14Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面测量

本文用活化法分别以~(56)Fe(n,P)~(56)Mn和~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu反应截面为标准,测量了14.61Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面,其值分别为190.1±5.3mb和196.3±7.7mb。又以~(27)Al(n,P)~(27)Mg反应截面为标准,测量了14.13Mev、14.61Mev和14.85Mev三个能点的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应戡面,其值分别为116.0±8.7mb、189.4±14.2mb和197.2±14.8mb。活化生成核发射的γ射线用高纯锗(HPGc)γ谱议进行测量。     

~(65)Cu(n,2n)~(64)Cu,~(63)Cu(n,α)~(60)Co 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子~(65)Cu(n,2n)~(54)Cu 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子~(63)Cu(n,α)~(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.     

~(148)Sm(n,p)~(148m)Pm、~(144)Sm(n,p)~(144)Pm和~(150)Sm(n,α)~(147)Nd反应截面的测量

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ的反应截面，对１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４８ｍＰｍ、１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４４Ｐｍ和１５０Ｓｍ（ｎ，α）１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 反应截面的测量

钼的天然同位素较多,活化后的γ谱复杂,给用活化法测量~(97)M_0(n,p)~(97)N_b快中子反应截面带来了很大困难,以前虽然有多人曾经测量过~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 的反应截面,但大多数只测量了个别能量点的数据,这些现存的数据分散较大,国内尚未见有报道,且钼又是核聚变的结构材料之一,所以精确测量~(97)M_0(n,p)~(97)N_b反应截面是十分必要的,为此我们用活化法测量了13.40～14.79MeV 中子能区的~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 反应截面并和所能收集到的数据进行了比较。     

~（181）Ta（α，n）~（184）Re和~（181）Ta（α，2n）~（18

用活化法和叠靶降能技术，测量了从阈能到２６．４ＭｅＶ能区１８１Ｔａ（α，ｎ）１８４Ｒｅ和１８１Ｔａ（α，２ｎ）１８３Ｒｅ的激发函数，实验结果同其他作者的结果作了比较，并且采用考虑了平衡前发射的统计模型进行了理论计算，计算结果同实验值作了比较．     

96Zr(n,2n)95Zr反应截面测量

锆是D-T聚变堆不可缺少的材料之一,详细研究96Zr(n,2n)95Zr反应截面,对聚变堆的设计、安全运行和维修都有非常重要的意义.在14 MeV能区,对这一反应截面,曾有许多人进行过测量,我们能够收集到的数据[1-7]有分歧,所以进一步精确测量96Zr(n,2n)95Zr反应截面是十分重要的.     

14MeV中子(n,~3He)反应截面的系统学计算

对14MeV中子的(n,~3He)反应截面的系统学特性作了研究,并得列了反应截面随不对称参数(N—Z)/A的增加而缓慢下降的趋势.在对实验数据分析、评价和拟合的基础上给出了一套经验参数.利用导出的系统学经验公式计算了一些核素的(n,~3He)反应截面,与实验结果比较符合较好.最后讨论了(n,~3He)反应的机制.     

K_(m,n)的p_1~(k_1)p_2~(k_2)—因子分解

文章将WangHong和DuBeilian关于完全二部图K m,n 存在K1,k—因子分解的充分条件从k为质数幂和质数积的情形推广到k为两个质数幂的乘积的情形。即当 p1、p2 为质数时 ,给出完全二部图Km,n 存在K1,pk11 pk22 —因子分解的充分条件     

13.5～14.8 MeV能区中子引起的~(203)Tl(n，2n)~(202)Tl反应截面的测量

用活化法以^93Nb（n，2n）^92mNb反应截面作为中子注量的标准测量了13．5—14．8MeV中子引起的^203Tl（n，2n）^202Tl的反应截面值．14MeV中子由T（d，n）^4He反应得到，中子能量通过^93Nb（n，2n）^92mNb和^90Zr（n，2n）^89m＋9Zr截面比法测定．测得了分别由（13．5±0．3），（14．1±0．2），（14．8±0．3）MeV中子引起的^230Tl（n，2n）^202Tl反应截面值分别为（1829±83），（1884±109），（2016±105）mb．并与其他人的测量结果和JEFF-3．1评价数据库进行了比较．     

2.8 MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面的测量

用中子活化法和离线γ能谱测量技术对2.8MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面进行了测量.2.8 MeV强流中子由D-D中子发生器获得,中子注量率的波动通过测量伴随~3He粒子得到;中子的平均能量通过~(64)Zn(n,p)~(64)Cu和~(115)In(n,n′)~(115m)In的反应截面比得到.γ能谱采用低本底高分辨率高纯锗伽马谱仪进行测量.实验结果与已发布的截面数据及评价核数据库ENDF/B-Ⅷ.b4、JENDL-4.0u+和CENDL-3.1的数据进行了比较.利用模型程序TALYS-1.8对~(232)Th的中子俘获反应激发函数曲线进行理论计算,并与实验数据和评价数据进行了对比分析.     

^181Ta（a,n）^184Re和^181Ta（a,2n）^183Re反应激发函数的…

用化法和叠靶降能技术，测量了从阈能到２６．４ＭｅＶ能共＾１８１Ｔａ（ａ，ｎ）＾１８４Ｒｅ和＾１８１Ｔａ（ａ，２ｎ）＾１８３Ｒｅ的激发函数，实验结果同其他作者的结果作了比较，并且采用考虑了平衡前发射的统计模型发理论计算，计算结果同实验值作了比较。     

(m,n)-投射模和(m,n)-内射模

设R是任给的环,m和n都是正整数。右R模NR是(m,n)-内射模,若对Rm的任给的n-生成子模K,则有Ext1R(Rm/K,N)=0。右R模MR是(m,n)-投射模,若对任给的(m,n)-内射模N,有Ext1R(M,N)=0。当m=1,n是任给的正整数时,(m,n)-投射模就是f-投射模。任给的(m,n)-表现模都是(m,n)-投射模。设F-(m,n)-proj表示由所有的(m,n)-投射模所组成的模集,F-(m,n)-inj表示由所有的(m,n)-内射模所组成的模集。本文给出了(m,n)-投射模的刻画,同时证明了(F-(m,n)-proj,F-(m,n)-inj)是一余挠理论,且每一个R-模都有一个特殊的(m,n)-内射预包络和一个特殊的(m,n)-投射预覆盖。还给出了(m,n)-投射模和(m,n)-内射模的相关的性质。     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

(m,n)-投射模与(m,n)-遗传环

设m,n是两个任意取定的正整数, 通过引入(m,n) 遗传环的概念, 利用函子的正合性方法, 给出(m,n) 投射模和(m,n) 遗传环的一些等价刻画.     

^31P（n,p）^31Si反应截面实验测量数据的分析和评价

本文较全面地收集了~(31)P(n,p)~(31)Si反应的实验测量数据,作了认真细致地分析.评价用三次B样条函数进行了拟合处理.对缺实验数据的能区,用理论计算数据作了补充.最后给出了从阈能(0.71Mev)到20Mev的反应截面推荐值.     

K_(2n)~+/K_(2n)~°衰变分枝比

利用目前K_(2π)衰变分枝比R_0=W(K_1~0→π~0+π~0)/W(K_1~0→π~0+π~0)+W(K_1~0→π~++π~-)的实验数据和π-π作用方面的有关知識,估計了衰变分枝比R_+=W(K~+→π~++π~0)/W(K_1~0→π~0+π~0)+W(K_1~0→π~++π~-);结果表明,如果存在一个I=o S波π-π共振,則能很好地解釋R_+的增加。     

用规范变换求解(n ,m)~(th)阶KdV系列(英文)

(n ,m)阶KdV系列是KP系列限制在如 :L[n ,m] =e-mθAe-nθB-1e(n m)θ 形式的拟微分算子的子流形上所得到的子系列 .本文给出一个构造该系列的规范变换的方法 ,由此可以从其一已知解得到新解 .作为例子 ,详细求解了 ( 1 ,2 )阶KdV系列     

14 MeV中子(n,p)反应截面的系统学研究

研究中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ,ｐ）反应截面的系统学特性．在对实验数据进行分析、评价的基础上,给出了系统学经验公式,并计算了一批核素的反应截面,理论计算与实验结果符合较好     

(m,n)-凝聚模与(m,n)-半遗传模

通过类比凝聚模、(m,n)-凝聚环和半遗传环的概念与性质,给出了(m,n)-凝聚模和(m,n)-半遗传模的概念,并研究了在一般环的条件下(m,n)-凝聚模和(m,n)-半遗传模的性质.还通过(m,n)-M-平坦模和(m,n)-M-内射模给出了(m,n)-凝聚模和(m,n)-半遗传模的一些等价刻画.     

(m,n)-余挠模与(m,n)-平坦模

设R是环,m,n是非负整数,称右R-模C是(m,n)-余挠模,是指对任何平坦维数不超过n的右R-模N,都有Extm+1R(N,C)=0.称右R-模M为(m,n)-平坦模,是指对任何(m,n)-余挠模C,都有Ext1R(M,C)=0.证明了(F nm,C mn)是完备的遗传余挠对,其中F nm,C mn分别表示(m,n)...