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相似文献
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1.
目的 可控制备氮掺杂WO3/W18O49分层纳米结构材料,并对其形成机制进行研究。方法 采用溶剂热法,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱等对氮掺杂WO3/W18O49分层纳米结构材料形貌结构及其生长机制进行研究。结果 通过调节HNO3的量、反应时间及WCl6浓度等条件有效调控制备多种形貌及结构不同的氮掺杂氧化钨纳米材料,并且发现不同形貌的氮掺杂氧化钨纳米材料的形成机制主要基于HNO3对奥斯特瓦尔德熟化机制和自组装过程的调控。结论 HNO3作为添加剂,对氧化钨的形貌及结构具有优异的调控作用,可实现对氮掺杂氧化钨分层纳米结构材料的成功制备。  相似文献   

2.
采用热丝化学气相沉积方法,优化金刚石薄膜制备工艺。通过改变甲烷浓度成功制备出厚度均匀的多层金刚石薄膜,实现了多种调制周期的金刚石薄膜制备,调制周期最小至100 nm。通过拉曼光谱和X射线衍射方法对单层以及多层金刚石薄膜进行应力分析,发现单层结构中,微米金刚石薄膜应力最大,随着金刚石晶粒尺寸的减小,薄膜应力减小;多层金刚石薄膜结构中,微米层与纳米层均匀交替生长,有效地降低了薄膜应力,有利于提高金刚石薄膜在应用中的稳定性。  相似文献   

3.
中子辐照对纳米金刚石颗粒的影响——Raman光谱分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用Raman光谱对经中子辐照处理的纳米金刚石微粉进行了分析,中子能量为0.5~10MeV,辐照剂量1016~1017 n·cm-2。中子辐照引起缺陷及应力使Raman峰发生宽化和红移。同时,在中子引入的能量的作用下,纳米金刚石中部分sp2杂化的石墨相转变为sp3杂化的金刚石相。  相似文献   

4.
介绍利用高温高压(HPHT)合成高质量金刚石单晶和化学气相沉积法(CVD)制备金刚石薄膜的设备、方法、工艺参数以及热丝CVD和微波等离子体CVD的优缺点;P型和N型金刚石掺杂研制现状.重点介绍N型金刚石掺杂的困难,氮、锂、钠、磷、硫等杂质的掺杂效果,共掺杂对于金刚石薄膜的影响,以及近年来P型和N型掺杂取得的成果.  相似文献   

5.
纳米金刚石的熔点和德拜特征温度   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了炸药爆轰法制备的纳米金刚石的熔点及德拜特征温度。根据纳米金刚石的X射线衍射强度,计算得出了其德拜特征温度为411.7K,比高温高压俣成大颗粒金刚石单晶的德拜特征温度(2200K)低了5倍多,且其原子晶格振动的振幅比高温高压合成大颗粒金刚石单晶原子的振幅增大了4.37倍,用Lindlman公式计算出纳米金刚石的熔点为2070K,约为高温高压合成出大颗粒金刚石单晶熔点(4400K)的一半。  相似文献   

6.
采用简易的一步水热法优化合成出不同Pt浓度掺杂的钙钛矿型ZnSnO3纳米立方体(ZSNCs),并利用XRD、SEM、TEM、EDS和XPS等表征手段对所制备材料的晶体结构、微观形貌、表面特性等进行了详细的分析表征。研究发现,所制备的Pt掺杂ZSNCs纳米立方体形貌均一,边长约为 400 nm,引入的Pt以PtO和PtO2的形式均匀负载在ZSNCs纳米立方体的表面上。以所获Pt掺杂ZSNCs纳米立方体为敏感材料制备出气敏元件,并详细研究了其气敏特性。结果表明,Pt掺杂可有效提升ZSNCs纳米立方体对NO2的敏感能力,当Pt掺杂浓度为1%(Pt/Zn摩尔比)时,ZSNCs纳米立方体对NO2具有最佳的气敏特性。在125℃的最佳工作温度下,1% Pt掺杂ZSNCs纳米立方体对500 ppb NO2的灵敏度为16,是未掺杂ZSNCs纳米立方体的11倍,且检测下限低于50 ppb,同时气敏元件也具有优异的稳定性和NO2选择性。结合结构表征和气敏特性测试结果,综合电子敏化和化学敏化效应阐述了Pt掺杂对ZnSnO3纳米立方体NO2敏感性能的增强机理,并建立了气敏反应模型。  相似文献   

7.
CuO掺杂纳米SnO2锂离子电池负极材料的合成与电化学性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
以SnCl4·5H2O、Cu(NO3)2·3H2O和NH3·H2O为原料,采用化学共沉淀法制备了CuO掺杂的纳米SnO2粉末.运用X射线衍射、扫描电镜等手段对合成粉末进行了表征.将合成粉末作为锂离子电池负极材料,研究了其充放电容量、循环性能和交流阻抗等电化学性能.结果表明:采用化学共沉淀法可以得到平均粒度为87 nm的CuO掺杂的纳米SnO2粉末;在SnO2中掺入CuO,并没有改变SnO2的结构,但能够有效抑制SnO2粒子的长大;CuO掺杂的纳米SnO2粉末的可逆容量可以达到752 mA·g-1,经60次循环后,CuO掺杂的纳米SnO2粉末的容量保持率分别为93.6%,优于纳米SnO2 (92.0%),掺杂CuO改善了纳米SnO2的循环性能.  相似文献   

8.
利用聚苯乙烯(polystyrene, PS)纳米球刻蚀结合水热生长的方法,制备周期有序δ-MnO2纳米阵列。利用磁控溅射MnO2靶材获得种子层,将PS纳米球通过自组装方法在MnO2种子层上形成单层密堆积结构来制备图案化模板,再通过反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)减小PS纳米球的尺寸,并利用磁控溅射SiO2靶材来覆盖PS纳米球间的间隙,去除衬底上的PS纳米球以得到周期有序的MnO2种子位点,用于后续水热生长。通过选取不同尺寸的PS纳米球,制备周期分别为800和500 nm的有序纳米阵列,利用透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)对其进行表征,并确认阵列中MnO2材料为δ相。研究结果为寻找低成本制备半导体材料有序纳米阵列提供了方法。  相似文献   

9.
用室内模拟培养实验考察纳米TiO2对土壤中硝态氮质量比及硝酸还原酶(nitrate reductase, NR)活性的影响. 结果表明: 纳米TiO2可降低土壤中硝态氮质量比和NR活性, 随着培养时间的增加, 降低程度呈先增加后降低的趋势; 在相同采样时间下, 纳米TiO2在不同土壤中硝态氮质量比和NR活性的降低程度为沙土>黑土>草炭土, 且降低程度随纳米TiO2添加量的增加而增加; 紫花苜蓿使纳米TiO2对土壤中硝态氮质量比和NR活性的降低程度减弱. 因此, 纳米TiO2可降低土壤反硝化作用强度和速率; 紫花苜蓿可降低纳米TiO2的生物毒性.  相似文献   

10.
分析铁镍触媒合成金刚石内部的包裹体成分及形成原因. 结果表明: 金刚石晶体中的包裹体主要以FeNi合金和Fe3C形式存在; 随着生长速度加快, 金刚石内部包裹体的点状分布逐渐增多; 在不同温度下, 进入金刚石晶体内部包裹体的方式不同; 随着包裹体的增多, 合成的金刚石晶体硬度降低. 通过调整合成工艺, 合成了包裹体含量极少、 粒度约为0.6~0.7 mm的金刚石单晶.  相似文献   

11.
基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,研究了Se与Te原子替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响.结果表明,WS2-MoS2纳米器件为间接带隙半导体,器件电流在[+0.7 V,+1.0 V]与[-1.0 V,-0.9 V]偏压范围内随着偏压的增大逐渐减小,呈现显著的负微分电阻效应;Se与Te原子对WS2-MoS2纳米器件进行替位掺杂后均呈现有趣的负微分电阻效应,器件两端电流的隧穿也显著改善;Se原子对WS2-MoS2纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体;Te原子对WS2-MoS2纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体甚至金属,且导电性能大幅提升.  相似文献   

12.
采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生.  相似文献   

13.
采用触媒渗氮方法, 用触媒Co(纯度99.99%)渗氮, 经不同酸洗时间后与SK2石墨合成, 获得人造金刚石晶体. 利用电子自旋共振(ESR)谱和摄谱方法研究氮杂质对人造金刚石性质的影响. 结果表明, 人造金刚石样品中顺磁氮占总氮体积分数的比例随总氮体积分数的增加而增大, 金刚石变脆, 抗压强度降低, 颜色由黄变绿.   相似文献   

14.
Bi2Te3基材料在室温附近具有良好的热电性能,通过掺杂和纳米技术可以提高Bi2Te3基热电材料的热电性能,其主要由热电优值(ZT)决定.本文通过水热法成功制备了具有纳米花形貌的LuxBi2-xTe3粉体,并对制备的纳米粉体分别进行XRD和SEM表征,讨论了Lu元素掺杂和乙二胺四乙酸(EDTA)用量对LuxBi2-xTe3纳米花粉体形貌的影响,结果表明:Lu元素掺杂不利于纳米花形貌的形成,而EDTA用量的合适选取对于纳米花形貌的形成起着至关重要的作用.接着采用热压法将LuxBi2-xTe3纳米花粉体压制成致密块体,讨论了Lu元素掺杂对LuxBi2-xTe3块体热电性能的影响,结果表明:Lu掺杂和纳米花形貌有利于提高样品的功率因子同时保持较低的热导率,从而可以达到较高的ZT值;Lu0.2Bi1.8Te3样品和Lu0.25Bi1.75Te3样品的ZT值均高于区域熔炼商用Bi2Te3块体的值,并且Lu0.25Bi1.75Te3样品的ZT值在测温范围内均高于1,其ZT值在473 K时达到了1.14,高于其他相关报道的n型块体的值.这一研究为提高Bi2Te3基合金热电材料的热电性能提供了一个新的途径.  相似文献   

15.
为了开展CVD金刚石生长面的浸润性研究,采用直流电弧等离体喷射技术,制备了纳米金刚石自支撑膜、微米金刚石自支撑膜以及毫米单晶金刚石.结果发现:对于相同的金刚石生长表面,接触角按甘油、饱和葡萄糖水溶液、饱和NaCl水溶液和蒸馏水的顺序逐渐增大,表明所制备金刚石的表面对各液体的浸润性逐渐变差;而对于同种滴液,接触角在不同的金刚石表面表现出不同的大小,说明不同的CVD金刚石对于同种液体具有不同的浸润性.而表面能的计算结果表明纳米金刚石自支撑膜生长面的表面能最高,其次是微米自支撑金刚石膜,而单晶金刚石的表面能最小.  相似文献   

16.
采用显微拉曼光谱仪对直径为25.4 mm、总厚度为3.2 mm的刀具用金刚石复合片(PDC)层表面和侧面不同位置的残余应力进行测试,获得PDC金刚石层表面径向及侧面的应力分布。然后,用电火花切掉PDC的硬质合金基体,再测定金刚石层表面的拉曼光谱,从而得出金刚石层的微观残余应力。研究结果表明:PDC表面中间部分的应力为压缩应力,最大值约600 MPa,从中心到边缘逐渐降低,在离边缘2 mm左右变为拉应力;边沿拉应力的产生是基体的厚度较小,PDC朝金刚石层方向弯曲造成的;金刚石层侧面的应力为拉应力,最大值达580 MPa,位置靠近PDC界面,这是PDC出现金刚石脱层的主要原因之一;实验测得的PDC微观应力为62.5 MPa。  相似文献   

17.
为了提高锌空气电池 (ZABs) 中阴极氧气还原反应 (ORR) 的效率,本文提出了一种吸附–络合–煅烧方法,在石墨烯纳米片上形成包含 Co、Co3O4 和 CoN 的多组分钴基纳米粒子及大量N掺杂原子,获得 Co/Co3O4/CoN/NG复合材料。尺寸小于50 nm的Co/Co3O4/CoN 纳米粒子均匀分散在 N 掺杂石墨烯 (NG) 基底上,极大地改善了ORR的电催化行为。测试结果表明,所制备材料催化ORR的半波电位高达0.80 V vs. RHE,极限电流密度为4.60 mA?cm?2,与市售的铂/碳 (Pt/C) 催化剂接近。作为ZABs的阴极催化剂,该电池的比容量和开路电压分别为 843.0 mAh?g?1和1.41 V。优异的性能归因于高度分散的Co/Co3O4/CoN纳米颗粒和掺杂氮原子提供了大量的催化活性位点,以及石墨烯二维结构提供了高表面积及快速的电子传输通道。  相似文献   

18.
 以纯铝为基材,在微弧氧化电解液中添加不同含量的纳米ZrO2颗粒进行微弧氧化,制备了ZrO2复合微弧氧化膜层。采用SEM 和EDS 观察并分析微弧氧化复合膜层表面形貌和膜层成分,研究不同含量纳米ZrO2颗粒的添加对微弧氧化复合膜层硬度和耐蚀性的影响。结果表明,微弧氧化膜及其复合膜层表面粗糙不平,纳米ZrO2颗粒的添加使得微弧氧化复合膜层裂纹减少,孔径减小,硬度和耐蚀性提高。  相似文献   

19.
采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In2O3样品, 并用X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)、 紫外可见光谱对样品的晶体结构、 晶粒尺寸、 形貌及带隙宽度进行测试, 分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制. 结果表明: 样品为纳米线阵列结构, 三维In2O3纳米线阵列结构由粒径约为15 nm的单晶近球形In2O3颗粒规则有序排列组成, 间距约为1 nm, 带隙宽度为3.63 eV; 当温度为320 ℃, 乙醇气体在空气中的体积比为10-4时, 其灵敏度达42.3. 该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.   相似文献   

20.
先使用烧结法合成掺杂铝酸铍(BeAl)多晶体,然后采用熔盐法从三元系熔剂中生长出掺cr3+和Ti3+的BeAl单晶。通过控制熔剂成份的摩尔比,溶质与混合溶剂的配比以及降温速率,获得尺寸分别为10mm×5mm×4mm和8mm×4mm×3mm的透明Cr(3+):BeAl和Ti3+:BeA1单晶。并讨论了它们的光谱特征和激光性能。  相似文献   

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