一种适用于晶体振荡器的单块半导体集成电路

本文继[2]后提出了另一种共岛电容器结构,取名共岛PN结电容器,共集电极晶体振荡器电路集成化时采用这种电容器结构只需要平面晶体管工艺就可以做成单块集成电路,工作频率为30到6OMHz,这种电容器结构也可用于双极型集成电路,可以收到减小芯片面积和设计灵活的效果.     

MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

利用可编程序台式电子计算机进行MOS集成电路的设计

本文报导利用可编程序台式电子计算机设计MOS集成电路的一种方法,其中包括:阈电压、反相器的直流与瞬态特性以及饱和MOS负载反相器的设计程序,计算时采用了简化的模型,并把计算结果与实验数据进行了比较。     

一个小型MOS串联存贮器的初步实践

前言 近年来,金属——氧化物——半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS——11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个     

MOS大规模集成电路阵列布局方法

在中、小规模MOS集成电路中采用的随机布局方法不再适用于MOS/LSI的布局设计.本文从布局观点出发,把MOS/LSl分为规则阵列和逻辑阵列,提出了对MOS/LSI版图设计很重要的几种布局方法。详细地介绍了组合和时序ROM逻辑阵列以及PLA逻辑阵列的布局方法及其逻辑设计依据.“ROM”法和“PLA”法是直接将其阵列逻辑图用于MOS/LSI版图布局设计的先进布局方法。这些布局方法对MOS/LSI版图设计是普遍适用的,既能解决随机布局对复杂逻辑系统版图设计难以解决的布局问题,又为版图设计带来了图形规整,便于修改,检查、测试和安排计算机程序进行辅助设计的优点。还对各种布局方法作了举例说明,对比分析了各自的优缺点,并就MOS/LSI的整体布局设计考虑作了一般原则性论述.     

高浓度硼、磷扩散后光刻中“染色现象”的分析

引言MOS 集成电路是近年来发展起来的一种新型集成电路,它的工作原理完全不同于普通双极型集成电路,由于它具有输入阻抗高。噪音系数低、功耗小、制造工艺简单等优点,目前 MOS 集成电路已成为国防工业和国民经济中迫切需要的产品。     

一个小型MOS串联存贮器的初步实践

前言 近年来,金属──氧化物──半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS-11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个多月的时间内,我们完成了以下几项工作: 1.MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试; 2.外围电路的设计与定型; 3.宽行打印机的逻辑设计; 4.模型实验及稳定性的初步考验。 一、MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试 1.DVJ-D40集…     

集成电路工艺课程实践教学设计

随着集成电路工艺技术呈现日新月异的发展,集成电路工艺实践的教学需要通过现代化的课程设计、完善的教学内容,全面培养学生在集成电路工艺领域的实践能力.通过对集成电路工艺实验教学的课程目标、课程内容、教学环节、课程考核等多方面讨论,展开对集成电路工艺实践课程的研究与探索.以一个电容器的设计和制造贯穿整个课程,综合运用器件仿真...     

MAOS晶体管的存貯特性及其在只讀存貯器中的应用

随着MOS大规模集成电路技术的发展,半导体MOS存贮器在电子计算机中获得了广泛的应用。MOS存贮器大致分为存贮信息挥发和不挥发两类。前者有MOS晶体管电路的随机存取存贮器,在1μs以下可写入和读出信息,但在切断电源后,不能保持存贮内容;后者具有永久保持存贮内容的特性,不受电源通断的影响,但存贮内容不能随便改变。在数据处理工作中,要求经常或定期改变和部分的改变存贮器的存贮内容,需要少量多品种的不挥发性存贮器。采用MOS只读存贮器,须按预编程序一一设计掩模,这样造价高、浪     

MOS—183电子数字计算机

MOS—183电子计算机是北方交通大学电子工程系和北京市半导体器件五厂协作研制的通用性多功能小型计算机。该机的中央处理机、外围控制器和接口采用 P—MOS 集成电路,内存仍用磁芯,其控制线路和驱动线路用 TTL 集成电路,MOS—183机目前配有16KB 字节存贮器,光电输入、穿孔输出、键盘输入、键盘输出等外设。MOS—183机是从 DJS—183机简化而来的,简化后其指令系统、中断系统、和外部件工作方式仍然相同,软件兼容。本文将简要介绍 MOS—183机基本指标,基本特点及其改进意见。     

等离子体腐蚀特性

等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地讨论了等离子体腐蚀机理,给出了若干等离子体腐蚀特性的实验测量结果,并给了等离子体腐蚀的最佳工作条件。     

非饱和MOS负载倒相器的上升时间

E/EMOS倒相器的负载管处于常导通状态,当其工作在非饱和区时,称为非饱和MOS负载倒相器(见图1)。由于工作在非饱和区,提高了电路的开关速度,较饱和MOS负载电路有更好的瞬态特性。倒相器的瞬态特性决定了倒相器的开关时间和工作速度,是设计MOS集成电路的主要依据,而影响瞬态特性的主要参数又是上升时间t_r。t_r定义为     

直接耦合放大电路中零点漂移的分析

为了提高电子产品的集成化生产能力,在20世纪60年代发展起来的一种半导体器件——集成电路,它是采用集成工艺把晶体管;场效应管;二级管;电阻;电容等元器件以及它们之间的连线集成在,一个芯片上,由于半导体基片上不可以制造大阻值电容,所以集成电路一般采用直接耦合的结构,这样就出现一个新问题即零点漂移,本篇分析了产生零点漂移主要原因,提出解决方法。     

提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的几点措施

本文报导了提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的研究结果.单片管芯成品率最高达到67.9%,批量管芯成品率最高达到57.3%,平均管芯成品率稳定在37.5%～49.2%之间.     

低功耗CMOS集成电路设计方法的研究

目前，作为主流的集成电路设计工艺，已被广泛应用在集成电路的低功耗设计中。高性能、低功耗集成电路的设计方法已成为集成电路设计的一个焦点。本文主要研究了CMOS电路功耗设计的基本理论以及设计中的一些方法。     

集成电路检测方法的探讨

电子技术成为当代最活跃、渗透力最强的科学技术,每个人日常生活中处处离不开电子产品,而电子产品的集成化愈演愈烈,几乎每一个电子产品内部都有集成电路,这样以来,对电子产品的故障率是降低了,但是一旦集成电路出现故障,会给维修带来很多不便,笔者对集成电路的测量检修方法做一下探讨交流。     

MOS电流模逻辑电路的设计方法和流程

本文主要介绍了MOS电流模逻辑电路的特点与整个设计流程中主要的要点和方法,以便今后在设计过程中引起人们对于MOS晶体管使用的重视。     

阀岛技术在卷接设备上的应用

阀岛技术是近年以来出现的一种新型的电子气动控制应用技术。它具有集成化技术的优势,大大简化了设备的安装和维修,也降低了设备故障率。本文对阀岛技术在PROTOS70卷烟机上的应用进行了分析,并展望了阀岛技术发展的前景。希望对解决在今后工作中出现的阀岛故障问题有所帮助。     

高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑

本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。