屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

磁场对Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响，利用变分法对磁场下Gal-xAlxAs／GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算，并讨论了结合能随杂质位置、电子面密度和Al组分的变化关系及磁场对结合能的影响。结果表明：杂质态结合能随磁场的增强而显著增大。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑电子、杂质与声子的相互作用，利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量，对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系，结果表明，杂质－声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。     

半导体异质结中施主结合能的磁场效应

对单异质结界面系统，引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响，对磁场中的A1xGax-xAs／GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算，给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系，结果表明：杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大。     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响

采用连续电介质理论计入对材料介电常数的修正,利用变分法讨论半导体单异质结中界面附近的单电子束缚于施主杂质的基态结合能.对A lxG a1-xA s/G aA s和G axIn1-xN/InN等几种半导体异质结做了数值计算,给出杂质态结合能随杂质位置的变化关系.结果表明:当杂质处于垒材料中远离界面时,介电常数的修正对结合能无明显影响;当杂质靠近界面且组成异质结的两种材料的介电常数相差较大时,计入修正后的结合能低于已有的近似结果,最大降低可达5%~6%(x=0.3).     

压力下应变纤锌矿有限厚势垒异质结中杂质态的结合能

对应变AlxGa1-xN/GaN单异质结构,考虑理想界面异质结有限厚势垒,引入简化相干势近似计入三元混晶效应,利用变分法对流体静压力下体系中杂质态的结合能作了数值计算,并讨论了不同垒厚、杂质位置及组分对结合能的影响,且与无限厚势垒情形作了比较.结果表明:当垒厚、组分较小且沟道层中杂质位置靠近界面时,有限厚势垒杂质态的结合能明显大于无限厚势垒情形.     

随杂质位置的变化异质结中的束缚极化子的性质

本文对GαAs/AlxGα1-xAs异质结,采用三角势近似异质结势,考虑外界恒定电场以及体纵光学声子和两支界面光学声子的影响,应用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用和杂质-声子相互作用,计算了极化子结合能随电场强度、杂质位置和电子面密度的变化关系.结果表明：结合能随电场的增强而缓慢增大.IO声子对结合能的负贡献受电子面密度的影响显著增加,LO声子的负贡献相对IO声子贡献较小.另外,三角势的选取说明,导带弯曲引起的势垒变化不容忽视.还须指出的是,电子像势对结合能的影响很小,可以忽略.     

流体静压力下磁场对半导体异质结中束缚极化子的影响

对GaAs/AlxGa1-xAs半导体异质结系统,引入实际异质结势,同时考虑体纵光学(LO)声子和两支界面光学(IO)声子的影响,采用变分法讨论了外界磁场和压力对束缚极化子的影响.利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法处理电子-声子和杂质-声子的相互作用,计算了束缚极化子结合能随压力、磁场强度、杂质位置的变化关系.结果表明,结合能和声子对结合能的贡献随压力和磁场强度的增加而增大.磁场对于IO声子和LO声子对结合能贡献的影响是非线性的,而压力对二者的影响均是近线性的,且磁场和压力对LO声子的作用更为显著.     

转子-油膜-轴承-基础-土壤系统稳定性分析

用阻抗匹配法提出了转子-油膜-轴承-基础-土壤系统稳定性计算的理论方法,并计算了郑州机械研究所油膜振荡实验台的稳定性,计算结果与该所的实测值较吻合。同时,探讨了考虑基础-土壤影响之后失稳转速提高的原因与基础参数对系统稳定性的影响。     

DFM/CAPP/CAM System in a Concurrent Engineering Environment

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｓｙｓｔｅｍｉｓｓｏｃｏｍｐｌｅｘｔｈａｔａｌｌｉｎｋｓｉｎｔｈｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓａｒｅｃｏｕｐｌｅｄｗｉｔｈｅａｃｈｏｔｈｅｒ．Ｔｈｅｄｅｃｉｓｉｏｎｉｎａｃｅｒｔａｉｎｌｉｎｋｏ...     

Evolution of a bacteria/plasmid association

Associations between bacteria and their accessory elements (viruses, plasmids and transposons) range from antagonistic to mutualistic. A number of previous studies have demonstrated that plasmid carriage reduces bacterial fitness in the absence of selection for specific functions such as antibiotic resistance. Many studies have demonstrated increased fitness of evolving microbial populations in laboratory environments, but we are aware of only one study in which fitness gains were partitioned between a plasmid and its host. Here, we examine the evolution of an association between a plasmid and its bacterial host. Carriage of the non-conjugative plasmid pACYC184 initially reduced the fitness of Escherichia coli B in the absence of antibiotic. We then cultured plasmid-bearing bacteria for 500 generations in the presence of antibiotic. The fitness of each combination of host and plasmid, with and without the culture history, was determined by competing it against a baseline strain. The results indicate adaptation by the host genome, but no plasmid adaptation. We also competed the evolved host, transformed with the baseline plasmid, against its isogenic plasmid-free counterpart. The plasmid now increased the fitness of its host.     

纤锌矿GaN/Alx Ga1-xN量子阱中界面声子模对极化子能量的影响

采用Lee-Low-Pines变分法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响.理论计算中考虑了定域体声子模和界面声子模的作用,同时考虑了它们的各向异性.给出极化子基态能量、第1激发态能量、跃迁能量(第1激发态到基态),以及电子-声子相互作用对能量的贡献随量子阱宽度和深度(组分)变化的数值结果.为了定性分析和对比还给出了闪锌矿量子阱中的相对应结果.计算结果表明:阱宽较小时界面声子对极化子能量的贡献大于定域声子,阱宽较大时界面声子的贡献小于定域声子.纤锌矿结构中声子对能量的贡献大于闪锌矿结构中的相应值.GaN/AlxGa1-xN量子阱中声子对能量的贡献比GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的相应值大得多,当阱宽为20nm时,电子-声子相互作用能分别约等于-35,-2.5 meV.     

一类M/G/1排队系统的最优控制

研究一类排队系统容量有限，服务规则是先到先服务的M／G／1排队系统．服务台在一定的顾客数目下启动，在系统空闲时关闭．采用补充变量法和L变换分析，得到了稳态条件下的概率母函数．采用N策略，研究了这类排队系统的最优控制策略，得到了一种最优控制方法．控制目标是根据系统的状态,动态地确定最优服务台启动策略以保证系统平均利润最大．通过给出的目标函数确定服务台启动的最佳顾客数，从而可以获得最优经济效益．     

Preparation and characterization of LiAlxMn2-xO4 for a supercapacitor in aqueous electrolyte

LiAl_xMn_2—xO₄ (0≤x≤0.5) was synthesized by high temperature solid-state reaction. The structure and morphology of LiAl_xMn_2—xO₄ were investigated by X-ray diffraction and scanning electron microscopy (SEM). The results indicate that all samples show spinel phase. The polyhedral particles turn to club-shaped, then change to small spherical, and finally become agglomerates with increasing Al content. The supercapacitive performances of LiAl_xMn_2—xO₄ were studied by means of galvanostatic charge-discharge, cyclic voltammetry, and alternating current (AC) impedance in 2 mol·L⁻¹ (NH₄)₂SO₄ aqueous solution. The results show that LiAl_xMn_2—xO₄ represents rectangular shape performance in the potential range of 0-1 V. The capacity and cycle performance can be improved by doping Al. The composition of x=0.1 has the maximum special capacitance of 160 F·g⁻¹, which is 1.37 times that of LiMn₂O₄ electrode. The capacitance loss of LiAl_xMn_2—xO₄ with x=0.1 is only about 14% after 100 cycles.     

全稳定广义生-灭最小Q过程的构造

结合分解定理，研究全稳定广义生一灭最小Q过程的具体构造．最小Q过程对所有Q过程的构造以及研究Q过程的性质起到极其重要的作用。     

面向CAD／CAPP／CAM集成的数据模型研究

针对CIMS工程,提出一个面向CAD／CAPP／CAM集成的后关系型数据模型,该模型具有支持复杂对象的建模、能表示复杂对象间的丰富语义等优点,并且对于CIMS集成的数据模型研究具有一定参考价值。