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相似文献
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1.
用阳极氧化电压谱图技术分析Nb/AlOx/Nb约瑟夫森结中AlO2隧道阻挡层(绝缘层)与Nb电极之间的介面特征并测量谱图阻挡层阳极氧化的电压宽度,发现这种电压宽度与阻挡层厚度密切相关.通过阻挡层阳极氧化电压宽度Vw和沉积Al厚D的关系测量,证实Al上AlOx的生长只取决于氧化条件而与沉积的Al层厚度无关.本文还提出了一种由Vw估算Al上生长的AlOx厚度的方法.实验证明,阳极氧化电压谱图技术是监测约瑟夫森结的介面特性和临介电流密度的有用工具,对高温超导结及其超导器件的开发起着重要的作用.  相似文献   

2.
本文报导Nb/Al/Nb多层薄膜的阳极氧化实验和其电压谱图技术,并着重分析谱图上Al/Ab介面凹谷随Al膜厚度变化的现象及其产生的原因。  相似文献   

3.
本文报导Nb/Al/Nb多层薄膜的阳极氧化实验和其电压谱图技术。并着重分析谱图上Al/Nb介面凹谷随Al膜厚度变化的现象及其产生的原因。  相似文献   

4.
用循环氧化法研究了Fe-28Al-5Cr-0.1Zr(at%)和Fe-28Al-5Cr-0.5Nb(at%)金属间化合物的高温氧化行为.结果表明,含Zr的Fe3(Al,Cr)金属间化合物在800℃、1000℃、500h循环氧化后形成一个独特的晶须状氧化物层,微量Zr能增加氧化物层与基体金属的粘附性,从而提高了该合金的高温抗氧化性能.而含Nb的Fe3(Al,Cr)金属间化合物在1000℃、350h循环氧化后形成多孔的卷绕状形貌,对Fe3(Al,Cr)金属间化合物的高温抗氧化性没有改善.  相似文献   

5.
用循环氧化法研究了Fe-28Al-5Cr-0.1Zr(at%)和Fer-28Al-5Cr-0.5Nb(at%)金属间化合物的高温氧化行为。结果表明,含Zr的Fe3(Al,Cr)金属间化合物在800℃、1000℃、500h循环氧化后形成一个独特的晶须状氧化物层,微量Zr能增加氧化物层与基体金属的粘附性,从而提高了该合金的高温抗氧化性能。而含Nb的Fe3(Al,Cr)金属间化合物在1000℃、350h  相似文献   

6.
研究了用磁控溅射法制备的Ni81Fe19/Cr82Al18双层膜中的交换耦合。样品的室温矫顽力与1/t^3/2M成线性关系,从而表明在N不i81Fe19/Cr82Al18中交换耦合力为铁磁/反铁磁界面的随机相互作用。另外还讨论了反铁磁层厚度对交换偏置的影响。  相似文献   

7.
用声发射(AE)技术研究了铁基合金上几种常见氧化层在恒温氧化和随后冷却过程中发生的开裂及剥落行为。获得了AE累积计数及温度对时间的变化曲线。通过显微镜、扫描电镜的观察和X射线射衍物相分析,确定了实验合金表面氧化层的主要物相。结果表明:除了加Si合金的氧化层在恒温氧化过程已开裂外,其余合金的氧化层均在冷却时开裂并剥落。Fe25Cr-10Al合金上α-Al2O3层的开裂及剥落最为剧烈。Fe-25Cr-7.5Nb合金的Cr2O3层AE总计数远远高于Fe-25Cr合金。而Fe-25Cr-4Ti和Fe-25Cr-9Mn的情况与Fe-25Cr大体相同。  相似文献   

8.
本文用DV-X_α量子化学方法计算了甲烷化催化剂Ni一LaO_x/r-Al_2O_3中载体及助剂与镍相互作用模型的电子结构,由计算结果发现,缺氧型稀土氧化物(LaO_x)是一个好的电子给予体,镍与载体r-Al_2O_3作用后,电子由镍向载体转移,表面镍处于缺电子状态,稀土氧化物助剂与镍相互作用后,电子向镍转移.由此推断在Ni/r-Al_2O_3催化剂中添加稀土氧化物助剂,将使表面镍的缺电子状态得以缓解,表面镍富集电子,从而有利于对吸附的CO分子的激活.  相似文献   

9.
研究了2种合金化的Ti-Al合金Ti-48Al-2Cr-2Nb和Ti-47Al-1Cr-1V-2.5Nb(含金含量均为原子分数)在800和900℃的恒温氧化行为,分析探讨了它们的高温氧化特征及合金元素对其高温氧化性能的影响,研究发现:800℃时,二合金化Ti-Al合金的抗氧化性能要比二元Ti-48Al(以下简称为48Al)合金的差;900℃时,其抗氧化性能得到了很大改善,氧化反应速率锭低于二元48  相似文献   

10.
将量子化学的SCC-DV-X。计算方法应用到研究硫铝酸锶矿物(3CA.SrSO4)的结构和性能,得出3CA.SrSO4的(AlO4)x笼状结构,(CaOx)和(SrOx)多面体的化学键级,分子轨道能级和净电荷等,并对其中(AlO4)四面体中铝氧,(CaOx)和(SrOx)多面体中钙氧,锶氧的成键机制及其强度进行了探讨,从理论上揭示了该矿物结构,性能,成键机制及活性关系。  相似文献   

11.
采用草酸盐和铵盐溶液法制备PTCR热敏陶瓷的前驱体(Ba_xSr_(1-x))TiO_3和(Ba_yPb_(1-y))TiO_3,加入半导化剂Sb_2O_3、或Nb_2O_5,以及AST剂(Al_2O_3、SiO_2和TiO_2)等,研制成功低电阻率(ρ≈10Ω.cm) 的PTCR热敏陶瓷产品。  相似文献   

12.
Al2O3/W层状复合材料的制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用流态成型-离心注浆成型,热压烧结成功地制备了Al2O3/W层状复合材料,研究了Al2O3层,金属W层的厚度对层状复合材料力学性能的影响。结果表明:Al2O3层,金属W层的厚度有关,而且与Al2O3/W层厚比有关。  相似文献   

13.
本文以CO氧化模式反应考察CuO/γ-Al2O3,CuO/CeO2/γ-Al2O3,CuO/α-Al2O3和CuO/CeO2/α-Al2O3催化剂的氧化活性,运用TPR技术研究了催化剂的还原性能,结果表明,CeO2能提高Al2O3负载CuO催化剂的CO氧化活性,抑制CuAl2O3尖晶石的形成,改善催化剂的热稳定性。  相似文献   

14.
研究了含钴NdFeB系列稀土永磁体的磁性能与显微组织,Co加入到三元NdFeB磁体中显著提高磁体的居里温度Tc,因而大大改善了可逆温度系数α(Br).对实验数据的计算机拟合表明二者间符合指数函数关系,且在单对数坐标中表现为两阶段曲线.在多组元NdFeB合金系列中,Al是提高含Co磁体矫顽力最有效的元素,其次是Mo,而Nb和V则不能改善Co对矫顽力的有害影响.高Co磁体中,Al恶化α(Br)的作用已非主要,这是由于Co提高Tc的作用大于Al对Tc的降低作用,但含Al磁体的β(fHC)较大,导致fHc随温度上升而迅速下降.含Nb、Mo、V磁体的β(fHc)则显著优于含Al磁体.  相似文献   

15.
(AlxGa1—x)yIn1—yP表面氧化特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对(AlxHa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线  相似文献   

16.
Al2O3/Ni—Ti钎料/Nb的封接及其组织和性能的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
探讨了用Ni-Ti高温合金对Al2O3陶瓷与金属Nb的封接行为.结果表明,Ni-Ti钎料对Al2O3陶瓷有良好的润湿性及高的焊后界面强度.钎料中的Ti与Al2O3中的O在反应界面上富集和结合是两种材料实现连接的原因.Nb溶入钎料中对减弱界面残余应力、提高强度有利  相似文献   

17.
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论.另外还在室温下对(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得到膜厚与时间的线性关系曲线  相似文献   

18.
利用离心自蔓延高温合成技术,在普通碳素钢管的内壁涂敷一层厚度均匀的Al2O3 陶瓷层.研究表明,在Al+ Fe2O3 反应体系中,适当增加配方中Al或SiO2 的加入量,化学反应趋向于完全,而增加CrO3 的加入量却得到相反的结果;在Al+Fe2O3 体系中同时加入SiO2 和CrO3,显著降低了陶瓷层的孔隙度  相似文献   

19.
对周期性Al/SiO2迭层膜式微型偏光器中的Al膜层进行了研究.高消光比的迭层膜式微型偏光器的性能主要决定于Al膜层的介电常数.从理论上分析了影响Al膜层介电常数的因素及Al膜层的介电常数偏离体金属Al相应值的原因.Al膜层溅射沉积条件实验研究结果表明,沉积速率、膜层厚度及基底形貌的控制和选择是非常重要的  相似文献   

20.
采用流态成型-离心注浆成型、热压烧结成功地制备了Al2O3/W层状复合材料,研究了Al2O3层、金属W层的厚度对层状复合材料力学性能的影响.结果表明,Al2O3/W层状复合材料的抗弯强度和断裂韧性不仅与Al2O3层、金属W层的厚度有关,而且与Al2O3/W层厚比有关.  相似文献   

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