三种不同类型矿床黄铁矿浮选行为的比较

本文是“不同类型矿床黄铁矿的晶体特性与可浮性的关系”这一研究课题的一部分。作者探讨了产自三个不同类型矿床黄铁矿在各种调整剂存在时的浮选行为。无沫浮选试验研究表明,在正常的丁黄药浓度下,各种黄铁矿的可浮性存在着差异,它们分别受NaOH、FeSO_4、CaO影响所显示的可浮性大小顺序是一致的。本文初步认为,各种黄铁矿可浮性的这些差别是矿物晶体的半导性对矿物表面形成双黄药的电化学过程动力学影响所致。     

氰化脆硫锑铅矿和磁黄铁矿选择性分离

为了更好地分选磁黄铁矿和脆硫锑铅矿,研究了磁黄铁矿和脆硫锑铅矿在乙黄药体系下的浮选行为,并选用氰化钾做调整剂进行选择性分离浮选试验,通过红外光谱测定矿物表面与药剂的吸附产物.研究结果表明:在pH值为2～11时,磁黄铁矿和脆硫锑铅矿二者浮选行为相似,均有良好的可浮性;氰化钾可以很好地分离脆硫锑铅矿和磁黄铁矿;氰化钾在脆硫锑铅矿表面未发生吸附,而在磁黄铁矿表面发生吸附,生成铁氰配合物,从而抑制了磁黄铁矿的上浮.     

黄铁矿电化学浮选研究

研究了黄铁矿自诱导浮选行为及黄药条件下黄铁矿电化学浮选的电化学行为。研究结果表明在一定矿浆电位条件下,黄铁矿表面被氧化生成疏水的元素S^0,从而产生自诱导浮选。在合适的电位下,黄药能在黄铁矿表面氧化生成双黄药,电位地视则导致黄铁矿表面氧化生成Fe(OH)3和SO4^2-,降低矿物可浮性。     

碳酸根对蛇纹石/黄铁矿浮选体系的分散作用机理

通过浮选实验、沉降实验、红外光谱测试和溶液化学理论计算,考察碳酸根在蛇纹石/黄铁矿浮选体系中的分散作用,研究碳酸根的分散作用机理。研究结果表明:蛇纹石颗粒可通过异相凝聚作用吸附在黄铁矿表面,改变黄铁矿的表面性质,影响黄铁矿的浮选;碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸铵这3种能够在溶液中水解生成碳酸根的调整剂能分散蛇纹石与黄铁矿混合矿,恢复被蛇纹石抑制的黄铁矿的可浮性。研究结果表明:在这3种碳酸盐能够分散蛇纹石与黄铁矿混合矿的pH区间,碳酸根主要以CO_3~(2-)形式存在,这3种碳酸盐在溶液中水解生成的CO_3~(2-)体积分数越高,对混合矿的分散作用效果越好;蛇纹石通过静电作用吸附在黄铁矿表面影响其浮选,碳酸盐调整剂水解生成的荷负电的CO_3~(2-)能够吸附在蛇纹石表面,改变蛇纹石表面电性,从而对蛇纹石与黄铁矿混合矿起到分散作用,减弱蛇纹石对黄铁矿的抑制作用。     

钼铋铁硫化矿浮选分离流程的设计和试验

根据辉钼矿、辉铋矿和黄铁矿的基本可浮性之差异(包括中性油天然可浮性,黄药诱导可浮性和硫化钠诱导可浮性),设计了四种不同的原则流程来浮选和分离湖南某多金属矿石中的钼、铋、铁硫化矿物。这四种原则流程分别为:捕收剂诱导全浮选;钼铋中性油天然等可浮;钼中性油优先浮选;及硫硫化钠诱导优先浮选。小型粗选试验结果表明,设计的四种原则流程均可行,但以黄铁矿硫化钠诱导优先浮选流程的指标最高。这是一种新的浮选分离工艺,具有独创性。     

钠长石在蛇纹石与镍黄铁矿浮选分离中的作用

针对蛇纹石易与镍黄铁矿形成异质凝聚而影响其浮选分离的问题，提出添加钠长石改善镍黄铁矿和蛇纹石浮选分离效果并研究钠长石的影响机制.单矿物及人工混合矿浮选试验结果表明，添加钠长石后镍黄铁矿的浮选回收率可从44%提高至81%,表明钠长石的添加削弱了蛇纹石与镍黄铁矿之间的异质凝聚，并增强了镍黄铁矿的可浮性.浊度测量、Zeta电位测试、SEM-EDS测试、吸附量测试以及DLVO理论计算结果表明，钠长石在特定pH条件下荷强负电，且负电性强于镍黄铁矿，更易与荷正电的蛇纹石颗粒通过静电引力形成异质凝聚，从而减弱了蛇纹石在镍黄铁矿表面的黏附，改善了镍黄铁矿的可浮性，使镍黄铁矿可浮性得以提升、回收率大幅提高，进而实现其与蛇纹石的有效分离.     

方铅矿与黄铁矿浮选分离的矿浆电化学研究Ⅲ．方铅矿与黄铁矿混合精矿的浮选分离

以丁基黄药为捕收剂的方铅矿与黄铁矿混合精矿体系，按照电位与可浮性的关系，两矿物在还原性矿浆电位浮选分离的电位差在热力学上仅为５０ｍＶ，而在动力学上达到了２０７ｍＶ。采用接触角测定、单矿物浮选、混合矿分离等方法，可以证实依据方铅矿表面丁基黄原酸铅和黄铁矿表面丁基双黄药的电化学还原动力学性质的差异，实现方铅矿与黄铁矿混合精矿的电化学浮选分离。     

用新型有机抑制剂选择性浮选分离铁闪锌矿与毒砂

通过浮选试验研究铁闪锌矿和毒砂在丁黄药作用下的浮选行为，以及Cu^2＋和有机抑制剂PALA对它们可浮性的影响。研究结果表明：用丁黄药作捕收剂，铁闪锌矿和毒砂在酸性条件下有良好的可浮性，在碱性条件下可浮性显著降低；经过Cu^2＋活化作用后，铁闪锌矿被强烈活化从而具有良好的可浮性，同时毒砂也受到不同程度的活化，铁闪锌矿与毒砂的可浮性差异仍然较小，达不到浮选分离的目的；有机抑制剂PALA对经过Cu^2＋活化后的2种单矿物表现出选择性的抑制作用，能有效地抑制毒砂的浮选而不影响铁闪锌矿的可浮性，可实现2种矿物的选择性分离；红外光谱分析表明PALA分子中有-COO^-和O=C—NH2等多种官能团，PALA与丁黄药存在竞争吸附；由于PALA携带众多的亲水基团，使得毒砂表面亲水，进而抑制毒砂的浮选；PALA在铁闪锌矿表面的吸附很弱，经过Cu^2＋活化后铁闪锌矿表面明显吸附捕收剂而不吸附PALA，因此，铁闪锌矿具有较好的可浮性。     

氧化亚铁硫杆菌抑制黄铁矿可浮性作用机理

通过对氧化亚铁硫杆菌吸附前后黄铁矿Zeta电位和表面接触角的测定,研究了其表面电性和润湿性变化,探讨了氧化亚铁硫杆菌抑制黄铁矿可浮性的作用机理.结果表明,氧化亚铁硫杆菌作用后,黄铁矿的表面电性发生明显变化,等电点pH值降低,表面润湿性变化不明显;氧化亚铁硫杆菌吸附对黄铁矿可浮性的抑制作用不是来源于增强黄铁矿表面的亲水性,而是由于减少了浮选捕收剂在黄铁矿表面的吸附,静电作用和空间位阻效应是导致黄铁矿可浮性受到抑制的重要原因.     

共铁矿低碱介质高效有机抑制剂的选择及其机理研究

考察了几种有机药剂CMC、单宁酸、EDTA1、腐殖酸钠对黄铁矿与黄铜矿浮选行为的影响,研究发现：这些药剂对黄铜矿的浮选行为影响不大,但对黄铁矿浮选行为的影响各不相同,EDTA对黄铁矿的抑制作用不明显;CMC和要酸对黄铁矿的抑制作用与矿浆pH值有关;腐殖酸钠在较宽的pH值范围表现出对黄铁矿优异的抑制性能。对腐殖酸钠的进一步研究表明：当矿浆中有Ca^2 存在时,可强化腐酸钠对黄铁矿的抑制作用,而不影响黄铜矿的可浮性。并从矿物接触角与矿表黄药吸附量的变化角度分析了黄铁矿受抑制的机理。     

半导体致冷材料热传导率的测量

本文提出测量半导体致冷材料热传导率k的一种简便而实用的方法。利用G_e晶体管芯在吸收电功率P_c后,转换为热量Q.使结温上升。因此可把G_e管芯作为测试用的热源,同时,利用管芯的V_(BE)——T特性在较宽的温度范围内近似线性的特点,可以较方便、准确地测出热源的温度,进而得出材料的热传导率。这种测试方法所需装置较简单,操作较方便,重复性较好,具有一定的测量精度,适宜研制或生产材料过程的常规测量。     

主动锁模半导体激光器腔内光脉冲幅度的变化

用速率方程讨论主动锁模半导体激光器,考虑了光脉冲的传输效应和各光学元件对光脉冲的影响.根据泵浦信号每一周期后系统状态应重现这一条件,得到了短光脉冲幅度在腔内随位置的变化,并进而求出输出功率及系统的其他一些重要参量.     

一类半导体方程稳态解的存在性

考虑稳态半导体方程的混合边值问题，利用逼近过程、拟单调方法和验估计，得到了该问题弱解的存在性。     

激光溅射方法合成半导体纳米线

介绍了激光溅射方法合成半导体纳米线的原理、生长机理(包括金属辅助生长机理和氧化物辅助生长机理)以及影响纳米线直径和长度的因素。     

a-St:H FET特性的研究

本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑到漏源电压对沟道表面势的影响,采用简便的方法和合理的近似推导出了较全面反映a-Si:H FET特性的解析表达式。同时在实验中,研制了用SiO_2或Si_3N_4作为栅绝缘层的a-Si:H FET,测量得到了不同绝缘层和不同沟道长度的各a-Si:H FET的直流特性。当栅压变化20V时,漏源电流可以变化10~4。最后,对理论计算及实验结果进行了分析和比较。     

半导体管温度传感器的研究

根据半导体三极管的热敏特性，研制了温度传感器，对其测温原理和电路设计进行了理论及应用的讨论，并将其用于高温脱毒工艺中的温度监控．     

退火对p 型GaP 和p 型AlGaInP载流子浓度的影响

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.     

生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响

采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征．研究表明，GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大．在高温GaN生长初期，适当延长GaN的三维生长时间，能明显改善GaN薄膜的结晶性能，降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度，使GaN质量明显提高．     

半导体掺杂分布精细结构的测量技术研究

论述了一种采用数控精细扫描电压源的电容－电压（Ｃ－Ｖ）测量系统，利用该系统可以测量硅及砷化镓样品表面层的掺杂分布的精细结构，为半导体器件和集成电路芯片的设计与制造工艺的优化提供可靠的依据，测试系统采用ＰＣ微机作为主控机，配以接口模块，数据采集模块，控制模块及电容仪等，可使测量快速，准确地进行，并可使复杂的操作与计算过程完全自动化。     

电子辐照硅的缺陷退火特性及少子寿命控制

本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3.