强关联锰氧化物Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3的结构及磁基态研究

采用高温固相法合成Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3(x=0、0.025、0.05、0.75、0.10、0.15)单相多晶系列样品.室温XRD分析表明样品无杂峰,属于典型的O型正交结构;红外吸收光谱分析发现Ga的掺杂导致样品的MnO_6八面体结构发生了微小畸变;x=0样品热磁曲线(M-T)分析表明样品在低温下表现出自旋玻璃态,在T=276 K时出现电荷有序峰,在T=240 K出现AFM相变温度峰,当T=140 K时发现冻结温度T_f;磁化曲线(M-H)结果进一步证明2 K下样品自旋玻璃态,且电荷有序反铁磁成分中的关联作用比较弱.     

强关联锰氧化物Nd_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(0.85)Al_(0.15)O_3低温下磁性质的研究

选用高温固相反应法制备多晶样品Nd0.5Ca0.5Mn0.85Al0.15O3.通过XRD表明样品为单相正交的钙钛矿结构,空间群Pnma.通过物理性质测量系统对样品M-T,M-H性质进行测量,表明低温下样品呈相分离态,磁有序的冻结温度为32 K,铁磁团簇的自旋阻塞温度为4 K.2 K温度下有磁滞现象.     

Eu0.5Ca0.5Mn1-xCrxO3的制备、结构及其表征

通过固相反应法制备了Eu0.5 Ca0.5 Mn1-x CrxO3(x=0,0.025,0.05,0.075,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50)等一系列样品.室温下测得的不同样品的XRD图谱表明样品随Cr3+掺杂量的增加,主峰的位置无明显的偏移,晶胞体积呈现减小的趋势;在衍射图谱中无额外的杂峰...     

La(1-x)NdxNiO3(0≤x≤0.25)的制备及结构研究

采用柠檬酸盐法制备La(1-x)NdxNiO3前驱体样品．利用热分析仪(DTA—TG)对前驱体进行测试，结合X射线衍射(XRD)对不同温度烧结样品结构分析，结果表明，在750℃以上烧结得到了单相的La(1-x)NdxNiO3固溶体材料(0≤x≤0．25)，随着Nd掺杂比例x值的增大，材料的晶格发生变化，a轴收缩，c轴伸长，晶格畸变增大．     

非晶态Fe_(90-x)Co_xZr_(10)合金的磁化强度与温度的关系

用快速急冷方法制备了非晶态Fe_(90-x)Co_xZr_(10)(0 ≤x≤90)合金,研究了样品的磁化强度与温度的关系.实验结果得到,随Co含量x的增加,样品的居里温度增加,而晶化温度下降,样品的室温磁化强度σ(RT)在x=30时出现极大值,文中讨论了影响σ(RT)的因素.     

伽利略探测器中γ射线角分布及其稳定性研究

用串联式加速器系统将⁶Li³⁺束流加速到34 MeV后,轰击厚度为550μg/cm²的⁸⁹Y靶核上,该反应中γ射线的角分布可以通过伽利略高纯锗探测器阵列进行简单的研究。在该反应的剩余核⁹²Mo中选择不同跃迁阶的γ射线329 keV、110 keV、1 097 keV、2 064 keV,比较它们随探测器摆放角度增大而变化的强度。研究发现在四极跃迁(ΔI=2)时γ射线的相对强度随探测器摆放角度的增大而增大,在偶极跃迁(ΔI=1)时γ射线的相对强度随探测器摆放角度的增大而减小,且在误差允许范围内,同一跃迁阶(ΔI=1或ΔI=2)的γ射线强度比也较稳定。结果表明,当ΔI=2时,γ射线沿90°方向的强度较小;当ΔI=1时,γ射线沿90°方向的强度较大。这说明在不同极性下的γ射线强度与角分布有相当的关联性。之后在不同的运行数据下选择773 keV、1 509 keV 2条γ射线,比较其强度比可以看出,在不同的运行数据下它们之间的强度比基本保持不变,这也表明伽利略探测器阵列具有良好的效率稳...     

p(x)-Laplace方程组多重解的存在性

研究如下拟线性椭圆方程组边值问题:｛-ΔP1(x)u1 + u1| P1(x)-1u1 =λ(Fu1(x,u1,…,un)+μGu1(x,u1,…,un)) x∈Ω,-Δ2(x)u1 + u2|P2(x)-1u2 =λ(Fu2(x,u1,…,un) +μGu2(x,u1,…,un)) x∈Ω,-ΔPn(x)un + un| Pn(x)-1u =λ(Fun(x,u1,…,un)+μGun(x,u1,…,un)) x∈Ω,ui =0,(V)1≤i≤n x∈Ω(*)其中Δp(x)u=div(|▽u |p(x)-2▽u)为p(x)-Laplace算子,F和G:Ω×RN→R是满足一定条件的连续函数.在一定条件下,证明了存在一个开区间Λ(∈)[0,+∞)和一个实数q,使得对每一个λ∈Λ,所论问题至少有三个弱解.     

La掺杂对Bi_6Fe_(1.4)Co_(0.6)Ti_3O_(18)薄膜样品铁电性能影响研究

利用溶胶凝胶法制备了Bi_(6-x)La_xFe_(1.4)Co_(0.6)Ti_3O_(18)(0≤x≤1)多晶薄膜样品,系统研究了不同La掺杂量对Bi_6Fe_(1.4)Co_(0.6)Ti_3O_(18)样品的结构、形貌及铁电性能的影响.通过X射线衍射仪分析表明此掺杂化合物形成了具有正交晶系的单相,在掺杂范围内没有观察到第二相出现. SEM表面形貌图可以看出,随着La掺杂量的变化使薄膜颗粒大小地改变,进而将影响材料的性能.铁电测试显示所有的样品都具有良好地电滞回线,显示出良好的铁电性能.因此一定量的稀土元素的掺杂可以较好地改进材料的铁电性能.     

流体地层模型声测井波场的复极点分析

充流体裸眼井模型中的声场传播是声波测井技术的理论基础之一.对流体一流体模型裸眼井声场进行了数值模拟计算.采用牛顿迭代法求解了声场频散方程的根;通过对软地层和超软地层中各区域内计算结果的对比,发现根的实部随频率增大而增大,虚部随频率增大而减小;并且根的实部不会大于井内流体波数和井外纵波波数的最大值.     

Er_2Fe_(17-x)Si_x(x=0,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点分子场理论分析了合金 Er2 Fe17- x Six( x=0 ,1 ,2 )的饱和磁化强度随温度的变化关系 ,得到了分子场系数 n EE、n EF、n FF,计算了居里温度 ,给出了分子场强度 HEr( T)、HFe( T)随温度变化的曲线 .结果表明 ,当 x增加时 ,分子场系数 n FF明显增大 ,分子场强度 HFe( T)亦随之增大 ,而 HEr( T)在较低温区减小 ,在较高温区增大 ,并且 n FF的增大是居里温度提高的主要原因     

M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2(M=Na,K)长余辉发光材料的发光性能和机理探讨

采用高温固相法制备以缺陷为发光中心的淡蓝绿色长余辉发光材料M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2(M=Na,K)。XRD分析结果表明,M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2的主要衍射峰与α-Zn_3(PO_4)_2的值相吻合。Na_(0.08)Zn_(2.96)(PO_4)_2激发峰位于332 nm处,发射峰在420～550 nm,最大值位于460 nm处,目测余辉时间达4 h。通过热释光曲线表征分析陷阱数量并计算了陷阱深度,分析表明,Na~+掺杂可以增强Zn_3(PO_4)_2在低温处的氧空位缺陷浓度,改善材料的陷阱深度,从而使材料发光。     

新型掺铒碲酸盐玻璃的发光特性研究

采用高温熔融法制备了掺Er3 碲酸盐系列玻璃样品.测试了样品的吸收光谱、发射光谱.应用Judd-O felt理论拟合出了Er3 在各系列玻璃样品中的Judd-O felt强度参数(Ωλ(λ=2,4,6)),并用其数值分析了Er3 周围的结构特性.应用Mc-Cumber理论计算了Er3 4I13/2能级的受激发射截面(peδeak(λ)).利用测得的发射光谱计算了Er3 :4I13/2→4I15/2能级跃迁的荧光半高全宽(FWHM),结合peδeak(λ)值对玻璃宽带特性做出了表征,并比较了不同基质玻璃的宽带特性.     

Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2荧光粉的制备与发光性能

本文采用高温固相法制备了Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2荧光粉,对样品的相结构、微观形貌及荧光光谱等特性进行测试和表征。样品的相结构分析表明,样品具有良好四方相结构,无杂相生成。荧光光谱表明,Sm~(3+)离子激活的NaGd(MoO_4)_2粉体能被波长为405nm的光有效激发,表明制备的粉体能很好地与近紫外LED芯片匹配,在405nm近紫外光的照射下,主要的发射峰位于564、605、646nm处,其中位于646nm处的发射峰相对强度最大,归属于Sm~(3+)离子的4G5/2→6H9/2跃迁。     

不同原子比对固相反应制备方钴矿电学性质的影响

方钴矿(CoSb_3)是较为优秀的中温区热电材料之一,具有较好的应用前景。本研究采用高温固相反应法,在923 K、保温时间约30min的条件下,制备了钴锑不同原子比的方钴矿,考查了室温附近钴元素减小量对方钴矿的微观结构和电学性质变化影响。研究结果表明,当钴元素的减小量x≤0.5时,仍然可以合成单相的方钴矿,而当钴元素的减小量继续增大时,方钴矿的合成效果会急剧变差;样品Co_(4-x)Sb_(12)具有许多微气孔,随着钴元素的减小,样品的结晶度明显变差,微气孔的数量和尺寸也明显增多;样品Co_(3.9)Sb_(12)获得的最大Seebeck系数的最大绝对值为375μV/K,样品Co_(3.7)Sb_(12)最小电阻率为74 mΩ·cm,样品Co_(3.5)Sb_(12)获得的最大功率因子为77.7μW/(m·K~2)。     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉.     

Al_2O_3增强Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3基热电材料各向异性研究

通过熔炼、机械粉碎、球磨搅拌方法和热压方法制备Al_2O_3增强Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3基热电材料,通过SEM和XRD研究了由不同增强体和基体不同比例制备的热压块体材料的微观结构,在室温条件下测量了热压材料样品的电学性能.结果表明热压块体材料在微观结构和电学性能上存在各向异性.     

铁掺杂热电材料Ca_3Co_4O_(9+δ)的制备及其磁性研究

采用溶胶-凝胶的方法制备了热电材料Ca3Co4-xFexO9+δ(x=0~0.5)的粉体.研究了烧结温度及Fe掺杂含量对粉体微观结构的影响.X射线衍射(XRD)测试结果表明,热处理温度越高,样品的结晶度越好.但是,样品在升到一定温度后会分解.从样品的扫描电子显微(SEM)照片来看,材料的晶粒形状尺寸均匀.通过振动样品强磁计(VSM)测试样品磁性发现样品的磁性随着掺杂Fe的浓度增加而增强.     

Al掺杂纤锌矿GaN电子结构第一性原理计算

采用第一性原理方法,在LMTO-MBJ框架下精确的计算Ga N和Al N的电子结构,计算结果与实验值一致.应用CPA的方法计算任意量的Al掺杂Ga N合金的电子结构,理论计算表明,Ga N的带隙宽度随Al掺杂浓度x的增大而增大,而且满足关系式Eg=3.43+2.3x(0≤x≤0.65),Eg=2.45+3.7x(0.65≤x≤1).计算可为氮化物半导体Ga N、Al N及其三元合金化合物Ga1-xAlxN的实验研究提供理论依据.     

(0.94-y)Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3-yBiFeO_3陶瓷的制备与性能

利用传统工艺制备了(0.94-y)Na0.5Bi0.5Ti O3-0.06Ba Ti O3-y Bi Fe O3无铅压电陶瓷。研究了在Ba Ti O3定量的情况下,Bi Fe O3对陶瓷的热学性质、结构、介电性能及铁电性能的影响。实验结果表明,陶瓷粉料在700℃左右合成反应基本完成,得到了较适宜的烧结温度;所制备的陶瓷均为单一的钙钛矿结构;Bi Fe O3的掺杂量为0.02时,陶瓷样品的机电耦合系数Kp、机械品质因数Qm都取得最大值,此时介点损耗tanδ(10k Hz)也比较低。     

直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究

利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.