硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。     

安徽宣郎广红壤低丘地区80年代气候变化趋势分析

本文分析了本世纪８０年代宣郎广（宣城—郎溪—广德）地区的气候变化趋势。与６０年代和７０年代比较，８０年代具有热量和光照同步减少，洪涝灾害增多的趋势特征。隆冬偏暖，春早又春寒，初夏光热偏强、偏旱，盛夏偏凉，入秋突出偏早或偏迟等气候异常频繁发生。雨季降水表现为准周期性异常偏多。     

高功率微波激励下p—n结器件响应

通过采用时域有限差分方法（FDTD）和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组，建立PN结半导体器件在高功率微波（Hight Power Microwave）激励下瞬态响应的一维模型，并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算，从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究，计算表明，二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近，器件的热击穿应发生在信号的正半周期内，10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率。     

PN结二极管计算机数值模拟研究

本文研究PN结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解PN结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

半导体器件用Al-Si合金微细丝强化途径及机理分析

通过不同的热处理工艺强化半导体器件用Ａｌ－Ｓｉ合金微细丝的方法，分析了Ｓｉ粒子的存在状态对合金机械性能、物理性能的影响，获得了高塑性变形能力和高拉伸强度的工艺，并讨论了强化后的微细丝与半导体器件焊接质量的关系。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是近需ＣＰＵ时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度的范围内将计算时间缩短４５％以上。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

77K下硅中杂质电离率的计算

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。     

高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系

利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mPND1D,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系。     

江淮地区未来气候变化趋势的模型试验研究

本文报导了运用灰色系统拓扑预测方法，对长江下游江淮地区的降水和温度变化趋势作了长期预测模型试验，并对该预测模型的预测精度和预测能力作了检验。试验结果表明：预测模型的预测准确率较高且稳定性好；该地区未来３０年将由多雨期（前１０年）转入少雨期（后２０年）；相应地，盛夏将由偏凉期转入偏热期，隆冬冷暖则表现为准ＺＯ年周期变化。因此，在２００Ｏ年前，洪涝年型仍较多，凉夏年型仍占优势，暖冬年型将逐渐减少；在下世纪初的２０年中，洪涝年型减少，夏季高温干旱趋势上升。     

SCR在励磁系统中三相桥式全控整流电路上的应用

从20世纪50年代开始，电力半导体器件不断发展，从半控到全控，低电压到高电压，小功率到大功率。同时，由于电力半导体器件的调节质量高、动作快、调整方便、造价低、噪音低和维护方便等优点，它也应用于越来越多的领域。在电力系统中，电力半导体器件的应用就更加普遍。本只是对电力半导体器件SCR在电力系统励磁调节中的三相桥式全控整流电路上的应用进行分析。     

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

 4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件，凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用，器件的可靠性问题成为新的研究热点。综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展，通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究，分析了器件性能退化机制。通过重复雪崩可靠性问题的研究，提出了一种可有效提升器件抗重复雪崩能力的终端方案。     

高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系

利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 ,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系     

慢降温工艺的最佳降温率

半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降温率应随温度之下降而放慢。     

预形变量对再结晶晶界反常硼偏聚的影响

用二次压缩方法测定了含硼面心Ｆｅ－３０％Ｎｉ合金１０００℃热变形１０％和４０％后保温时的软化率曲线，并由此估计了再结晶过程。用径迹照相方法（ＰＴＡ）研究了再结晶过程中运动晶界反常偏聚规律以及形变量对反常硼偏聚的影响。用定量统计方法测量了不同形变量下，运动晶界的硼偏聚量。结果表明，新晶粒长大过程中，晶界反常偏聚量与形变量、晶界运动速度等因素有关，并用半定量的方法估算了不同形变量下，再结晶新晶粒长大过     

半导体器件高功率微波毁伤阈值实验

本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值。介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析。     

半导体器件原理及特性教学探讨

模拟电子电路的核心原件是半导体器件，因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识，通常感觉生僻难懂、学习吃力，对以后器件的应用更是无法得心应手。本文主要介绍作者对这部分内容的教学心得，力主由简到繁，并把半导体器件知识串接起来，让学生便于理解与识记。     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Fortran与Matlab两种计算，指出利用Matlab可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。