极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＩＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质,给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式,并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算。讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响。     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性

随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视^[1,2].近年来,已有不少作者^[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形.     

反铁磁超晶格体磁/声极化子分布性质研究

利用等效介质法推导得到了反铁磁超晶格的等效介电系数和等效磁导率,进而得到体系的体磁/声极化子方程.以FeF_2/SnTe超晶格为例进行了数值模拟.结果表明,在反铁磁共振频区附近体系存在具有负群速的高频和低频两个体模带.通过外磁场的变化,可以在不改变反铁磁超晶格结构和尺寸的情况调节负群速体模带的频率位置与宽度.研究结果将为新型慢光器件开发提供一定指导意义.     

库伦场对量子阱中磁极化子性质的影响

本文研究了在外加磁场作用下库伦束缚势对量子阱中极化子性质的影响,通过数值计算得到：随着库仑束缚势和阱宽的增加极化子的基态能量逐渐减小,随着磁场强度的增加极化子的基态能量逐渐增加.阱宽越小,量子尺寸效应越显著.     

Paul阱中两离子的量子运动

发现了关于Ｐａｕｌ阱中一、二、三维两离子的薛定谔方程精确解。     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

共振激发量子点在非共振量子点-腔耦合结构性质的研究

提出了在非共振量子点-腔耦合结构中有一共振激发量子点的模型.采用量子主方程方法计算平均光子数、平均声子数、光子数分布和二阶相关度随时间演化,来研究该系统的量子统计和相干性质.分别讨论了光子数分布和二阶相关度随原子自发辐射率、腔场衰减率及平均声子数改变的时间演化行为.研究表明无论好腔条件下还是坏腔条件下,腔场内的光子都成亚泊松分布.好腔条件下反群聚性不明显,但在坏腔情况下表现出明显的反群聚性.该体系的声子数均没有明显的变化.     

量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著。     

利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％;势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.     

Ga(1-x)Al_xAs/GaAs量子阱束缚能级的计算

本文对于Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs单量子阱系统,利用电子在势阱作用中的柱对称性,建立了平面类氢原子与直线类氢原子复合量子阱模型。所求施主能级,在极限情况下,与已知的精确解一致,在势阱深度Vo有限,宽度L不为零的条件下,对X=0.1和X=0.4,分别计算了基态束缚能,其结果与实验较为接近。     

二维极化子有效质量与温度的关系

该文计及晶格的原子结构,讨论了极化晶体中二维极化子的性质.用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系.     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,观测到在GaAs量子阱中上转换发光,首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷,探索了光谱的发光机理。     

量子线中电子有效质量失配对电子—声子散射率的影响

以GaAs/GaAlAs量子线为例,计算电子的最低子能带内电子－声学波声子散射率,结果表明,电子有效质量失配对电子－声学波声子散射率的影响不可忽视。     

In1—xGaxAs／InP多量子阱结构的LP—MOVPE生长

本文报导在低温，低压下，以三甲基镓（TMG），三乙基铟（TEI）为Ⅲ族源材料，100％砷烷（AsH3),100%磷烷（PH3）为V族源材料，用金属有机化合物气相沉积技术在（100)InP衬底上生长出In1-GaxAs/InP多量子阱结构材料，X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰，光致光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺雨效应而导致的PL谱。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,观测到在GaAs量子阱中上转换发光,首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷,探索了光谱的发光机理.