本市专利公告

可调式恒温箱 专利号:932080456 本实用新型是一种用于生物实验、微生物培养等的可调式恒温箱,它由箱体、致冷元件和控制器组成,致冷元件采用根据帕尔帖效应制成的半导体温差致冷组件。该恒温箱消除了传统致冷元件氟里昂有害气体对环境的污染,具有既能致冷、又能加热的双向自动控制恒温功能。     

无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

半导体温差发电性能的实验研究

实验测试了单片半导体温差片、双片串联和双片并联温差组件的输出电性能.结果表明:随着热端和冷端的温差增大,三种情况下半导体温差片的输出电流、输出电压和输出功率均增加.两片半导体温差片串联时组件输出电压高于单片输出和两片并联时的输出电压;两片半导体温差片并联时组件输出电流高于单片输出和两片串联时的输出电流;两片半导体温差片串联时组件输出功率高于单片输出和两片并联时的输出功率,约是单片输出的2倍.采用焦距为13.1cm的菲涅尔透镜聚光,当温差片位于离菲涅尔聚光镜面约12cm时,输出电流和输出功率达到最大值.     

新型半导体温差发电器的优化设计

提出一种新型的半导体温差发电器,以效率和输出功率为目标函数分析其性能特性,计算在不同情况下温差发是电器的最大效率和输出功率,进而优化温差发电器的内部结构,确定工作电流的最佳范围,所得结果可为新型的半导体温差发电器的优化设计和最佳运行提供有价值的理论指导,可促进半导体温差发电器的进一步开发和在不同高新科技领域中的应用。     

中国专利文摘(空调器类)

1.电梯用半导体冷热空调器包括位于轿顶的主机、轿厢中风箱、通风管和温控数字显示装置。主机壳体内安放半导体制冷器件组,由温控电路控制其致冷和致热,并分别传给其左、右侧的集冷筒与散热片。隔离层将壳体分为冷、     

半导体制冷效率及空间冷量传递特性试验研究

半导体制冷效率的大小取决于热电堆冷热端的温差,而强化热端的散热与强化冷端的冷量散发有利于降低热电堆冷热端的温差,从而提高半导体的制冷效率。本文探讨了由半导体冷端提供准量进行制冷的空间温度在自然对流和强制对流状态下随时间变化的规律。结果表明强制对流有助于冷量的传递和制冷效率的提高。     

温差发电器的传热特性分析与实验研究

采用热网络分析法分析了温差发电器冷端采用空气自然对流、强制对流以及水冷等3种不同散热方式时的传热特性,并进行了实验研究.结果表明:与空气自然对流相比,空气强制对流和水冷散热方式强化了散热器翅片与环境之间的传热,降低了发电器冷端的温度和热阻,发电器中的主要热阻由自然对流时的散热器翅片与环境间的对流换热热阻变为温差电组件与...     

基于半导体温差发电的电锻煤炉余热回收研究

青铜峡铝业集团电锻煤炉是耗电将煤转化成无烟煤的设备,其排烟温度达到590℃,高温烟气排放导致大量余热的浪费.本文根据半导体温差发电器的特点及其发电性能,研究利用半导体温差发电对电锻煤炉余热的回收利用,并设计计算电锻煤炉的余热发电.     

功率型LED散热基板制备研究

钨铜复合材料因具有高导热性、膨胀系数可调节等优点在大功率器件中作为散热基板被大力开发应用,然而表面难于绝缘化缺点阻碍其进一步推广.先后采用电解抛光预处理技术、MCl3+ LiAlH4有机镀铝技术和硫酸阳极氧化技术成功地在W90Cu10基板表面上制备出具备良好的表面质量和绝缘性能的氧化层.实验发现:经电解抛光预处理后,钨铜基板表面质量大幅提高,相对反射率高达90％以上,呈镜面光亮;采用AlCl3+ LiAlH4有机溶剂电沉积制备出高纯镀层,外观呈银白色、均匀,表面颗粒排列紧密;镀铝层经硫酸阳极氧化处理后,氧化铝膜的表面由非晶Al2O3相组成,绝缘性能良好.     

用热空气风冷的半导体空调的研究

为将风冷式半导体空调扩大应用于冶金高温车间的操纵室和亚热带各露天作业的大型移动机械的司机室上,在过去“风冷式”诸参数研究的基础上,又用低于50℃的热空气进行了模拟实验与研究。本文从理论上推导出热端与冷端进口空气温度与致冷量、温差之间的关系式,说明随进口气温的升高,致冷效果不但并未降低,反而略有提高。这已由实验证实。在工作电流30A、元件386对、风量适当时,则致冷温差不低于14℃,可用于环境温度低50℃于的场所。     

一种U盘

该发明公开一种U盘,包括U盘本体,U盘本体由盘身和露出盘身的插头构成,插头和盘身之间设有旋转连接的外螺纹,插头外套接有盘盖,盘盖设有与外螺纹匹配连接的内螺纹,盘身和盘盖一侧设有锁扣,锁扣内设有连接绳索。该发明的优点是:盘盖和盘身采用螺纹连接,盘盖和盘身不易松脱且之间采用连接绳连接,盘盖也不易丢失。     

金属基板电致发光器件研究取得重大进展

我校固体发光研究室承担的河北省科委攻关课题“金属基板电致发光器件的研究”和河北省教委课题“金属基板发光器件亮度的提高”,今年取得了重大进展。金属基板电致发光器件是在钢板或铝板上制备绝缘层、发光层、透明导电层和透明保护层等多种功能膜层,当在金属基板和透明导电层之间施加交流电场时,激发发光层中的发光中心而发出可见光。这种发光是将电能直接转化成光能,没有热能产生,因此被称为冷光源。这种发光器件非常节能,功耗小于２０Ｗ／ｍ２。同时,由于这种器件实现了固体平板化,发光均匀、光线柔和、视角大、抗冲击,所以适用于户外…     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

基于氧化石墨烯薄膜的温差电能量转换及其机理研究

通过基于氧化石墨烯(GO)薄膜的纳米流体系统将外部的温度梯度转换成电信号,从实验和数值模拟两个方面,系统地研究了不同条件下温差电能量转换的情况,探究了固体仿生纳米孔道在温差能上的应用.实验发现:温差发电的最大输出功率密度随着KCl浓度的增大而先上升后下降,随着温度梯度的增大而逐渐上升,随着膜厚的增大而逐渐下降.模拟研究...     

MCM基板钎焊设备

MCM技术的出现极大地推动了现代微电子技术的发展,集成电路正朝着大规模、高密度、多功能、小尺寸的方向发展。MCM基板作为MCM的最基础也是最重要的组成单元,直接决定了整个集成电路的电参数和功能特点。面对传统MCM基板生产设备的缺陷和产能的不足,开发了新型的真空钎焊设备,很好地解决了产能和空洞率的问题,使得生产效率和产品质量都有了极大的提高。着重介绍了MCM基板钎焊设备的结构特点和重要的性能参数。     

半导体致冷材料—碲化物、硒化物及其固熔体的制备与其热电性质的初步研究

一、引言继作者之一对半导体制温差发电器及致冷器问题作了原理性的探讨之后,在我国各方面的大跃进鼓舞下,我们根据一些单位(特别是军事单位)的要求,在党的总路线的光辉照耀以发教育方针的指导下,克服着器材的困难于今年开始了此项工作。这项工作进一步的开展不仅具有科学理论的意义,而且在技术上用半导体致冷材料可以作;交通运输上(如飞机、火车等)的冷藏器,无线电元件中的恒温器、军舰、机仓、仓库等的调温设备,科学研究中取得低温、医学上用作冷冻切片装置,由于这些用处较现行取冷     

高通量空气隙膜蒸馏系统的实验研究

该文提出一种高通量的新型膜组件,它采用热液旋转切向湍流入流以冲刷膜面,减小温度和浓度边界层,改善温度和浓度极化,提高传热传质效率,并采用小间隙及膜与冷壁部分接触以减小空气隙的传热传质阻力,从而显著提高蒸馏通量。实验结果表明:最佳切向入流角为30,°膜面接触率为75%~80%。采用这种膜组件的空气隙膜蒸馏系统,当用自来水作为热溶液、间隙为1mm、冷热水温差为65℃时,蒸馏通量可高达120 kg.m-2.h-1,而传统的空气隙膜蒸馏系统(间隙为4mm以上)的最大蒸馏通量仅为28 kg.m-2.h-1。热溶液为15%的浓盐水的蒸馏通量实验也得到类似结果。     

一种新型可伸缩的会计用票据存放装置

该实用新型公开了一种新型可伸缩的会计用票据存放装置,由主体、第一抽屉、第二抽屉、第三抽屉、收纳盒、收纳盒盖、夹紧机构、笔盒、笔盒盖以及连接槽组成,所述主体呈矩形,且主体通过一隔板分为上、下两层,所述第一抽屉位于主体下层的右端,所述第二抽屉、第三抽屉位于主体下层侧面的左端,所述收纳盒以及笔盒均位于主体的上层,收纳盒位于笔盒左边,且收纳盒与笔盒之间设有连接槽,所述收纳盒盖通过第一转轴与收纳盒左端连接,所述笔盒盖通过第二转轴与笔盒右端连接,所述收纳盒盖上端设有连接块,所述夹紧机构连接在第一转轴上;该实用新型一种新型可伸缩的会计用票据存放装置设有三个抽屉以及收纳盒,使用空间大,方便票据的存放和查找。     

低电子亲和势的场助热电子发射阴极

具有金属 /绝缘层 /半导体 /金属结构的场助热电子发射阴极是大屏幕显示器中的主要候选部件。电子发射受到各层薄膜的厚度、材料组分和结晶状态等的严重影响。由Au/Ag双层薄膜构成的上电极使得电子亲和势降低0 .5 e V,发射电流提高了数倍。半导体材料 Zn1 - x Mgx O具有低的电子亲和势以及适合电子注入的带隙宽度 ,并且已经较为容易地用溅射方法制备。上电极和半导体层之间的晶格匹配可以降低电子在界面上的散射 ,对提高发射电流是很重要的 ,这已经在 Zn1 - x Mgx O/Au和 L i F/Au界面上实现。在绝缘层和半导体层之间引入界面态控制层可以大大降低驱动电压 ,对采用宽带隙半导体层的阴极尤其具有实用价值     

铬镀液中CrO3的电化学还原

通过对酸性铬镀液的电化学测试以及对电极表面的XPS分析,发现在金属铬沉积前,铜阴极上发生多步骤的铬酸电还原反应,其中间产物与电极表面发生化学作用,形成主要成分为CuOCrOH的氧化膜;与此同时,电极表面附近形成阴极膜,氧化膜及阴极膜的存在引起异常的循环伏安图和负阻现象。