GaP:V~(3 )自旋允许谱的精细结构的研究

在GaP :V3 晶体中 ,对 3 A2  3 T1(F) ,3 A2  3 T1(P)以及3 A2  3 T2 (F) 3组自旋允许跃迁均已在实验中测得了它们的精细结构 .同时考虑静电、晶场和自旋 轨道耦合作用 ,计算了GaP :V3 的旋轨耦合分裂 ,理论计算与实验符合很好 .此外 ,还对这 3组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别 ,结果表明 ,3 A2 3 T1(P)跃迁的 3条 13874,13890和 13946cm-1分别对应E′ T′2 ,T1′ 和A′;3 A2  3 T1(F)跃迁的 3条锐线86 97,8711和 876 0cm-1分别对应A′ T′2 ,E′ 和T1′;而3 A2  3 T2 (F)跃迁的 3条锐线 6 382 ,6 397和6 399cm-1则分别对应T′2 ,T1′ 和E′.     

I(L)型诱导空间的分离性

证明了(L^X,δ)是次T0，T0(T’0)，Tl(T'1)，T2，正则(T3)，正规(T4)，STl，ST2，ST3，ST4和完全正则(T3 1/2)空间当且仅当(I(L)X，ω(δ)是次T0，T0(T’0)，Tl(T’1)，T2，正则(T3)，正规(T4)，ST1，ST2，ST3，ST4和完全正则(T 3 1/2)空间。同时给出(I(L)^X，ω(δ))是包含式正则、正规空间蕴含(L^X，δ)是包含式正则、正规空间。     

关于φ(z)f(z)f~(k)(z)的值分布

得到在｜z｜<+∞内的超越亚纯函数f(z)涉及慢增长函数φ(z)的微分单项式φ(z)f(z)f(z)(k)的定量不等式:T(r,f)≤N1(r,f)+3 Nk)(r,1f)+ Nr,1φff(k)-1+S(r,f)其中φ(z)为非零亚纯函数,满足T(r,φ)=S(r,f);S(r,f)表示o(T(r,f))(r+∞),至多除去[0,+∞)内一线性测度有穷的集合.     

关于ψ(z)f(z)f(k)(z)的值分布

得到在|z|＜+∞内的超越亚纯函数f(z)涉及慢增长函数ψ(z)的微分单项式ψ(z)f(z)f(z)(k)的定量不等式T(r,f)≤N1(r,f)+3{Nk)r,1/f)+N(r,1/ ff(k)-1)}+S(r,f)其中ψ(z)为非零亚纯函数,满足T(r,ψ)=S(r,f);S(r,f)表示o(T(r,f))(r→+∞),至多除去[0,+∞)内一线性测度有穷的集合.     

无K_(1,t)图的L(d,1)-T标号

给定一个连通图G=(V,E)及其一棵支撑树T,图G的一个L(d,1)-T标号即函数g:V(G)→{0,1,2,…},满足:(1)如果xy∈E(G),则|g(x)-g(y)|≥1;(2)如果dG(x,y)=2,则|g(x)-g(y)|≥1;(3)如果xy∈E(T),则|g(x)-g(y)|≥d.假设图G有一个L(d,1)-T标号函数g:g(V){0,1,2,…,k},则图G的所有L(d,1)-T标号函数中最小的整数k记为L(d,1)-T标号数λdT(G,T).本文证明了若G是无K1,t(3≤t≤n)的连通图,其最大度为Δ,|G|=n,T为G的任意支撑树,则λdT(G,T)≤tt--12Δ2+Δ+2d-2.     

尖点形式L函数的零点密度估计(Ⅱ)

设k为一正偶数,T是充分大的正数,s=σ+it,3≤Q=T,q为一正整数,χ是模q的特征,f(z)=∞∑n=1a(n)e2πinz为Γ=SL2(z)的权为k的全纯尖点形式.设Nf(σ0,T,χ)表示函数Lf(s,χ)=∞∑n=1χ(n)a(n)n-s在带形区域k/2+(l/(log(Q2T))≤σ0≤σ≤((k+1)/2),|t|≤T内的零点个数.当k/2+1/3≤σ0≤((k+1)/2)时,由Dirichlet多项式理论得出了∑q≤Q∑χmodqNf(σ0,T,χ)的一个上界.     

全嵌入在AG(3,q)中的(1,q) 几何

讨论了(1,β) 几何在AG(3,q)中的全嵌入。证明了当q>2时,一个(1,q) 几何能够全嵌入在AG(3,q)中当且仅当它是一个线性表示T*2 (H)。     

铁电单晶K_xNa_(1-x)Sr_(1.22)Ba_(0.78)Nb_5O_(15)的相变特性

测量 K_xNa_(1-x)Sr_(1.22)Ba_(0.78)Nb_5O_(15)(0≤x≤1) 单晶介电常数的温度依赖性以及居里点附近介电常数随直流偏置电场的变化表明,该系列晶体的铁电一顺电相变特性依赖于其成分。对于 x=0的样品相变是连续的,其特征是:⊿T(居里温度与居里-外斯温度之差)近似为零,C/C~1<4(C 和 C'分别是相变温度以上和以下的居里常数),εE(T)-ε_0(T)为负(εE(T)和ε_0(T)分别为温度T时有直流偏置和无直流偏置时的介电常数)。对于 x=1. 0的样品,相变是一级的,⊿T 较大,C/C>4,εE(T)-ε_0(T)为正。x=0. 5的成分相应于三临界点,其     

示性类的超渡(transgreession)

一联络论 设M是一个微分流形E是M上的矢丛,T余是M的上切丛。分别记r(E)和)r(T,QE)为丛E和丛的张量积T.⑧E的截面空间。E上一联络是一算子。它满足条件: (1)D:r(E)一今r(T.公E) (2)D(s: 52)=D:: DsZ,51,s:(r(E), D(fs)=dfos fDs,s眨r(E), 命U是M上一坐标域,(s;,··一,s,)是U上的局部标架场,即丛E在U上的q个线性无关的截面,则 (3)Ds,=艺iw,夕sj(f,j=1,……,”)其中w,’〔r(T’l。)。命 ‘s=(51,……,s,),切=(切、,)则(3)式可写成 (3’)Ds二田s---一--------------一---一_________矩阵w完全确定了联络。事实上,对于E在U上任何…     

一类算子的谱理论(Ⅱ)——(AC)算子的限制及商算子

本文是文献的继续。我们讨论了(AC)算子在T的谱极大空间上的继承性。我们证明了:(1)若是(AC)算子,是T的谱极大空间,则T在上和在商空间上的诱导算子,是(AC)算子;(2)若是可分解算子,是T的谱极大空间,则是可分解算子。这是对I.Colojoar与C.Foias的公开问题之肯定回答。     

Helton类算子的(ω1)性质的稳定性

算子T∈B(H)称作有(ω1)性质,如果σa(T)\σea(T)(∈)00(T),其中σa(T)和σea(T)分别表示算子T的逼近点谱和本性逼近点谱,π00(T)={λ∈iso σ(T):0＜dim N(T-λI)＜∞}.本文研究了Helton类算子的(ω1)性质的稳定性,同时研究了2x2上三角算子矩阵在紧摄动下的(ω1)性质的稳定性.     

双层钙钛矿锰氧化物(La_(0.9)Eu_(0.1))_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7的磁性和磁熵变研究

本文采用传统固相反应法制备多晶样品(La_(0.9)Eu_(0.1))_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7,并对其磁性和磁卡效应进行研究.研究表明:在低温部分出现反铁磁和铁磁相互竞争,在三维铁磁有序转变温度(T_c~(3D)≈75 K)至二维铁磁转变温度(T_c~(2D)≈227 K)范围内出现铁磁顺磁共存;此外,在T_c~(3D)附近,出现了较大的磁熵变,当外加磁场为1 T时其最大磁熵变值为1.69 J/(kg K),这表明该材料可能适合在液氢温区内作为一种磁制冷材料.     

一类算子的谱理论(Ⅰ)——(AC)算子的基本性质

设X是复B-空间,B(X)是X上有界线性算子全体,C是复平面,F是C的一切闭子集类,我们引入一类算子,并研究它的谱理论,算子T∈B(X)称为(AC)算子,若T有性质(A)与(C),我们证明:(1)T∈B(X)是(AC)算子当且仅当对F到X的闭子空间类的同态X(·)满足下述条件:(ⅰ)(F_1∩F_2)=X(F_1)∩X(F_2);(ⅱ)X(φ)={0},X(C)=X;(ⅲ)TX(F)X(F);(ⅳ)σ(T|X(F))F;(ⅴ)对x∈X若存在解析函数x(λ):CF→X,使(λI-T)x(λ)=x,则x(λ)∈X(F),λ∈CF,(2)设T∈B(X)是(AC)算子,则对任何F∈F,有:(ⅰ)若X_T(F)≠{0},则F∩σ(T)≠φ;(ⅱ)若X_T(F)={0},则F∩σ_p(T)=φ,(3)设T∈B(X),σ(T)位于光滑Jordan曲线Γ上,又对每个z∈Γ,存在Γ邻域V上非零解析函数f(z),使 ‖f(z)R(λ,T)‖≤M_z,λ≠z,λ∈V,M_z>0,则T是(AC)算子。     

二-(2-乙基己基)二硫代磷酸从硫酸体系中萃取Fe~(3 )、Cu~(2 )、Zn~(2 )、Cd~(2 )、Fe~(2 )、A_A~(3 )、In~(3 )、T1~ 离子的研究

一、引言二-(2—乙基己基)二硫代磷酸(以下简称D_2EHDTPA),从硫酸介质中能萃取许多金属离子。因为它能萃取As~(3 )和T1~( [1-2]),引起了国内外许多学者的重视。为了探索该萃取剂萃取As~(3 )和T1~ 离子在工业上应用的可能性,掌握萃取各种金属离子的规律性与各种相应金属离子硫化物溶度积的关系,比较它与二-(2-乙基己基)磷酸(D_2EHPA)萃取能力的差别和积累我们自己的数据。我们进行了D_3EHDTPA从硫酸体系中萃取Fe~(3 )、Cu~(2 )、Zn~(2 )、Cd~(2 )、Fe~(2 )、As~(3 )、In~(3 )、Tl~ 离子的研究。这些离子有一定的代表性。我们研究了水相酸度对萃取上述各种金属离子的影响;用连续变化法和饱和容量法确定了萃合物的组成;用红外光谱和核磁共振谱研究了萃取剂和萃合物的结构及成键情况;合成了萃取剂D_2EHDTPA,研究     

关于算子方程T~*_(e_n)TT_(e_n)=λT

本文研究算子方程T_(e_n)TT_(e_n)=λT(T∈L(H~2((△),n=1,2,…),证明了当|λ|≤1时,T_(e_n)TT_(e_n)=λT有非零解,并求出了它的解集合,从而推广了文[3]的结果,在本文的结论中令n=1就得出[3]的定理结论.     

三矩阵左半张量积的(T,S,2)-逆的反序律

以矩阵的秩为工具,研究了三个矩阵左半张量积的(T,S,2)-逆的反序律,给出了三矩阵左半张量积(ABC)(2)T4,S4=(C(2)T3,S3It)(B(2)T2,S2Ip)AT1(2),S1成立的充要条件.     

Au 钝化Si(100)表面的电子特性

近年来 ,在半导体衬底 (如 Si,Ga As)上生长磁性薄膜 ,在基础研究及应用领域引起人们的极大兴趣 .然而 ,由于半导体元素 (如 As,Ga,Si等 )与磁性薄膜层的相互扩散 ,很难得到高质量的薄膜 .在 Si( 1 0 0 )表面吸附 Fe时 ,有 Si扩散到 Fe层生成硅化物 (如 Fe Si,Fe3 Si,α- Fe Si2 ,3 等 ) ,这一现象严重影响了薄膜的磁性 .为了解决这一问题 ,近年来 ,人们开始利用半导体表面钝化技术来阻止这一扩散过程 .就 Si( 1 0 0 )表面而言 ,目前在实验上提出用 S,Se和 B钝化 ,但这些方法导致表面变得粗糙 ,而且不能清楚地反映阻止硅化物形成的…     

关于伴随构图(T)的一个注記

§1.引言近来在研究普通空間某些閉拉普拉斯叙列偶的問題中,有必要去时論这样一个构图(T)—{P_1P_(-1)Q_1Q_(-1)},它的每一边画成W綫汇,并且其中两边P_1P_(-1)和Q_1Q_(-1)的綫汇是以可展曲面互相对应的。如果这两綫汇中的任何一方,比如Q_1Q_(-1)容有一个周期4的拉普拉斯叙列{N_1N_3N_2N_4},使其一对角綫N_1N_2重合Q_1Q_(-1),而且共軛网(u,v)对应于构图(T)的各焦曲面上的主切曲綫网,那末他方P_1P_(-1)也必然地容有同样的周期4的拉普拉斯叙列     

关于特征函数T(r,f)与T(r,1/f)的关系

本文研究亚纯函数f(z)与1/f(z)的特征函数T(r,f)与T(r,1/f)之间的关系。由Jensen公式推导出了它们的关系式,从而证明了特征函数T(r,f)与T(r,1/f)之间只相差一个常数。     

特征p=3域上李代数T(3)滤过结构的性质

本文研究了特征p=3域上李代数T(3)的滤过结构,利用W(3)[0]—模W(3)[-1]所提供的矩阵表示,建立T(3)中幂零元与幂零阵之间的关系,得到了T(3)的滤过结构的几个性质。