介绍燃烧法合成纳米红色荧光粉实验

本文介绍了在中学的实验室条件下可以合成的Y2O3:Eu3 纳米红色荧光粉实验,叙述了合成方法及原理,分析了实验特点,提出了教学建议。     

Y2O3：Eu发光材料的快速合成及表征

在硝酸钇和硝酸铕的混合溶液中加入尿素，于较低炉温下快速合成了Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ的红色发光材料，测定了它的发射光谱、Ｘ－射线衍射光谱、粒度分布曲线及比表面，并用扫描电镜观察它的形貌及用透射电镜摄取它的电子衍射图。结果表明：用该法制得的样品具有粒度分布均匀、不结团、亚超细等特征。     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺,在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉.用365nm紫外光激发,测试了样品的发光特性,其实验结果表明,SrS:Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x=0.620,y=0.375,余辉时间为3h.采用半导体平面工艺技术进行SiO_2包膜,改善了荧光粉的稳定性.     

高亮度低成本红色荧光粉的研制

改进了传统的制备钒磷酸钇铀荧光粉的方法,采用化学共沉淀法,制备出掺有新组份A12O3的红色荧光粉(YEu)(PV)O4.对所得样品的发射光谱进行了测试,并探索了制备红色荧光粉的最佳条件:激活剂Eu3 的浓度为4%,助溶剂的加入量以0.5%,Al2O3的掺入比例为8%,灼烧温度为1 250℃,时间为2 h.结果表明,所制备的荧光粉发光强度有所提高,同时由于稀土含量的相对减少,降低了成本,有利于扩大推广应用.     

草酸沉淀法制备不球磨红色荧光粉Y2O3：Eu^3＋工艺研究

报道了草酸作为沉淀剂并添加表面活性剂合成了不球磨Y2O3：Eu^3 的方法,其D50＝0．53μm。粉体细且分布均匀。与微米晶比较该纳米晶的发射光谱光谱发生明显蓝移,色座标符合荧光粉要求。     

共沉淀法合成CaMoO4:Eu3+0.18,B3+0.1红色荧光粉

采用共沉淀法制备了Eu3+、B3+共掺杂的白光LED用CaMoO4红色荧光粉,研究了不同Eu3+和B3+掺杂量对样品发光性能的影响.利用XRD和PL分别对样品的结构和发光性能进行了表征,结果表明:900℃灼烧3 h后得到CaMoO4纯相;荧光发射强度随Eu3+掺杂量的增加先增大后减小,在Eu3+掺杂量为0.18(物质的量分数)时达到最大值;随着B3+掺杂量的增加,CaMoO4:Eu3+0.18,B3+x的荧光发射强度逐渐增强,当B3+的掺杂量超过0.1时,样品的颗粒发生严重团聚.     

蓝绿色荧光粉的合成研究

合成了发射光峰值为４８７ｎｍ的蓝绿色荧光粉，研究了以某种碱土金属离子置换铝酸锶中的锶离子的效果。考察了助熔剂的种类和用量以及添加少量磷对制得的荧光体的发光亮度的影响。发现作为原料的薄水铝石的预先热处理温度不同对所得荧光体的发光亮度有显著影响。进行了ＸＲＤ分析，光通维持性和稳定性测试。     

稀土硼酸盐黄色荧光粉的合成

合成了一种稀土硼酸盐黄色荧光粉，研究了它的发光强度随组成的变化规律，讨论了影响荧光粉发光亮度的各种因素，其中稀土原料的纯度对荧光粉的发光亮度有很大影响。测定了荧光粉的结构，发射光谱和激发光谱，考察了应用性能，结果表明，它符合灯用荧光粉的各项指标要求。     

尿素水解法合成细粒径高亮度Y2O3：Eu红色荧光粉

采用尿素均相沉淀法合成超细Y2O3：Eu红色荧光粉，用各种方法对其中间物和最终产物进行表征，讨论了合成条件对Y2O3：Eu粒径、发光性能的关系，观察到均相沉淀法合成的Y2O3：Eu比常规固相反应法合成的Y2O3：Eu激活剂Eu^3 的临界浓度高得多，获得了平均粒径小于1μm，发光亮度与现商用品(d50=5．5μm)相当的亚微米级Y2O3：Eu红色荧光粉。     

红色荧光粉NaLa_4(SiO_4)_3F:Eu~(3+)的合成条件探讨

利用高温固相法合成NaLa4(SiO2)3F:Eu3+红色荧光粉,用X射线粉末衍射仪、扫描电镜和荧光分光光度计对荧光粉进行结构和性能表征,研究NaF用量、反应时间以及反应温度等条件对NaLa4(SiO4)3F:Eu3+发光性能的影响。结果表明,在395nm激发下荧光粉中的Eu3+离子主要发射5 D0→7F2(616nm)和5 D0→7 F1(590nm)跃迁;检测波长为615nm时,激发光谱由一个宽吸收带和若干吸收峰组成,其中在270nm附近的宽峰吸收带和394nm处的吸收峰最强,前者归属于O2--Eu3+离子间的电荷迁移吸收,后者归属于Eu3+离子的7 F0→5 L6跃迁吸收。NaF用量、反应时间以及反应温度对荧光粉的发光性能有一定的影响。     

燃烧法快速合成铝酸锶：铕及其发光性能

利用燃烧法在较低温度下按化学计量快速合成发光材料ｎＳｒＯ．７Ａｌ２Ｏ３：Ｅｕ＾２＋。讨论了Ｓｒ＾２＋含量，助熔剂浓度及磷含量对磷兴体发光性能的影响，并测定了４ＳｒＯ．７Ａｌ２Ｏ３：Ｅｕ＾２＋的发射光谱，激发光谱，Ｘ－射线衍射光谱，粒度分布及比表面积。     

燃烧合成纳米硫氧化钇红色长余辉材料

研究了不同柠檬酸用量燃烧合成纳米红色长余辉材料Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行了表征.结果表明,燃烧产物主晶相为六角晶系的Y2O2S;柠檬酸用量为Y3+物质的量的1.4倍时,发光亮度最高,其在617、626 nm处有强烈的红色发射.     

氧化钇:铕荧光材料的合成

本文通过对 Y_2O_3:Eu 荧光材料的合成,了解发光材料的一般概念和特点,明确制备发光材料的一般原理和方法,掌握制备 Y_2O_3:Eu 的方法和要点.     

红色荧光粉Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的制备及发光性能

采用高温固相反应成功地制备出Mn~(4+)激活的Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)红色荧光粉,并对它的结构及发光性能进行了测试表征.实验结果表明:合成的样品能被270~570 nm的紫外光和蓝光有效地激发,产生很强的红光发射.样品的主发射峰位于660 nm左右,这对应于Mn~(4+)的2E2→4A2跃迁.通过Mn~(4+)掺杂浓度的调控,优化了Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的发光性能.最后将优化后的Mg_2TiO_4∶0.002 5Mn~(4+)荧光粉和YAG涂覆于~465 nm发射的Ga N芯片上,制作成暖白光发光二极管(LED).该LED器件表现出很强的暖白光发射.     

Pr3+掺杂Sr2LaTaO6红色荧光粉的合成和发光性能分析

寻找能应用于白光LED的红色荧光粉,以稀土氧化物为原料,采用高温固相法制备Pr3+掺杂Sr2LaTaO6系列红色荧光粉,再通过XRD、SEM及荧光光谱仪等仪器对样品的物相结构、形貌特征、荧光特性、衰减寿命和荧光热猝灭等性能进行实验分析。结果表明:样品物相纯正、结晶度好,Pr3+的掺杂没有改变基质的晶体结构;样品可以被蓝光有效激发,发出色坐标为（0663 0,0336 6）的红光;Pr3+的最佳掺杂浓度（摩尔分数）为01%,随着Pr3+掺杂浓度（摩尔分数）不断高于该浓度,其荧光强度和衰减寿命都会递减;样品在室温到400 K这一温度范围内热稳定性良好。表明Pr3+掺杂的Sr2LaTaO6红色荧光粉有望应用于白光LED。     

硫氰酸亚铕的合成及性质研究

本文作者合成出游离固体的硫氰酸亚铕,用化学组成分析、红外光谱和热分析等方法,确证其分子式为Eu(SCN)_2·2H_2O.     

Eu3+掺杂钨酸钇体系荧光粉的制备及发光性能分析

氧化钇(Y2O3)、 氧化铕(Eu2O3)与三氧化钨(WO3)为原材料,通过调整Y2O3(Eu2O3)与WO3的摩尔比例,采用高温固相法制备钨酸钇体系红色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)等表征分析样品的晶相结构、形貌尺寸和光致发光性质。研究结果表明:当Y2O3与WO3的摩尔比例为1∶1和1∶3时,可分别合成纯相的Y2WO6:Eu3+红色荧光粉和Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;该系列红色荧光粉可被近紫外光和蓝光有效激发,发射峰值位于615 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉的相对发光强度明显优于Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉Eu3+的最佳掺杂浓度(摩尔分数)为5%。     

湿化学方法制备Gd2O3:Eu3+红色荧光粉

利用常用的3种湿化学方法(溶胶-凝胶法、共沉淀法和水热法),分别制备了Gd2O3∶Eu3+红色荧光粉体,并对它们的结构、形貌以及发光性能进行了分析和比较.XRD分析表明,3种湿化学方法制备的Gd2O3∶Eu3+粉体均属立方晶系.荧光光谱分析表明,3种湿化学方法所制备的荧光粉体的最强激发峰都位于256 nm附近,最强发射...     

暖白光发光二极管用红色荧光粉K2TiF6∶Mn4+的绿色合成

Mn⁴⁺掺杂的氟化物荧光粉具有宽带吸收、窄带红光发射、合成工艺简单等特点,在照明及显示领域受到极大关注,但其制备需要用到强腐蚀性的氢氟酸。本研究采用共沉淀法,分别以盐酸、硝酸、磷酸、醋酸替代氢氟酸制备了K₂TiF₆∶Mn⁴⁺荧光粉,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪等对荧光粉的结构、形貌、性能进行表征。结果表明：酸性越强,荧光粉的结晶越好、形貌越完整、发光强度也越高,用强酸制备的样品与用氢氟酸制备的样品发光强度接近。将荧光粉用于制备白光发光二极管(light-emitting diode, LED)器件并进行光色性能的测试,结果表明：红色荧光粉的加入,能显著降低色温、提高显色指数;强酸样品的LED器件与氢氟酸样品的LED器件性能相当。