矩阵左半张量积的推广——泛张量积及其性质

通过对程代展教授在文献[7]中提出的左半张量积的概念进行推广,得到了一种更为普遍的矩阵乘法,称做泛张量积.然后,比较了它与矩阵普通乘法已经与张量积,半张量积间的关系,并且给出了它的一些重要性质.     

几类效应代数的张量积及其可表示性

研究了几类效应代数的张量积及其可表示性.证明了两个效应代数关于不同的双态射的张量积是同构的,通过构造适当的双态射,给出效应代数{0,1}E、Cm(a)Cn(b)、C2(x)C4(y,z)及C2(x)C′4(y,z)的具体形式,结果表明:{0,1}E是可表示的当且仅当E是可表示的,Cm(a)Cn(b)与C2(x)C4(y,z)都是可表示的效应代数,但C2(x)C′4(y,z)是不可表示的效应代数.     

基于COMSOL有限元挠曲电圆筒的力电耦合行为分析

挠曲电效应是一种新型的力电耦合效应。不同于压电效应,挠曲电效应是极化对应变梯度的响应,指的是电介质中的离子由于应变梯度的存在打破了反演对称性,从而导致电介质发生极化或者变形的现象。作为一种类似压电效应的机电耦合效应,因其在材料、机械工程、自动化、仪器仪表等学科中的独特优势而受到越来越多的关注。由于目前所有的商业有限元软件中都缺少挠曲电模块,因此挠曲电问题的数值模拟需用有限元自主编程进行计算。得益于COMSOL Multiphysics的偏微分方程模块（PDE模块）,本文展示在COMSOL软件中对考虑挠曲电效应的力电耦合问题直接进行数值模拟的方法。并针对固定边界位移的挠曲电圆筒进行数值计算,与已有的解析解进行对比,验证了有限元数值计算方法的正确性。此外,本文研究了挠曲电系数及材料不同梯度指数对圆筒力电耦合的影响。该工作可以为挠曲电效应数值计算及挠曲电结构设计提供帮助。     

张量积T+H-Bezoutian及其矩阵表示

介绍张量积T+H-Bezoutian和一个变换的定义,给出张量积T+H-Bezoutian的矩阵表示方法,讨论如何通过矩阵基本方程来确定矩阵生成函数的多项式,得到了一个阶为(n-2)m r×(n+2)m r的矩阵与矩阵基本方程有着密切的关系,最后对具有特殊形状的T+H矩阵的逆的生成函数的表达形式做了简单的描述.     

次酉矩阵的一些性质和Kronecker积

讨论了次正交矩阵、次酉矩阵的性质和它们的Kronkecker积的性质,同时也讨论了次酉矩阵与次对称阵、反次对称阵、次Hermite矩阵的联系,进一步给出了次酉矩阵的分解问题.     

Cl0,2k+1的张量积分解式与矩阵表示

利用实Clifford代数的周期性研究实Clifford代数Cl0,2k+1的张量积分解式和矩阵表示.在Cl0,2k+1中心同构于瓘和瓗与瓗直和的条件下,得到了Cl0,2k+1的统一张量积分解式Cl0,2k+1≌k-δCl1,1Cen(Cl0,2k+1)δCl0,2(2k+1≡αmod 8,δ=[1-{α/3}])和统一矩阵表示Cl0,2k+1≌Mat(2k-δ,Cen(Cl0,2k+1)δH)(2k+1≡αmod 8,δ=[1-{α/3}]).     

Kronecker乘积图的平面性

设G1和G2是两个连通图,则G1和G2的Kronecker积G1×C2定义如下:V(G1×G2)=V(G1)×V(G2),E(G1×G2)={(u1,v1)(u2,v2):u1u2∈E(G1),v1v2∈E(G2)}.该文证明了如果G=G1×G2是平面图并且︱Gi︱≥3,那么G1和G2都是平面图;还完全确定了Pn×G2的平面性,n=3,4.     

打磨引起的残余应力对BaTiO3陶瓷挠曲电响应的影响(英文)

铁电陶瓷中测量得到的大的挠曲电响应可以用来源于应力弛豫的自发极化表面层机理来解释。然而,产生极化表面层的应力来源尚未完全清楚。本工作系统地研究了表面应力对不同粒度砂纸打磨的BaTiO₃陶瓷的微观结构、介电性能和挠曲电响应的影响。与原始样品相比,打磨后的BaTiO₃陶瓷的挠曲电系数由～600μC/m降至200μC/m以下。但经过200℃热处理并且缓慢冷却后,所有样品的挠曲电系数都恢复到～500μC/m。结果表明,打磨在铁电陶瓷的表面层上引入了应力,在一定程度上影响了其挠曲电响应,但打磨引入的应力不是极化表面层形成的主要原因。     

特殊矩阵的Kronecker积

在已有的Kronecker积性质的基础上给出了正规矩阵、对角矩阵、Hermite矩阵、相合矩阵、非负矩阵、M-矩阵、正定矩阵、半正定矩阵等特殊矩阵的kronecker积的性质,还得到了Kronecker积的奇异值分解的运算方法.另外,证明了Kronecker积的指数矩阵函数的运算性质与乘积矩阵的Kronecker积幂的运算性质;最后还推出了kronecker积的微分运算法则.     

关于Kronecker积和Hadamard积的一些矩阵不等式

通过一个关于Kronecker积矩阵不等式，并得到一些矩阵不等式，Schur补作为一个基本工具。     

整可逆图的克罗内克积的逆

图G₁和G₂的克罗内克积G₁⊗G₂具有点集V(G₁)⊗V(G₂),在G₁⊗G₂中两个点(u₁,v₁)和(u₂,v₂)相邻当且仅当 u₁u₂∈E(G₁)且 v₁v₂∈E(G₂)。对整可逆图(即图的邻接矩阵的逆矩阵中只包含整数)的克罗内克积的逆进行刻画。     

关于矩阵的Kronecker积的几个秩等式

利用矩阵秩的Frobenius不等式成为等式的充要条件及矩阵的Kronecker积的几个基本秩等式,给出了矩阵的Kronecker积的几个秩等式成立的充要条件,并讨论了这几个秩等式的一些应用。     

C-矩阵Kronecker积与Hadamard积的若干结论

利用C-矩阵定义的等价条件及不等式放缩技巧,研究了C-矩阵的Kronecker积、Hadamard积是否为C-矩阵.结果表明,C-矩阵的Kronecker积是C-矩阵,C-矩阵的Kronecker和不是C-矩阵.进一步给出了C-矩阵的Hadamard积为C-矩阵的几个充分条件,并用数值算例对所得结果进行了说明.     

Ｋronecker乘积在实验设计及分析中的应用

讨论如何用 Kronecker乘积表示一般实验设计模型 ,包括固定效应模型、随机效应模型及混合效应模型 .讨论如何表平方和为向量的二次型 .从而首次给出了用这些表示去计算平方和的期望值的方法 .本文的结果容易推广到其它实验设计模型     

关于体上矩阵的Kronecker积的几个结果

给出体上矩阵Kronecker积的某些性质,得到了关于秩的许多新结果,推广了一般域上矩阵kronecker积的相应结果。     

复半正定矩阵的Hadamard乘积与Kronecker乘积

研究了Ｈｅｒｍｉｔｅ 部分为半正定的复方阵的性质,Ｈａｄａｍａｒｄ 乘积与Ｋｒｏｎｅｃｋｅｒ 乘积,推广了一些现有的结果。     

关于四元数矩阵Kronecker积的一些性质定理

矩阵的Kronecker积是一种重要的矩阵乘积,是工程技术中重要的数学工具,有着非常重要的研究内容和成果.由于四元数乘法不满足交换律,使四元数矩阵的Kronecker积与复矩阵的Kronecker积存在较大差异.对几类特殊矩阵的Kronecker积进行了研究,有些结论是实（复）数域上矩阵Kronecker积的推广延伸.     

运用张量积网络的信号传递

研究通过运用张量积网络实现信号传递的技术,给出了过程描述和相应的数学模型,并进一步讨论如何在信号过程中,消除或减少输入信号的内部相互作用。