功率吸收钳法与线注入法电缆屏蔽性能测试对比分析

为分析功率吸收钳法和线注入法电缆屏蔽效能测试方法的可比较性,进行了2种测试方法测试结果关系的推导与分析.介绍了功率吸收钳法和线注入法电缆屏蔽性能测试的原理,推导了表征电缆屏蔽性能的屏蔽衰减与转移阻抗两参数间的关系,利用该关系进行功率吸收钳法和线注入法电缆屏蔽性能测试数据比较分析,结果表明:截止频率以下,由于线注入法受试电缆为电短,屏蔽衰减与电缆长度相关,2种测试方法测试结果不一致;截止频率以上,线注入法与功率吸收钳法受试电缆均为电长,测试结果一致.功率吸收钳法和线注入法测试结果相互关联,2种测试方法具有可比较性.     

屏蔽方舱电源/信号孔口及转接壁盒

由于对方舱屏蔽性能要求越来越高,电源/信号孔口及转接壁盒的设计和安装成为屏蔽方舱设计和加工的关键环节.总结了电源/信号孔口及转接壁盒的功能作用和对方舱屏蔽性能的影响,阐述了电源/信号孔口及转接壁盒的设计原则,以及通过结构设计消除间隙增强电连续性以保证方舱屏蔽效能满足要求的方法.方舱屏蔽效能测试和系统电磁兼容试验结果表明,电源/信号孔口及转接壁盒的结构设计满足方舱和系统屏蔽性能要求.     

穿墙套管的屏蔽仿真及优化设计

为改善40.5 k V开关柜D型母线穿墙套管出现局部绝缘老化、尖端放电问题,提出在穿墙套管内部增加高低电位的屏蔽环进行优化设计.利用有限元分析软件ANSYS Workbench分别对穿墙套管无屏蔽、穿墙套管有高低电位屏蔽、优化后的穿墙套管高低电位屏蔽3种方案进行系统仿真.仿真结果表明:优化后的穿墙套管内部空气域和外部空气域的电场均低于空气临界击穿场强值,屏蔽效果非常显著.     

多环开尔文滴水起电装置的设计

为提高传统开尔文滴水起电装置的起电速率,通过增加导电环的个数,使单边导电环由单环变为2环、4环、9环,制成多环开尔文滴水起电装置,实验结果表明,改进后的多环开尔文滴水起电装置起电速率有较为明显的提高.     

同步辐射锯齿屏蔽墙的Monte-Carlo模拟

同步辐射锯齿屏蔽墙是整个同步辐射装置防护的主要部分.以储存环内3.5 GeV能量和300 mA电子束流的同步辐射装置为例, 用Monte-Carlo程序包EGSnrc对锯齿屏蔽墙进行了分析和计算,并对计算结果进行讨论.     

嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的尺寸和近藤屏蔽效应

使用单杂质的Ansderson模型, 我们从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在近藤区时的基态性质, 并用slave-oson平均场方法求解了该模型. 我们的结果表明：在零温, 当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时, 系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质. 同时, 可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率, 达到探测近藤屏蔽云的目的.     

多晶铁电半导体晶界处的肖特基势垒

本文从自发极化对表面态电荷屏蔽的机制出发,讨论多晶铁电半导体晶界处肖特基势垒的特征,并作了数值估算.由此得出的结果,对理解多晶铁电半导体中的PTCR效应是有益的.     

空间光学敏感器/探测器荷电粒子屏蔽技术综述

空间光学敏感器/探测器是航天器的重要组成部分或重要类型,然而大量存在的空间荷电粒子会造成探测器件本底噪声及性能损伤,对空间探测任务产生不良影响。目前对空间荷电粒子的影响缺乏定量评估手段,广泛采用的质量屏蔽、磁偏转和反符合技术在空间荷电粒子屏蔽方面均存在局限性。在对上述方法进行综述的基础上,提出了基于电磁复合场的空间光学敏感器/探测器荷电粒子屏蔽装置的设计思路。     

FIB刻蚀对电化学制备多孔硅的影响

通过聚焦离子束(focused ion beam,FIB)轰击处理制备得到一种新的微纳级多孔硅结构,并通过实验实现可控化.在图形化过程中,FIB轰击处的周围区域内多孔硅的电化学腐蚀被抑制,出现了抑制区,称为屏蔽区域.屏蔽区域的形成主要是由FIB轰击过程中硅粒子的二次碰撞所引起的.屏蔽区域的宽度在一定范围内与FIB的轰击电压、硅衬底的阻值成正相关.报道了一种圆形多孔硅结构:圆环上多孔硅密集分布,而环内完全没有孔结构,圆外围的屏蔽区域依然存在,使得该圆形结构得以从周围环境中独立出来.这种内部完全屏蔽的圆结构的直径最大可达10μm.     

电活性大环化合物的电化学分子识别方法

大环化合物在分子识别中是最重要的主体分子之一.在大环化合物上引入电活性基团,其氧化态和还原态对客体分子的作用明显不同,成为一种新颖独特的分子识别方法.综述了基于电活性大环化合物的电化学分子识别方法.     

掺杂纳米稀土氧化物的电磁屏蔽材料的电磁匹配规律研究及设计

利用电磁波传输理论推导出了电磁屏蔽材料表面反射率公式、基于电磁参数广义匹配规律下总后向反射率公式和预设总后向反射率取值的表面反射率公式; 通过3维网格法理论分析了电磁参数对表面反射率和总后向反射率的影响,并使用掺杂了纳米稀土氧化物的电磁屏蔽材料进行优化设计.研究结果表明:在电磁屏蔽材料的设计中应主要调节材料的电损耗ε; 掺杂了少量纳米稀土氧化物的电磁屏蔽涂层能实现在2～18 GHz内有大于6 dB的衰减值,即表明掺杂纳米稀土氧化物能够较好地提高材料的电磁屏蔽性能.     

BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析

穿透硅通孔（through silicon via,TSV）的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数（SiO₂绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径）进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO₂绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.      

量子阱中屏蔽激子的束缚能

用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能．屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的．     

萘系偶氮型通用染料结构与染色性能之间关系

从超分子化学角度研究了双萘环和单萘环通用染料在染色过程中的构效关系.对腈纶纤维染色时,由于双萘环染料分子对相邻阴离子染席的空间屏蔽作用,其上染率下降.对涤纶纤维染色时,染料分子自身的空间结构对上染率的影响不明显.对棉纤维染色时,由于双萘环染料分子对纤维的直接性好、磺酸基在分子中所占的比例低,其上染率提高.对羊毛和丝绸染...     

氧电还原现场产生的H2O2环氧化环己烯的研究--环己烯存在下氧还原过程的循环伏安研究

在以硫酸钠为支持电解质以及甲醇作为共溶剂的条件下,研究了环己烯在以硫酸钠为支持电解质以及甲醇作为共溶剂的条件下,研究了环己烯存在下氧气在玻碳电极上的循环伏安行为。探讨了甲醇和环已烯等物质对氧电还原过程的影响.结果表明,甲醇的存在能在一定程度上加强氧的电还原过程,而环已烯对氧电还原并没有产生明显影响,说明用氧气电还原过程所产生的过氧化氢可以现场环氧化环已烯,环己烯电化学环氧化合成环氧环己烷是一个间接电合成反应。     

高纯锗—塑料闪烁体反康普顿 γ 能谱仪

本文报告了一台采用自制大塑料闪烁体作反符合屏蔽的高纯锗γ能谱仪的结构及主要性能.主探测器体积为77C.C.,对1332kev 的γ射线能量分辨率为1.90Kev.相对效率为13%.符合探测器采用φ76×76mm 的低本底 NaI(TL)探测器。作为反符合屏蔽的环探测器为φ500×500mm的自制大塑料闪烁体.在有物质屏蔽和反符合屏蔽条件下,谱仪在50Kev—2700Kev 能区的积分本底为31CPM.在源距为3—4cm 处,对~(137)Cs 源的康普顿减弱因子为4.1,峰康比为320.     

虚拟同步控制的港口岸电电源阻抗建模及稳定性分析

为增强系统惯量和阻尼,虚拟同步控制被广泛应用于港口岸电电源中,但虚拟同步控制的港口岸电电源与船舶PWM整流器负荷之间可能存在交互失稳问题.因此,本文首先根据其多时间尺度控制特性,提出了虚拟同步控制的港口岸电电源的分频段dq阻抗模型.其次,基于所建dq阻抗和广义奈奎斯特稳定判据的稳定性分析表明,港口岸电电源的交流电压环与船舶PWM整流器负荷的直流电压环之间存在控制交互作用,进而会诱发系统振荡.增加港口岸电电源的交流电压比例和谐振系数,或减小船舶PWM整流器负荷的直流侧电压比例系数可增强港口岸电供电系统的稳定性.最后基于硬件在环实验平台,验证了阻抗模型和稳定性分析结果的有效性.     

电动轮刚性环耦合特性模型建模与分析

为进行电动轮高频转矩激励下的振动响应分析,基于刚性环轮胎模型假设,考虑轮辋与轮毂电机弹性连接关系建立了电动轮刚性环耦合特性模型.通过电动轮工作模态试验对模型主要刚度参数进行了识别,并结合胎面参数分析了模型的固有特性.所建立的电动轮模型能够准确描述胎面径向一阶平移频率和周向旋转频率,且考虑轮辋与轮毂电机连接柔性改变了原有的轮胎环、轮辋固有频率分布,可以避开原有峰值频率.根据电动轮轮毂电机实测激励频率特征,对所建立的电动轮刚性环耦合特性模型进行了相应频率的转矩激励.分析表明,考虑轮辋与轮毂电机间弹性连接耦合特性关系,能够减小原有电动轮一阶径向平移频率附近的轮胎与车身的振动加速度响应,为电动轮结构设计提供理论指导意义.     

开孔金属腔屏蔽系数快速算法宽频适用性研究

本文研究了TLM、ILCM、Modal-MOM三种模型计算平面波照射下开孔矩形金属腔宽频带内屏蔽系数的适用性.通过比较这三种模型在0.5～3GHz范围腔体中心点处屏蔽系数的计算结果,并与CST模拟结果进行对比,发现Modal-MOM方法适合用于宽频段屏蔽系数的计算,但在高频时预测出的谐振点有明显频偏.TLM不适用于高频(电尺寸较大孔缝)计算,而ILCM方法不适用于较高频率情况和正方形孔缝的计算,且整体计算结果偏差较大.这些方法的适用范围在工程应用方面具有很好的指导意义.     

TGS铁电相变的时域方法研究

利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10~(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁电相变过程中晶体和外界的能量交换主要来自屏蔽电荷的激发.