S20光电阴极光谱响应特性的理论研究

该文根据光电阴极的量子产额谱，导出了光谱响应Ｓ（λ），通过选择合适参数，计算的Ｓ２０光谱响应曲线与实验基本吻合。该文也分析了阴极厚度Ｄ，阴极结构参量Ｐ，光电阴极光谱响应截止波长λ＿ｊ和光电子逸出深度Ｌ对Ｓ（λ）的影响，认为Ｄ、Ｐ和λ＿ｊ是决定Ｓ２０阴极性能的主要因素。     

多碱阴极光谱响应监控研究

该文介绍了在一代像增强器多碱阴极制备过程中，对其光谱响应进行连续监控的装置、试验结果等，并作了简单的分析。研究结果表明，Ｎａ２ＫＳｂ材料在制备过程中一直是一种稳定的ｐ型半导体，随着Ｎａ２ＫＳｂ膜层厚度的增加，其峰值响应波长向长波方向移动，白光灵敏度也相应提高；锑、铯交替降低了Ｎａ２ＫＳｂ的电子亲和势，延伸了光谱响应的长波阈值；锑、铯交替的表面处理是最终获得高灵敏度多碱阴极的关键。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

多碱光电阴极制备中中间层光谱初探

多碱阴极制备中，中间层的形成是一个重要的工艺过程，其质量好坏直接关系到成品阴极。该文利用自动光谱测试仪研究了多碱光电阴极制备中的光谱响应，初步分析了中间层光谱响应的规律及其对成品阴极光谱响应的影响，指出形成高质量阴极必须有良好的中间层结构。对如何进一步揭示中间与成品阴极定性关系，文中给出具体的实施方法。     

光谱响应测试仪的研制及应用

为了客观评价光电阴极的性能，提高其光电发射水平，在深入研究光电阴极光谱响应测试原理的基础上研制了国内首台光谱响应测试仪。利用自制光谱响应测试仪对国产二代、三代微光像增强器进行了光谱响应测试与分析，成功实现了激活台内负电子亲和势（NEA）光电阴极高温激活和低温激活后的光谱响应在线测试，结果低温激活后积分灵敏度比高温激活提高了29％，截止波长向长波有很小的移动。通过计算阴极参量发现，阴极表面逸出几率在低温激活后较高温激活后提高了25％，低温激活后阴极表面结构得到优化是其积分灵敏度提高的重要原因。     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。     

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

多碱光电阴极光电信息测试结果与分析

该文根据多碱光是阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析，理论的多碱光电阴极光学反射率Ｒ（ｄ）和实测的Ｒ（ｄ）比较可以控制阴极成分，并给出阴极厚度的信息、多碱光电阴极的单色光电流Ｉ（ｄ）、光电子逸出深度以及大量的工艺信息，借此可以调整工艺，改善光电阴极的光谱响应。     

镍钨合金电沉积及其析氢电催化性能的研究

本文研究以钛或铁为基体的Ｎｉ－Ｗ合金电镀，阴极极化曲线表明，以Ｔｉ为基体的Ｎｉ－Ｗ合金镀层为阴极，电解３００ｇ／ＬＮａＣｌ（２５℃），３．０Ａ／ｄｍ＾２能降低析氢过电势４２０ｍＶ，电解１ｍｏｌ／Ｌ ＭｎＳＯ４＋０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４能降低８１０ｍＶ，说明Ｎｉ－Ｗ镀层是析氢的优良电催化阴极。     

GaAs／GaAlAs透射阴极量子效率相关参量分析

从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发,讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度,阴极厚度,后界面复合速度等的关系,特别地,从工艺需求的角度出发,探讨了这种阴极在前照明和后照明的情况下,两量子效率之间的关系。     

锑化物光电阴极的量子效率

研究了晶粒间界对光电发射的影响，仔细考虑了在单位能量间隔内参与光跃迁的有效电子态密度和光电子逸出几率，提出锑化物阴极的光电发射模型，并导出了量子产额的表达式．借助电子计算机，计算了各种锑化物阴极的量子产额，理论和实验符合较好．     

SEM/EDS,Super FE-SEM研究酸与粉煤灰的剥蚀作用

用超级场发射电子显微镜（Super FE-SEM）,扫描电子显微镜/能量色散谱（SEM/EDX）研究了不同酸（HC、lHNO3、H2SO4、HC lO4）对粉煤灰的剥蚀作用。它们对粉煤灰的剥蚀是逐层进行的,酸的作用对粉煤灰主体元素组成影响不大。在剥蚀过程中形成了相应的铝盐、铁盐等盐,及纳米级的S iO2小聚集体。     

多碱光电阴极单色光电流测试技术研究

多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流,测得的曲线有助于分析和指导工艺,从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。     

关于R~+上恒正函数的上、下指数

本文引入R~+上非负函数的上、下指数概念以及在p~*条件下的一种刻化,获得对函数分析性质的若干新认识。最后,应用到凸函数分析,得到几个重要结果。     

基于光子射频波高次倍频的深度融合通信研究

文中提出了基于光子射频高次倍频的微波与光纤深度融合的通信系统架构,从理论上论证了在已调制光信号中只存在奇数光谱边带所携带的调制信息,而偶数光谱边带不包含调制信息,并且在输出光谱边带中不存在二阶光谱边带. 在已调光信号传输到基站后,用中心光谱边带作为下行数据信号传输链路的激光光源,用分离出的低的第四阶光谱边带作为上行基带传输链路的激光光源,用高的和低的第三阶光谱边带拍频产生光子射频波. 通过专业仿真套件对25 km标准单模光纤传输的信号进行了模拟测试,分别得到下行光纤链路信号和上行光纤链路信号的清晰眼图和良好的误码率. 在该系统网络架构中,基站侧没有激光光源,其复杂度降低;利用光子射频波高次倍频直接产生毫米波,极大简化了射频处理单元.     

关于算子谱半径与范数的若干不等式

目的研究Corach-Porta-Recht不等式的推广以及有界线性算子乘积与和的谱半径与范数之间的不等式关系,并且讨论初等算子的范数不等式及酉算子常数倍的一个充要条件。方法利用算子谱半径的基本性质和算子矩阵理论,给出有界线性算子积、和的谱半径与范数之间的若干不等式关系。结果算子积与和的范数有效地界定了有界线性算子积与和的谱半径。结论算子范数对于估计有界线性算子乘积与和的谱半径是至关重要的。     

海藻酸钠-高岭土/聚丙烯酸-丙烯酰胺吸水树脂的制备及其性能

 目前高吸水性树脂研究较多的是均聚物,但随着其发展,某些产品的不足之处也逐渐凸显出来,如成本太高、强度不够、吸水速率慢、吸水量低、耐盐性能不好、保水性能不好等,可以采用两种或多种单体共聚合,也可采用接枝共聚或添加廉价填料等方法来改善高吸水性树脂的综合性能及降低生产成本。以丙烯酸为单体,海藻酸钠为接枝物,添加高岭土、丙烯酰胺,通过溶液聚合法制备了复合型耐盐高吸水性树脂。研究了海藻酸钠、高岭土、引发剂、交联剂用量对材料耐盐的影响,制备出在蒸馏水、0.9%NaCl中吸水倍率分别达到895g/g、85g/g的样品。研究了海藻酸钠-高岭土/聚丙烯酸-丙烯酰胺共聚制备高吸水树脂的吸水性能。结果表明,以过硫酸钾为引发剂,反应温度65~75℃,丙烯酸中和度为60%,反应时间4h,引发剂用量0.8%~1.2%,高吸水树脂具有较高的吸水能力;随交联剂用量增大,高吸水树脂的吸水能力下降;随反应温度升高、反应时间延长、丙烯酸中和度增大、引发剂用量以及交联剂用量增大、反应单体浓度升高,海藻酸钠-高岭土/聚丙烯酸-丙烯酰胺共聚物高吸水树脂的耐盐性明显增强。采用红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)等方法对产物的内部结构、表面结构进行了表征。