Mn_5Ge_(3-x)Sb_x(x=0,0.1,0.2,0.3)化合物的晶体结构和磁性

测量了不同温度下系列化合物Mn_5Ge-(3-x)Sb_x(x=0,0.1,0.2,0.3)的磁性。这种化合物具有Mn_5Si_3型D8_8晶体结构,空间群为P6_3/mcm。随着元素Sb含量的增加,居里温度T_c随之增加,而Mn原子的平均磁矩和有效磁矩随之减少。     

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释     

过共晶Al-Si-xLa合金温度阻尼行为

研究了过共晶Al-Si-xLa舍金在不同频率下的阻尼-温度行为．Al-Si合金通过常规的铸造和喷射成形工艺制备,并采用动态热机械分析仪(DMTA)对Al-Si合金阻尼行为进行研究．结果表明,各实验合金不同频率下阻尼随温度的变化规律相同．阻尼缓慢增加到300℃后开始迅速增大．用G-L位错阻尼理论、晶界阻尼、界面阻尼对这种阻尼行为进行了解释．铸态下,添加适量La(质量分数0．003,0．01)对过共晶Al-Si合金的阻尼有提高作用,La过量后反而对阻尼不利．喷射成形态Al-17Si-xLa合金的阻尼与La含量并无明显相关关系．喷射成形工艺对Al-17Si体系合金的阻尼无明显影响．     

非晶合金薄膜(Fe_(0.4)Ni_(0.2)Cr_(0.4))_(72)Si_(28)的电阻特性与温度及非晶度的关系

测定了非晶合金薄膜(Fe_(0.4)Ni_(0.2)Cr_(0.4))_(72)Si_(28)在20-620℃范围内电阻随温度变化的曲线,以及这一变化与薄膜的物相构成及非晶度的关系。研究了这一合金薄膜电阻温度系数TCR随热处理温度的变化以及它与非晶度的关系。探讨了合金薄膜中Si的含量对TCR数值的影响及作用机理。指出了获得合金薄膜最佳电阻温度系数的一些可能的途径。     

非晶态Fe-Si-B系合金的杨氏模量与类金属成分关系的探讨

本文根据作者新近提出的"双层单元结构模型",计算了模型中金属-类金属的有效成键数与类金属成分的关系,从而对由液态淬火制备的Fe-Si-B系非晶态合金的扬氏模量随类金属含量的增加而线性地增加,且添加类金属B比添加Si更为有效等重要实验结果,作出了较为合理的解释.并为进一步提高非晶合金的杨氏模量指明了探索的途径.     

非晶态合金带的表面状态和类金属对磁性的影响

非晶态(Fe_(80)Ni_(20))_(78)Si_(22-x)B_x合金的磁各向异性和磁致伸缩随B元素含量的增加和Si元素含量的相对减少而缓慢降低。居里温度和磁矩却呈现出缓慢增高的变化趋势。非晶态合金带的表面状态条纹效应是引起宏观磁各向异性的重要因素之一。对于上述实验现象本文应用退磁效应、分子场近似和电子转移模型等理论予以定性解释。     

Fe_(80)B_(20)和Fe_(82)B_(18-x)Si_x非晶态合金的研究

本文应用四端电位法测量了Fe_(82)B_(18-x)Si_x(x=2,4,6,8,10)合金的电阻率随温度的变化,确定由非晶态向晶态转变过程的转变温度,研究该合金中Si 含量对晶化的影响。应用Hesse 方法研究了Fe_(80)B_(20)和Fe_(82)B_(18-x)Si_x 非晶态合金的超精细场分布,得出在各种不同B、Si 浓度下平均超精细场的变化曲线。应用剥谱技术分析Fe_(80)B_(20)和Fe_(82)B_(18-x)Si_x 合金完全晶化后的相结构。     

Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y固溶体

用X射线衍射及氧含量分析法测定了Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y固溶区域为0≤x≤0.4。当x<0.25时,Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y属正交晶系;x=0.25时,发生从正交到四方的相变;在整个固溶区域内,T_c随x的增加而下降,直至淬灭。同时探讨了Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y化合物在不同的淬火温度、氧含量与晶体结构、超导电性的关系。     

汽化热与温度的关系

本文以表面能的角度来解释液体的汽化热随温度变化的关系,并用卡诺定理导出了表面能与温度的关系式。     

氢原子在混晶半导体Si_xGe_(l-x)表面上的化学吸附

本文采用2×2矩阵相干势近似和格林函数方法研究了氢原子在混晶半导体Si_xGe_(1-x)表面上的化学吸附,给出了化学吸附能和电荷转移随Si的百分比浓度的变化曲线,计算结果表明:(1) 化学吸附能随Si含量的增加而减小;(2) 电荷转移随Si浓度的增加而缓慢减少;(3) 在化学吸附过程中,氢原子被带上负电。     

YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K 范围内,测量了 YBa_2Cu_3O_7高 T。超导体中 Cu 的核四极共振的自旋晶格弛豫时间。磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用。弛豫时间与温度的关系,在 T_o 以上可近似用 T_1T~(0.5)=常数拟合,在 T_o 以下,未观察到经典 BGS 超导体的弛豫行为。     

YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K范围内,测量了YBa_2Cu_3O_7高T_c超导体中Cu的核四极共振的自旋晶格弛豫时间.磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用.弛豫时间与温度的关系,在T.以上可近似用T_1T~(0.5)=常数拟合,在T.以下,未观察到经典BCS超导体的弛豫行为.     

羟丙基纤维素在水溶液中聚集行为的温度效应与焓/熵补偿

测定了不同温度下HPC水溶液表面张力随浓度变化曲线.热力学计算结果表明HPC在水溶液中聚集过程表现出焓/熵补偿现象.补偿温度为Tc=298.06K.     

在横场中(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠

通过引入negativity的概念，研究了（1／2，1）混合白旋各向异性XY模型的量子纠缠，得到了两个白旋在外场中的有限温度时的量子纠缠的数值结果．发现该系统存在一个临界温度Tc，当温度大于Tc时，量子纠缠消失．     

电声机制能形成高的超导转变温度Tc

电声子机制能否形成高温超导电性,是超导理论和材料研究的极为重要的课题。本文以Ginzburg原理、Eniashberg方程讨论了在不同的关联态下,电声子形成高的超导转变温度的特征,并以超导材料的本征结构特征讨论了高T_c铜氧化物超导体的结构对高T_c产生的特征。得出:传统电声子理论中对超导材料T_c的值的无特定的限制性,用超导材料的双体结构的物理模型讨论,得出了超导电性机理的电声子机制能形成高的超导转变温度。进一步对高T_c铜氧化物超导体中的电声子的特性给出了一个明确的结论。     

YBa2Cu3—xMxO7—y体系的结构和热稳定性及电子局域化

测定了系列单相样品YBa_2Cu~(3-x)M_xO_(7-y)(M=Zn,Co,Ni)的结构参数,热分解温度和电阻一温度关系。结构分析表明Zn在一定范围内有序地取代Cu,而Co和Ni的取代则是无序的。超导电性与有序取代和无序取代有很强的关联。随着x值的增加,热稳定性逐渐降低,电子局域性增加,Tc下降,四者之间存在密切的关系。作者用晶格的不稳定性解释了这一事实。     

高T_c超导电性的声子-激子联合机制

本文根据高T_c氧化物超导材料的性质及其能带计算结果,提出了高T_c超导电性的声子-激子联合机制,在Eliashberg强耦合超导理论的框架下推出了声子-激子联合机制的超导转变温度T_c公式,并解释了同位素效应和相干长度的新特性。     

超导体的临介温度T_c及其结构性能关系

本文提出了超导体的临介温度及其结构性能相关的一个经验公式,在探索新的高温超导体系研究工作中,用它有助于优选配方,也有益于了解超导机制.     

Y-Ba-Cu氧化物超导体的磁学特性的研究

用Faraday磁天平研究了77K附近YBCO超导体的磁学性质,表明实验制得的样品类似于第Ⅱ类超导体,并且在转变温度以上遵循Curie-Weiss定律。该样品的T_o为87.4K,转变宽度为3.1K。样品的组成、烧结和冷却条件等对超导特性均有影响。     

Pr替代La5/8Ca3/8MnO3体系的磁性与电输运特性

系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc和绝缘体-金属转变温度TMI都向低温区移动.在较低温度下电阻率表现出了极小值现象,而这一现象随外加磁场的增大逐渐受到抑制,对此现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.在Tc和TMI转变温.度区域,样品表现出较大的磁电阻效应.样品在高温下的电输运行为可根据可变程跃迁机制得到很好的解释.