膦有机金属化合物的研究——IrCl_2(CO)(C_3H_5)[P(CH_3)(C_6H_5)_2]_2的晶体与分子结构

前文报道环丙烷基在含膦的Pd有机金属化合物的作用下开环成烯后得到的有机金属化合物的晶体与分子结构。在深入研究环丙烷基与含膦的过渡金属有机化合物的作用时,得到环丙烷与Ir的含膦的有机金属化合物。本文报道这一化合物晶体与分子结构的研究结果。     

化学成长为现代科学──过去75年来化学领域的深刻变化(下)

晶体场和配位理论在利用价键理论和分子轨道理论描述有机化合物与无机化合物的成键作用时，针对无机化合物，特别是配位化合物的第三种量子力学方法——晶体场理论产生了。德国物理学家贝特（Bethe）创建了该理论。在leqg年的一篇经典之作中，贝特考虑到像NaCI这样的离子晶体中     

一种新近发现的奇特固体准晶体

准晶体的发现在晶体学、物理学、材料科学和数学等领域引起了强烈的反映。准晶体的结构理论与数论、群论有着密切联系。准晶体本身可能显示出许多不同于晶体和非晶体的奇特性能,因而作为应用材料其前景还无法估量。《一种新近发现的奇特固体——准晶体》一文以浅显的语言把准晶体介绍给大家,谅对广大读者有所裨益。     

有机超导体

超导状态是由于电子的相互有效吸引作用所造成。现在从头来说明这一吸引作用是如何产生的。电子均具有同号电荷,似乎应该互相排斥。但在晶体中,由于每一个电子与正离子均有相互作用,故在电子间除了一般的库仑斥力外,还有吸引力作用着。某电子在晶体中运动时,它吸引着离子,即在其运动途径上形成剩余正电荷的区域。第二个电子就会被该区域所吸引,从而也就被第一个电子所吸引。我们通常就说,第     

BaFBr晶体中的V心及光激励空穴发光

我们在文献[1]报道了BaFCl晶体中的V心及其光激励空穴发光。表明V心与F心一样,在X射线影像存储与再现过程中起着同等重要的作用。过去的工作强调了F心的作用,而忽略了V心的作用,因此对X射线影像存储与再现机理的认识不够全面。我们的工作对此是个有益的补充。本文我们报道BaFBr晶体中的V心及其光激励空穴发光。     

电子迥旋脉塞中Vlasov方程的高阶扰动解

近年来,相对论Vlasov方程与经典电磁理论相结合,在电子迥旋脉塞领域得到广泛的应用。Vlasov方程的一级扰动解f_1与零级解的意义大不相同。我们可以用f_1推导出注与波互作用的色散方程,获得相对论性电子注产生迥旋谐振受激辐射的重要信息。显然,如果我们可得二级以上的扰动解,就有可能获得更多的物理信息。本文试图就此问题作一初步探讨。     

高速摄像技术观测过饱和NaClO_4气溶胶结晶动力学过程

利用高速摄像系统与光学显微镜联用,观测了沉积在石英基底上的过饱和NaClO4气溶胶结晶时形貌变化的动力学过程.研究发现,过饱和NaClO4气溶胶在相对湿度(RH)为10%时才生成亚稳态的无水NaClO4晶体.生成亚稳态固相的过程按照先后顺序分为3个步骤:生成主茎、产生分枝和深度失水过程.其中晶体主茎保持均匀快速增长,在120ms内完成,一级分枝生长速度受晶体析出和液滴与环境平衡作用的共同制约,完成整个过程的时间是1200ms.伴随着一级分枝的增长,二级分枝的生长也在缓慢进行.相对于晶体主茎和分枝的生长,深度失水过程更为复杂和漫长.     

掺镁、铁铌酸锂晶体缺陷结构的变化模型

铌酸锂晶体是一种重要的电光材料,可是光致折射率变化(即光损伤)限制了它的应用范围。晶体中的光折变效应主要来源于晶体中的过渡元素如Fe、Cu等杂质的影响。1980年仲跻国等人报道,当在熔体中掺入摩尔分数4.6％或更多的MgO时,生长出的铌酸锂晶体的抗光损伤能力提高两个数量级,Bryan复证了这个结果,并观察到掺镁浓度的阈值效应,即在阈值浓度前后,铌酸锂晶体的若干性质如光电导、OH~-吸收峰的位置、以及色心吸收谱等出现突变。实验表明,抗光损伤能力的增强,不是由于光伏特电流的减小,而是光电导率成倍增长的缘故。Gerson发现,高浓度掺镁铌酸锂晶体中起陷阱作用的Fe~(3+)对电子的俘获截面大大低于未掺镁或少量镁的铌酸锂晶体。由此可见,弄清高浓度掺镁引起晶体缺陷结构变化及其与光折变中心的相互作用机制对于提高晶体抗光损伤能力以及进一步控制和利用光折变具有重要意义。     

高速摄像技术观测过饱和NaClO4气溶胶结晶动力学过程

利用高速摄像系统与光学显微镜联用, 观测了沉积在石英基底上的过饱和NaClO₄气溶胶结晶时形貌变化的动力学过程. 研究发现, 过饱和NaClO₄气溶胶在相对湿度(RH)为10%时才生成亚稳态的无水NaClO₄晶体. 生成亚稳态固相的过程按照先后顺序分为3个步骤: 生成主茎、产生分枝和深度失水过程. 其中晶体主茎保持均匀快速增长, 在120 ms内完成, 一级分枝生长速度受晶体析出和液滴与环境平衡作用的共同制约, 完成整个过程的时间是1200 ms. 伴随着一级分枝的增长, 二级分枝的生长也在缓慢进行. 相对于晶体主茎和分枝的生长, 深度失水过程更为复杂和漫长.     

高光学质量KDP晶体的生长

一、引言 最近,由于高功率激光系统需要高光学质量的KDP晶体作为激光倍频材料,国际上对KDP晶体又进行了不少的研究。对KDP晶体光学性能的要求主要有两方面:一是晶体的光损伤阈值要高;二是晶体的光吸收和散射要小。我们从降低杂质的浓度和减少晶体的位错入手,研究了KDP晶体的生长工艺和溶液状态,从而生长出光学性能优异的KDP大单晶。     

HMTTeF·I_(1.5)单晶的合成、电导及晶体结构的特性

由六次甲基四碲富瓦烯(HMTTeF)所形成的有机化合物晶体,有两种可能的化学结合形式:一种是分子中的Te原子离子化,形成离子型化合物;另一种是分子中心共轭π键离子化,或者形成离子型化合物,或者形成混合价态型化合物。至今被报道的HMTTe F化合物晶体都只含有其中一种化学结合形式,而标题化合物晶体则同时含有上述两种化学结合形式。本文将该晶体的晶体结构、化学结合与电导性的关系作简要的讨论。     

微孔晶体的晶化

从宏观和微观角度简要总结了微孔晶体晶化过程及晶化机理的研究,包括微孔晶体的成核与晶体生长(宏观角度)、晶化机理的主要观点、结构导向效应、研究微孔晶体晶化的主要技术手段及最新的研究思路和策略(微观角度).借鉴于致密晶体晶化行为的研究,微孔晶体的晶化过程分为成核与晶体生长两个阶段.在成核阶段,提出了晶核可以从液相(液相成核)、固相(固相成核)或固液相(双相成核)中成核,后被统一为"通用"成核机制.在晶体生长阶段,研究主要集中于生长模式.受制于当前较低分辨率和灵敏度的表征手段以及合成体系的复杂度,人们对晶体的成核与生长机制的认识还存在着极大的争议.在微孔晶体的晶化过程及晶化机理研究中,一项重要的内容是通过特定的表征手段确认在晶化过程中生成的小结构单元,包括色谱、电喷雾质谱、原位和非原位核磁共振、紫外拉曼光谱等.结合实验数据和理论计算可以确定一些单靠实验数据不能确认的结构单元.在微孔晶体的晶化过程中,结构导向剂起到了极其关键的作用.本文简要总结了结构导向剂的种类和导向的典型结构.最后介绍了新近提出的"反向进化"法,该方法可用于研究在晶化的早期阶段生成的小结构单元及晶化起点的结构.     

有效键电荷及其应用——Ⅱ.晶体的非线性光学系数

随着激光技术的发展,迫切需要探索晶体的非线性光学效应与其组成和结构的关系。可以应用前文导出的有效键电荷及其在外场作用下的迁移机制,求算晶体的非线     

让核心技术不再“卡脖子”

正一张薄薄的圆片,厚度0.5毫米,约为5张A4纸的厚度,直径和一张CD差不多。在山西综改示范区山西烁科晶体有限公司(下简称"烁科晶体")大厅,"一片难求"的碳化硅晶片陈列在公司产品展示区。从长期依赖进口、被国外"卡脖子",到掌握批量生产技术、实现完全自主供应,烁科晶体碳化硅研制与生产领跑行业,步伐铿锵。     

Sc和Ti对纯铝细化机理的价电子结构分析

传统的相图理论和晶体界面共格理论无法从本质上解释Sc和Ti对纯铝及铝合金的细化作用差别的机理. 运用固体与分子经验电子理论(EET)研究了Al-Ti, Al-Sc两种合金的价电子结构, 通过计算共价键电子对数、界面电子密度差, 指出两种合金形核质点的晶体共价电子对数目多少、第二相颗粒与基体界面电子密度差的不同等因素, 是造成Sc, Ti对纯铝细化作用差别的本质原因.     

纳米晶体原子结构及其温度的影响

纳米材料由于具有许多独特的性质,对它的研究已成为材料科学的一个新领域.纳米晶体中晶界区域的体积占到整个晶体的50%或以上,因此晶界对纳米晶体的特性具有重要作用.目前,对纳米晶体中的晶界结构还无较为统一的认识,通过直接或间接的实验观察和分析形成了若干假说.具有代表性的是气态完全无序说、有序说和有序无序说.本文则从理论角度利用模拟技术对纳米晶体的晶界及晶内原子结构进行了研究.     

基于模板剥离法制备有机晶体发光二极管器件及其特性

有机晶体材料由于具有低的杂质含量、高的载流子迁移率、以及高的荧光量子效率在光电器件领域受到人们广泛的关注.但是,由于有机晶体材料具有易碎、致柔且对有机溶剂敏感等特性,导致其难于制备发光二极管器件.本文设计了一种简单且无破坏性的工艺方法,即模板剥离法,制备有机晶体发光二极管器件.基于此方法通过改善晶体与电极之间的接触,可使载流子均匀注入晶体有源层,从而获得了均匀电致发光的二极管器件.     

{Mo[S_2CN(C_2H_5)_2]_4}~(+1)·{FeCl_4}~(-1)·{C_6H_5CH_2SSCH_2C_6H_5}包合物晶体的合成、结构、性质研究

模拟固氮酶的活性点——钼铁硫原子簇化合物的合成,是近年来人们注意研究的课题。 我们在模拟物合成过程中,得到一种三元包合物晶体,本文报道的即是该晶体的合成,结构与性质研究。     

KIO_3晶体的去孪去畴

KIO_3晶体是一种优秀的非线性光学材料,由于存在着电畴与孪晶,一直未能制作成各种非线性光学器件.关于其铁电性质已有不少研究,本文报道该晶体去孪去畴方面的研究成果。     

在有机溶剂中α酞菁铜向β酞菁铜转变的过程

在有机溶剂处理时,亚稳态的α-酞菁铜(α-PcCu)要向稳态的β-酞菁铜(β-PcCu)转变,这已得到实验证实。但是,在解释转变机制时文献中有不同的猜测。一种认为是α-PcCu溶于有机溶剂(尽管极微量),在超过饱和情况下形成β核后,逐渐成长为稳态的β-晶体。另一种认为β-PcCu核是α-PcCu晶体在溶剂作用下,由分子松动形成的,二者都没有实验证据。我们根据α-PcCu与β-PcCu密度不同的现象,观察α-PcCu在密度梯度管中的行为,