacitors的缩写。目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大     

潮州三环(集团)股份有限公司

潮州三环(集团)股份有限公司是由创建于1970年的原地方国营潮州市无线电瓷件厂组建的股份制企业。公司占地面积24万平方米;现有员工1800多人,总资产达到4亿元。属下十二家分厂、分公司。 公司专业生产经营各类固定电阻器、电阻用陶瓷基体,固定电感器、塑封片式电感器、HIC、电位器、片式电阻用的氧化铝陶瓷基片、片式多层陶瓷电容器(MLCC)、光纤连接器瓷芯等电子陶瓷元件。公司在全国各大、中城市设立办事处和分公司,形成以电阻元件为主     

微容科技:用匠心做好产品促进MLCC国产化进程

微容科技在成立之初就投资建设了罗定微容MLCC科技园,通过建造半导体行业标准的净化车间,引入业内最先进的研发及生产设备,打造了广东省片式多层陶瓷电容器(微容)工程技术研究中心,并成功被认定为2021年度广东省工程技术研究中心.微容科技广聚国内外科技创新人才,全力研发高容量、车规、射频、超微型等系列高端MLCC,加快打破...     

新型电子元器件"十五"发展八大重点

据信息产业部提供的资料,我国“十五”期间将重点发展的电子元器件如下: 1.表面贴装元器件重点发展贱金属电极片式陶瓷电容器,片式电阻器,片式电感器,片式钽电容器和片式二、三极管。 2.厚膜混合集成电路(HIC)重点开发和生产为通信产品、汽车电子等投资类整机配套的产品以及     

多层陶瓷电容器及其发展趋势

简单介绍了多层陶瓷电容器（MLCC）的结构，重点介绍MLCC微小型、复合化、大容量、贱金属化，高频、高性能和环保化（无铅化）的技术发展。     

超声波无损探伤技术在MLCC检测中的应用研究

<正>多层片式瓷介电容器[简称:MLCC(欲了解更多?请见本期【科技"生词"解释】]结构简单,通常只包括介质与电极层的交替层以及引出端,其基本功能是贮存电荷。介质通常是钛酸盐和铌酸     

多层瓷介电容器专利题录

1:多层瓷介电容器导电浆料(日本,1992)2.多层瓷介电容器内电极导电浆料(日本,1992)3.多层瓷介电容器的制造方法(日本,1992)4多层瓷介片式电容器的制造(日本,1992)5.多层瓷介电容器的生产旧本)6.多层瓷介电容器(美国,1992)7,独石多层瓷介电容器(美国,1992)8.多层瓷介电容器(加拿大,1992)9.不需高温烧结的多层瓷介电容器(日本,1991)10.多层瓷介电容器的生产(日本,1992)n.高介电常数瓷料(日本,1992)12.多层瓷介电分层电容器的生产(日本。1992)13.叠层瓷介电容器(日本,1992)14.叠层瓷介电容器内电极浆料(日本,1992)巧.高介电常数介电瓷料(日本,1…     

多层陶瓷电容器中的机电谐振在快速无损检测中的应用

文章介绍了一种适用于铁电型多层陶瓷电容器的快速无损检测方法。这一测试方法建立在多层陶瓷电容器施加直流偏压时的机电谐振现象基础之上。电容器内部缺陷的存在会严重地影响电容器中的机电谐振，谐振过程所受到的阻尼可以很好地表征多层陶瓷电容器中的缺陷。     

BX特性MLCC电容器的决定因素和设计方法

<正>BX特性电容器是《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》(GJB192A-98)中规定的唯一的军用二类电容器,该类电容器不仅要满足TC特性要求,还必须满足TVC特性要     

国家“863”计划重大项目Z33课题成果通过技术鉴定

2000年11月4日,国家信息产业部在肇庆风华集团公司主持召开了国家“863”计划重大项目Ｚ33课题科技成果鉴定会.其中,我校陈旭明副教授主持的项目“高频热补偿片式电感的研制”,经过近三年的艰苦攻关,完成了用于多层片式瓷介电容器(ＭＬＣＣ)的7个系列瓷料的研制开发,并在本次鉴定会上顺利通过了“高频高介ＭＰＯ多层片式瓷介电容器(ＭＬＣＣ)瓷料”等三个成果的鉴定.鉴定委员会认为,项目组研制开发的瓷料产品采用无毒瓷料体系,具有创新性;经过风华公司批量生产,产品性能稳定、可靠,满足生产要求,完全可替代进口产品,技术属国内领先,并处于国…     

银钯内电极浆料对片式多层陶瓷电容器性能的影响

分别制备了三种不同烧结收缩特性,以及两种由不同粒径无机添加剂组成的电极浆料。研究了电极浆料与介质烧结收缩匹配性、电极厚度、无机添加剂粒径对多层陶瓷电容器(MLCC)性能的影响。结果显示电极浆料与介质的烧结收缩越接近,产品无损检测缺陷越少。电极越厚产品耐焊后越容易出现瓷体裂纹;而电极越薄电压处理后越容易出现电容量精度偏差超标。无机添加剂粒径过大会造成产品电容量变小。     

银钯内电极浆料对片式多陶瓷电容器性能的影响

分别制备了三种不同烧结收缩特性,以及两种由不同粒径无机添加剂组成的电极浆料。研究了电极浆料与介质烧结收缩匹配性、电极厚度、无机添加剂粒径对多层陶瓷电容器(MLCC)性能的影响。结果显示电极浆料与介质的烧结收缩越接近,产品无损检测缺陷越少。电极越厚产品耐焊后越容易出现瓷体裂纹;而电极越薄电压处理后越容易出现电容量精度偏差超标。无机添加剂粒径过大会造成产品电容量变小。     

化工生产过程中污染的控制

化学工业是主要污染部门之一。本文仅就化工生产过程中产生的污染物如何进行控制(即不产生或少产生污染物)或如何进行综合利用提供原则性的方法。     

固相法制备细晶高性能PTCR

针对正温度系数热敏电阻(PTCR)片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求,利用固相法制备PTCR,结合提高施受主掺杂比(n(Y∶Mn)21效果明显),高温预烧(1 220℃),低温烧结(1 300℃)等方法抑制晶粒长大;制备出平均晶粒尺寸小于2μm,室温电阻率为205Ω.cm,升阻比为4.082×104的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷,使多层片式PTCR产业化成为现实.     

等离子喷涂热障涂层的屈曲失效分析

在工作环境中,典型的等离子喷涂热障涂层结构会在陶瓷层和氧化层界面出现分层现象,导致冷却过程中受面内压应力作用的陶瓷层发生屈曲和剥落失效现象.本文采用能量方法建立了分层后陶瓷层(边界固支单层板)屈曲的临界条件,分析了分层形状、陶瓷层面内应力、弹性模量、厚度对临界条件的影响.这些结果可为考虑陶瓷层屈曲失效的寿命预测模型提供一定的理论依据.     

插脚式陶瓷电容器的焊接工艺技术研究

介绍了陶瓷电容器热冲击后出现开裂的失效模式和插脚式陶瓷电容器的常用焊接加热方式,通过试验结果表明焊接方式的合理选择可有效提高焊接面的结合强度,并将焊接过程中由于热冲击使产品本体产生裂纹造成的损失降低到最小程度。     

(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能

在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理.     

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.     

纺织品抗静电整理技术的探讨

1　前言纺织材料是电的不良导体 ,它们具有很高的比电阻。纤维及其制品在生产加工和使用过程中 ,由于受摩擦、牵伸、压缩、剥离及电场感应和热风干燥等因素的作用而产生静电。如果这些静电荷不能通过各种途径迅速散失 ,就会在材料和加工机械上逐渐积累、增加 ;基于静电的力学效应和放电效应 ,静电荷的积累达到一定程度时将会引发各种障碍和危害。特别是随着化学纤维 (主要是合成纤维 )在纺织上生产和应用的越来越多 ,这些高分子聚合物所固有的高绝缘性和憎水性 ,使之极易产生、积累静电。所以 ,随着合成纤维的大量使用 ,纺织材料的带电现象…     

高介、低损耗Ba(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究

采用正交设计实验法研究了配方对Ba(Ti,Zr)O3(BTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响BTZ基陶瓷介电性能的主次因素 ,各因素水平影响其性能的趋势 对介电常数而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、BaZrO3/BaTiO3、ZnO、CeO2 ;对介质损耗而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、ZnO、CeO2 、BaZrO3/BaTiO3 同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方 通过正交设计实验得到了综合性能最佳的BTZ基陶瓷 ,它具有高介 (ε)≥1 32 0 0低损耗 (tanδ) <60× 1 0 - 4 和高耐压 (大于 5MV/m) 探讨了各组分对BTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗、高耐压电容器陶瓷提供依据