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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
(K_(0.1)Na_(0.1)Sr_(0.54)Ba_(0.36)Nb_2O_6晶体属4mm 点群,有三个电光系数γ_(33)γ_(13)=γ_(23),γ_(51)=γ_(42)和三个压电系数 d_(33),d_(31)=d_(32),d_(15)=d_(24).对6328(?)波长,折射率 n_0=2.307,n_(?)=2.249.我们加工了一块 X×Y×Z=5.08×4.88×6.55mm~3的长方体样品用来测量 d_(33),d_(31)和γ_(33),γ_(23).又加工了另一块 YZw45°切的样品用来测量 d_(15)和γ_(51)尺寸为4.46×6.70×5.10mm~3.用干涉法测量晶体的压电系数,在 X×Y×Z 长方体样品的 Z 方向加电场,应变方向  相似文献   

3.
采用EHT近似下的紧束缚能带结构方法,从能带结构、态密度和电荷分布等方面研究了Tl_2Ba_2CuO_6,Tl_2Ba_2CaCu_2O_8和Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)超导体系的电子结构.从2-2-0-1,2-2-1-2到2-2-2-3相,费米能级附近的态密度及穿过费米面的能带数目相应增加.解释了随着单胞中Cu-O面数目的增加,超导转变温度升高的原因.  相似文献   

4.
作者用固相烧结方法合成了具有充满型钨青铜结构的Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷.不同频率下Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷介电常数随温度的变化的规律表明,这两种陶瓷的铁电-顺电相变具有明显的驰豫铁电相变特征,相变弥散指数分别为1.95与1.41.它们在1MHz时的居里温度分别为155℃和160℃,两者的居里温度十分相近.同时,对其介电性能的电场可调性进行了初步研究.当外加电场为2kV/cm、频率为10kHz时,Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30陶瓷在铁电-顺电转变温度附近的最大介电常数可调度为2.8%和0.3%.  相似文献   

5.
本文报告了f=1KHz到1GHz范围内Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6(CdSBN)单晶的新鲜样品,和经交变电场处理后样品的介电谱.实验表明,低频介电弛豫经强交变电场处理后而消失,同时交流电导率也降低.在施加偏置电场后,其介电常数出现极大值的温度T_m向高温方向移动,这可用场致相变加以解释.同时也说明该晶体属于二级相变的特性.又在实验所加的偏置电场范围内,晶体相变的弥散性不产生影响.  相似文献   

6.
用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62%)和高c轴取向(α(100)=96%)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μC/cm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.  相似文献   

7.
在500Hz 至13MHz 的频率范围内,测量了Cd_(0.03)Sr_(0.485) Ba_(0.485)Nb_2O_6晶体的新鲜试样以及经过强交流电场处理的试样的介电谱。结果表明,新鲜晶体试样中存在低频弛豫机构,经过强的交流电场处理后这一弛豫机构消失,而且晶体的交流电导率也降低一个数量级。我们还研究了偏置电场对介电常数温度依赖性的影响,发现偏置电场使介电常数呈现极大渔的温度Tm向高温方向移动,而且使Tm附近介电常数的值减小。前者可由扬致相变加以解释,后者表示此晶体的铁电-顺电相变可能是二级的。另外,实验结果表明,在本工作的测试范围内,偏置电场对本晶体相变的弥散性没有影响。  相似文献   

8.
用传统的固相烧结工艺制备了Sr2-xCaxBi4Ti5O18(x=0~2.0),Sr2Bi4Ti5O18和Sr2-xBaxBi4Ti5O18(x=0~2.0)陶瓷样品.掺杂Ca使晶格常数变小,而Ba占据A位使晶格常数变大.Sr2Bi4Ti5O18具有良好的铁电性能,其剩余极化值(2Pr)约为20.3μC/cm2,小量掺杂Ca可小幅度地提高样品的铁电性能,但Ca完全取代Sr后使样品的铁电性能消失.Sr2-xBaxBi4Ti5O18样品的2Pr随着x的增大而减小,BaBi4Ti5O18样品2Pr在常温下仅为0.3μC/cm2.Sr2-xCaxBi4Ti5O18的相变温度(Tc)随着x的增大而升高,Sr2-xBaxBi4Ti5O18的Tc随着x的增大,先出现了下降后上升的变化过程,Sr1.25Ba0.75Bi4Ti5O18样品的介电结果表现出典型弛豫特征.  相似文献   

9.
对Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce3 ,Eu2 系列荧光粉进行合成与测试,探讨Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce3 ,Eu2 中Ce3和Eu2 之间的相互作用,初步判断Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce3 ,Eu2 中Ce3 →Eu2 的能量传递主要是电偶极-偶极相互作用的结果.  相似文献   

10.
采用固相反应法合成Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷,并对其结构、介电性能进行表征.研究结果表明,Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷为四方钨青铜结构单相,其在100℃附近存在一个明显的弥散介电峰,峰值随测试频率增加而减小,为典型的弛豫铁电相变.室温时,10kHz频率下,其介电常数约为450,介电损耗为0.121.  相似文献   

11.
为了改善α-Ni(OH)_2的高温性能,采用共沉淀法合成了α-Ni_(0.8)Co_(0.05)Al_(0.15)(OH)_(2.2-0.5y)(CO_3)_y·xH_2O并用XRD、FTIR、SEM和CT等进行表征。样品掺加了不同量的Y_2O_3后,作为正极材料制备MH/Ni模拟电池,在不同温度下用恒电流充放电、CV测定其电化学性能。结果表明:60℃时在0.2、1、5 C充放电下,掺加Y_2O_30.4%~1.2%能使α-Ni_(0.8)Co_(0.05)Al_(0.15)(OH)_(2.15-0.5y)(CO_3)_y·xH_2O的放电比容量分别提高24.4%、17.5%和20.5%,并改善了高温放电电位。  相似文献   

12.
通过M ssbauer谱对Sr2 FexMo2 -xO6 系列氧化物进行研究 ,结果表明该系列氧化物在室温下仍然存在磁有序 ,而且样品中Fe的化合价随着Fe含量x的增加而升高 ,当x =1 0时Fe的化合价处于 + 2与 + 3之间 ,从而验证了能带计算的结果 .  相似文献   

13.
首次合成了新型配位化合物(FeCp2)0.13[Ni(C3S5)(C3S7)],配体为具有12个S原子的杂戊烯,通过EA、ICP、IR、1HNMR、UV对这种化合物进行了表征,并通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究.结果表明,硫链增长及二茂铁阳离子的引入使配合物的宣温导电性能有了一定的改善.  相似文献   

14.
基于抗坏血酸还原Fe(Ⅲ)—1—(5—溴—2—吡啶偶氮)—2—萘酚—6—磺酸(简写为Fe(Ⅲ)—5—Br—PAN—S)为Fe(Ⅱ)—5—Br—PAN—S,建立了分光光度法测定抗坏血酸的方法。在pH5.0的NaH2PO4—Na2HPO4缓冲溶液中,Fe(Ⅱ)—5—Br—PAN—S络合物的最大吸收峰位于波长550nm和750nm处,在750nm处,抗坏血酸含量在0~2.4μg/mL时符合比耳定律.研究表明该方法操作简便、选择性较高,可用于药品、水果中抗坏血酸含量的测定。  相似文献   

15.
采用自洽场方法(HF)和密度泛函(DFT)的B3LYP方法,在6-31G^*水平下,研究了H6M4(N2H2)3(a—M=Al,b—M=Ga)簇合物的几何构型、电子结构、红外光谱及热力学性质.结果表明:N—N键比肼中N—N键长,有进一步裂解的趋势.振动频率计算表明:铝、镓的肼簇合物为基态稳定结构.  相似文献   

16.
论述从肉豆蔻香料中提取一种食品抗氧化剂—2′,6′-二羟基-9-(2,5-二羟苯基)辛基苯甲酮的方法。通过实验发现该化合物是一种高效的食品抗氧化剂,其抗氧化作用比合成的抗氧化剂更有效,其在肉豆蔻中含量比较丰富,有一定的提取价值  相似文献   

17.
肺心病急性发作期患者45例,分别用常规治疗加地奥心血康0.2日三次(25例)和常规治疗加安慰剂治疗(20例)20天,治疗组TXB_2显著降低(P相似文献   

18.
本文研究了新显色剂2,4-二溴-6-硝基苯基重氮氨基-4-苯基-2-噻唑(DB-o-NDAT)的合成及与把(II)的显色反应.在阳离子表面活性剂N-氯代十六烷基吡啶(CPC)存在下,于pH=6.0~8.0的KH2PO4-NaOH缓冲溶液中,把(II)与该试剂形成1:1的紫色配合物,其最大吸收峰位于600nm,摩尔吸光系数为5.3×104L·mol-1·Cm-1.钯(II)浓度在0~16μg/25ml范围内符合比尔定律,该试剂对钯的选择性良好,用于Pd-C催化剂及矿样中微量把(II)的测定,结果令人满意.  相似文献   

19.
以电化学及现场紫外可见近红外及现场红外光谱电化学方法对Dawson结构多阴离子簇As2 Mo18O6 -6 2在高氯酸酸化的乙腈溶液中的电还原过程进行了研究 ,结果表明 ,该多阴离子在质子介质中经历四步可逆的两电子还原反应 ,多阴离子簇的还原伴随着产物的质子化 ,质子化的位置在Mo—O—Mo桥键的桥氧上 ,由于质子化诱导极化作用使Mo =O双键还原后吸收峰蓝移且增强  相似文献   

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