La0．7Ca0．3Mn1-xCuxO3的电输运特性

通过固相反应法制备不同掺杂浓度的La0.7Ca0.3Mn1-xCuxO3(x=0～0.15)样品, 在77～300 K温度范围内测量了铜掺杂后样品电阻随温度的变化关系.结果表明, 在未引入铜杂质时, 低温铁磁相的电阻率满足T 2.5关系, 顺磁相符合小极化子近邻跳跃模型;在低掺杂下, 铁磁区可用T 4.5关系解释;随着掺杂浓度的增加, 在铁磁区和顺磁区, 任何单一模型均与实验不相符, 表明高掺杂样品的电输运性质存在未知模型.     

Pr替代La5/8Ca3/8MnO3体系的磁性与电输运特性

系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc和绝缘体-金属转变温度TMI都向低温区移动.在较低温度下电阻率表现出了极小值现象,而这一现象随外加磁场的增大逐渐受到抑制,对此现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.在Tc和TMI转变温.度区域,样品表现出较大的磁电阻效应.样品在高温下的电输运行为可根据可变程跃迁机制得到很好的解释.     

CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究

本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下（5-300K）的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx＋bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.     

FeWB金属玻璃高温电学性质的研究

关于FeWB金属玻璃高温电学性质方面的文献未见报道。我们利用自己设计的具有独特结构的测量装置,研究了(Fe_(100-x)W_x)_(84.5)B_(15.5)(x=2,4,6,8,10)金属玻璃的高温电学性质。该装置大大降低了常规测量中不可避免的测量误差,获得了精度在0.01%的电阻率ρ的相对变化曲线,并依据实验结果,指出金属玻璃自身的结构弛豫效应是金属玻璃电阻率ρ(T)偏离线性关系的主要原因。我们用玻璃体内散射电子的“无序小区”概念来解释结构弛豫过程中电阻率ρ的下降。指出ziman理论在忽略结构弛豫效应的情况下才适用。并推断出本材料的Debye特征温度θ_D不超过300K。实验中还发现,当结构弛豫效应可略时,样品在其居里温度点附近出现一个折点的反常现象。我们依据铁磁理论对这一现象进行了讨论。     

Co_(78-x)Fe_xSi_8B_(14)系非晶薄带的晶化动力学

我们用测量在高温区电阻率随温度变化及差热分析(DTA)方法,研究了非晶簿带Co_(78-x)Fe_xSi_8B_(14)(x=5、10、20、30、40原子百分比)的晶化动力学。从300K到1000K非晶合金的电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,在形式上是相似的,晶化前都有dρ/dT>0,在晶化期间电阻率的突变量Δρ也相近。晶化温度T_c,在750K到830K之间,而Δρ在29到34μΩ—cm之间。实验还表明,晶化后这些合金的矯顽力有相当大的增加,高到100—200奥斯特。DTA曲线,在720—830K之间有两个明显的放热峯。它所显示出的两个明显的阶段表明晶化时有两种晶相析出。在晶化温度附近,我们还测量了Co_(58)Fe_(20)Si_8B_(14)非晶簿带的电阻率随时间的等温变化。并根据退火曲线和Arrhenius关系,估算了其激活能为80千卡/摩尔。     

单层钙钛矿La1/2（Sr1-xCax）3/2MnO4的结构电输运特性和磁特性

利用固相反应法制备了La1/2（Sr1-xCax）3/2MnO4（x=0.0,0.1,0.3,0.5）系列多晶样品,通过FULLPROF程序对样品X射线衍射图谱进行了精修拟合,样品的空间群为I4/mmm。测量了样品的电输运特性（100 K〈T〈300K）和磁性（5K〈T〈300K）随温度变化的关系。结果表明,系列样品电阻率随温度的降低而增大,在整个测试温度范围内表现为绝缘态,并随掺杂量的增加电阻率依次减小,在Rco以下的电输运特性可根据可变程跃迁模型得到很好的解释;样品高温时都是顺磁态,在200～235K发生电荷-轨道-自旋有序（COS）相变,直到低温时系列样品一直处于COS有序态,还发现x=0．3的样品有一凸起峰,确定是由自旋玻璃态相变造成的。     

La_(5/8)Ca_(3/8)Mn_(1-x)Co_xO_3(x≤0.1)体系电阻率低温最小值现象的散射机制

主要研究了La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x≤0.1)体系的低温电输运特性.在全温区,电阻率随温度变化曲线出现双绝缘—金属转变峰现象;各样品均在25 K附近存在一个有趣的低温电阻最小值现象,外加磁场可使其向低温区移动并产生抑制作用.通过对La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x≤0.1)样品在25 K附近的电输运特性进行的拟合分析,表明存在着弹性和非弹性散射过程的竞争,可用库仑相互作用和非弹性电子散射解释.拟合参数值的变化表明来自电子—电子、电子—声子及电子—磁子散射的共同作用,且电子—电子相互作用随着Co掺杂量的增加而增强,这与样品在低温下存在的铁磁—反铁磁相互竞争产生的团簇玻璃态有关.随着Co掺杂量增大,FM团簇减少且自旋冻结,使载流子局域化增强而导致电阻率增大.证明了与磁场和温度有关的电子散射进程引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因.     

对Nd_(1/2)(Sr_(1-x)Ca_x)_(3/2)MnO_4的晶体结构及磁性质的研究

利用固相法制备了Nd1/2(Sr1-xCax)3/2MnO4(x=0.0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.8,0.9)系列样品。通过中子衍射确定了系列样品的空间群为四方晶系I4/mmm。发现随着掺杂浓度的升高,电荷有序相变温度随之升高,MnO6八面体面内Mn-O间距与面间Mn-O间距比值减小。对样品Nd1/2(Sr0.3Ca0.7)3/2MnO4的电阻率和磁化率随温度变化关系分别进行了测量,确定其奈尔温度为和电荷有序温度分别为180K和258K。利用可变程跃迁模型,对样品在电荷有序温度之下的电输运特性进行了解释。     

二元合金PbBi电阻率随温度的异常变化

文章通过电阻法对PbBi合金的电阻率进行了测量。发现在液相线以上一定的温度范围内,其电阻率随温度的升高而线性增加,即其电阻率温度系数α(α=dρ/dt)基本保持不变;当温度超过某一临界温度时,α随温度的升高出现异常变化。经分析可以认为,不同的合金成分具有不同的转变温度;液态PbBi合金高温区可能存在着温度诱导的液-液结构转变。     

La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜的外延性及其巨磁电阻效应

利用直流溅射法在(001)LaAIO_3基片上生长了外延的La_(I--x)Sr_xMnO_3(x=0.33)薄膜,薄膜为立方晶系的钙钛矿氧化物,晶格常数为a=39.2nm测量了薄膜在零场和外加场中的电阻率和磁阻随温度的变化。随着基片温度的升高。磁阻值在减少;电阻率峰位向高温区移动;溅射温度为650℃的样品磁阻效应最大,磁电阻效应约达30％。     

La0.8Ce0．2Fe11．1-xCo0．8Si1．1Bx磁热效应的研究

用X-ray衍射和磁性测量的方法对所制备的LaLa0.8Ce0.2Fe11.1-xCo0.8Si1.1Bx(x=0,0.3,0.6)的结构和磁性特征进行分析,发现B元素的添加不仅有利于该化合物形成单相NaZn13型晶体结构,且随B含量的增加样品居里温度由x=0.3的278 K增加到z=0.6的286 K,同时最大磁熵变|△SM(T)|也随之增大,在0～1.5 T的磁场F由x=0.3的6.364 J/kg·K增加到x=0.6的10.23 J/kg·K.     

低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料

目的研制低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料.方法采用"溶胶-凝胶一步法"新技术和改进的烧结工艺.结果获得了室温电阻率ρ为6.76Ω·cm,电阻率突变ρmax/ρmin为105,温度系数α30为11.63,耐电压Vb为104.8V·mm-1,居里温度TC为100℃的PTCR陶瓷材料.结论液相添加剂ST掺杂中,各掺杂量的不同对PTCR陶瓷的电性能有不同程度影响.室温电阻率ρ随Si含量或Ti/Ba含量的增加呈U形变化;温度系数α30随Si含量增加单调递减,而随Ti/Ba含量的增加呈倒U形变化.     

类钙钛矿化合物Ca(Mn3-xCux)Mn4O12的磁电阻效应

在常压和较低温度(1073K)下利用溶胶-凝胶法制备了成分为Ca(Mn3-xCux)Mn4O12的化合物,X射线衍射图表明当x≤1.5时化合物呈单一钙钛矿相.所有样品均未观测到金属-绝缘体转变,但随成份的改变有反铁磁-铁磁转变发生.它们的磁电阻随温度呈线性变化系.对x＝1.5的样品,在77K和3T磁场下的磁电阻可达37%.     

烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的电输运性质

采用固相法烧制了烧绿石材料Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7(x=0.1,0.2,0.3,0.4);X线衍射证实了Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的立方结构,样品呈现出很好的单相;通过标准四引线法测量电阻率,样品发生了金属-绝缘体转变,随着Fe掺杂含量的增加,金属-绝缘体转变温度呈上升趋势;对样品的金属体区域和绝缘体区域分别进行了电阻率-温度(ρ-T)拟合分析.     

Mn掺杂La0．1Sr0．9TiO3中温热敏电阻研究

为了探索钙钛矿结构复合金属氧化物中温热敏电阻材料,对La0.1Sr0.9TiO3掺杂Mn元素.研究发现,采用Mn部分替代La0.1Sr0.9TiO3的Ti导致电阻率和热常数B显著变小.对于Mn掺杂量为0 1的样品,其在300 ℃时的电阻率为3 0×102 Ω·m,热常数B为5 900 K;而未掺杂的样品电阻率高达9 8×104 Ω·m,B为13 000 K.掺Mn还显著抑制了材料电阻随时间的漂移.这可能缘于掺Mn后形成了Mn3+-O-Ti4+键,电子的传导机理发生了变化.Mn掺杂的La0.1Sr0.9TiO3有希望作为中温热敏电阻应用.     

Lal／3Ndl／3Bal／aMn03的电阻率双峰和低温电阻率反常现象

用固相反应法制备了二元稀土掺杂的La1／3Ndl／3Ba1/3Mn03多晶庞磁电阻块材．x射线衍射分析表明在1200℃烧结的样品具有立方对称的晶格结构．热磁曲线显示材料在低温处于自旋冰状态．自旋冰的熔点随着外磁场的增大而降低．在磁场达到40kOe时,自旋冻结现象消失．材料的居里温度为-250K,但室温磁化曲线中出现由微弱不均匀品格畸变造成的寄生铁磁性行为．电阻率一温度曲线出现双峰现象．在居里温度附近出现的电阻率峰由晶体的本征特性贡献,在低于居里温度的～190K附近出现的电阻率峰由界面隧穿效应贡献．电阻率在～40K附近出现极小值．经过曲线拟合证实,其行为与近藤效应相似．研究结果较为全面地分析了单相多晶CMR材料的基本磁电相关特性．     

La0．5Eu0．2Sr0．3MnO3钙钛矿型锰氧化物的坞^151Eu穆斯堡尔效应

利用穆斯堡尔效应研究了A位La被Eu替代的锰氧化物La0．5Eu0．2Sr0．3MnO3和La0.4Eu0.3Sr0.3MnO3的磁性、导电性、磁电阻效应。一定比例的Eu掺杂能够使La0．7Sr0.3MnO3样品出现M-I转变。穆斯堡尔参数表明在250K附近存在一种磁结构转变；高温区T〉260K时，θD=120K，低温区T〈360K时，θD=260K。     

Fe3O4的高压电学性质

基于金刚石对顶砧（DAC）上的原位电阻率测量技术, 测量Fe₃O₄粉末在高压下的电阻率及磁阻率, 得到了样品电阻率随压力的变化关系. 当压力大于或小于6 GPa时, 电阻率随压力的增加均呈下降趋势, 但减小的速率不同; 当压力小于6 GPa时, 样品呈正的磁阻效应; [JP2]当压力大于6 GPa时, 样品呈负的磁阻效应.  结果表明Fe₃O₄的微观结构在6 GPa发生变化.     

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3的制备及其磁性

采用溶胶\|凝胶方法制备钙钛矿型稀土锰氧化物La_0.55Eu_0.1Sr_0.15Na_0.2MnO₃, 利用X射线衍射(XRD)、 振动样品磁强计(VSM)和磁性测量系统(MPMS)对样品的结构、 居里温度、 磁卡效应和磁电阻效应进行研究. 结果表明, 样品具有单相六角钙钛矿结构, 居里温度为310 K, 磁电阻变化率为11.18％, 最大磁熵变为1.45 J/(kg·K). 