不同能量Kr原子与同位素分子H_2(D_2,T_2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Kr与H2及其同位素D2,T2″替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响。     

氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面的理论计算

用Tang -Toennies势模型和公认精确度较高的密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2 及其同位素D2 、T2 替代碰撞体系的转动激发碰撞截面 .通过分析Ne H2 、D2 、T2 各碰撞体系分波截面的差异 ,总结出在H2 分子的对称同位素替代情形下Ne H2 (D2 、T2 )碰撞体系分波截面的变化规律 .结果表明 ,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响 .     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T.T(Tang-Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原子的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe-D2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原子与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.     

低能惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面理论的研究

用密耦计算方法及Tang-Toennies势模型计算了E=0.05eV时,He、Ne、Ar、Kr、Xe与H2(D2、T2)碰撞体系的分波截面,从而得到了H2分子及其对称同位素替代情形下整簇惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T．T（Tang—Toennies）势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0．05eV,0．15eV,0．25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律．结果表明：对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化．     

3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究

用密耦近似（Close—Coupling）方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0．50eV情况下,氦原子的两种同位素（^3He、^4He）与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面．通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律．结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响．     

氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞微分截面的理论研究

用公认精确度较高的密耦近似方法和Tang-Toennies势模型计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的转动激发碰撞截面。通过分析Ne-H2、D2、T2各碰撞体系微分截面的差异，总结出在心分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)碰撞体系微分截面的变化规律。结果表明，体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的微分截面带来不同程度的影响。     

惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞微分截面研究

用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化.     

He-H2(D2,T2)碰撞(E=0.2eV)分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势函数研究了He-H2(D2，T2)碰撞体系，用量子力学研究上述体系的弹性和非弹性转动激发，当入射原子能量E=0．2eV时，采用密耦方法计算了分波截面。     

He-N2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。     

氦-氢分子相互作用势对He-H2碰撞激发截面的影响

使用Tang-Toenn ies势模型的两种形式通过密耦近似方法计算了惰性气体He与H2碰撞的弹性和转动激发散射截面及微分散射截面,原子入射能量分别为0.05 eV~0.65 eV,对计算结果进行分析比较。     

Ne原子与H2、D2、T2分子碰撞微分散射截面的研究

本文使用Hariharan计算的短程自洽场排斥势数据,拟合了Tang-Toennies势模型中排斥势参数,用该模型和密耦近似(Close-Coupling)方法计算了惰性气体原子Ne与H2、D2、T2分子在碰撞能量为83.8 meV时的微分散射截面, 并与实验值和文献值进行了比较.本文计算的微分散射截面值与实验值和文献值均符合得较好.使用同样的方法,本文还计算了碰撞能量在95 meV、155 meV时Ne-H2、Ne-D2、Ne-T2三个体系的微分截面,得出了三个体系的微分散射截面随碰撞能量的变化规律.     

惰性气体原子与氘分子碰撞微分散射截面的计算

对惰性气体原子与氘分子系统建立T-T势能模型,并采用密耦近似方法,计算了原子入射能量分别为0.05、0.10、0.15、0.20、0.25eV情况下,系统00-00弹性碰撞微分截面及00-02转动激发微分截面.通过对计算结果的分析得到了弹性及非弹性碰撞微分散射截面随角度的变化规律以及入射原子能量和系统约化质量对微分截面的影响.     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

氖原子与氢的非对称同位素替代分子碰撞转动激发研究

采用Tang Toennies势模型,考虑到非对称同位素替代的质心偏移量对势函数的影响,当入射氖原子的能量分别为0 05eV,0 15eV,0 25eV时,用密耦方程计算氖原子与氢的非对称替代分子HD碰撞的微分截面.     

低能(e,2e)反应中的碰撞机制

以入射能量为64.6eV、能量均分、共面不对称几何条件下He原子电子碰撞电离过程为例 ,分析低能(e,2e)反应中的碰撞机制和交换效应 ,在回顾了中高入射能量下两种传统的碰撞机制的基础上提出了两种新的碰撞机制 ,从而成功地解释了三重微分截面的结构 ,特别是binary 峰和recoil峰的位置     

等离子体环境中正电子与氦原子碰撞电子偶素形成过程理论

正负电子偶素(Positronium, Ps)的形成是正电子-原子碰撞过程中独有的物理过程。为了探究正电子与氦原子散射过程中正负电子偶素形成的问题,应用屏蔽近似模型下的光学势理论方法研究了等离子体环境中正电子-氦原子碰撞的电子偶素形成过程,计算了0～100 eV入射能量区域内总的正负电子偶素形成截面(1s+2s)。在计算等离子体环境中靶原子体系的能级及波函数时,应用屏蔽的氦原子模型势描述了屏蔽效应对粒子间相互作用的影响。电子偶素形成截面计算结果与已有的其他理论、实验结果对比并进行了分析。验证了在中低入射能量下,屏蔽模型下的光学势理论方法对于处理正电子-氦原子散射问题具有有效性。     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

初道屏蔽效应对低能电子碰撞H(e,2e)反应的影响

考虑初道屏蔽效应,研究了低能电子碰撞H(e,2e)的反应过程.计算了共面非对称几何条件下能量为27.2 eV的入射电子碰撞H(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),将其计算结果与3C、DS3C和CDS3C模型所得结果及实验数据进行了比较,结果表明CDS3C模型能对上述碰撞过程成功描述,改善了与实验结果的符合程度.     

德拜势下正电子与碱金属原子(Na、K、Rb、Cs)碰撞的电子偶素形成过程

应用光学势方法研究了德拜等离子体环境下,能量在2～60 eV正电子与碱金属原子碰撞过程中的电子偶素(Ps)形成.通过碱金属原子的模型势对其进行德拜等离子体环境下的修正来描述靶原子体系的波函数,由Debye-Hückel势描述粒子间(电子与原子实之间)的相互作用.计算了不同屏蔽因子下的电子偶素形成截面,研究了屏蔽库仑势对...