纳米材料抗菌性能的研究

基于纳米材料的抗菌特性,采用纳米沸石银和纳米沸石锌作为抗菌材料,研究其对垃圾堆肥样品的抑菌效果.研究结果如下:2种纳米材料均具有抗菌作用.从同一菌液浓度的抑菌圈大小看,纳米沸石-Ag对细菌的抑制效果优于纳米沸石-Zn,这2种材料的抑菌圈大小均随着菌液稀释度的增大而增大;纳米沸石-Ag的最小抑菌浓度为3 mg/mL,最大杀菌浓度为28 cfu/mL.而纳米沸石-Zn的最小抑菌浓度为0.5 mg/mL,最大杀菌浓度为0.28 cfu/mL.纳米复合沸石的质量浓度越高,作用时间越长,抑菌效果越好.综合比较,纳米沸石-Ag抑菌效果优于纳米沸石-Zn.     

掺杂PZT压电陶瓷材料的研制及其发展趋势

在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备的基础上,总结出生产掺杂PZT材料的最佳烧成条件,指出所研制的样品已达到或超过压电点火材料的水平,但所选系统仍有潜力可挖,只要工艺合适,性能完全能再提高,对无铅压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。     

银的抗菌作用机理

介绍银的抗菌机理的4种理论：静电吸附杀菌、金属溶出杀菌、光催化杀菌和复合作用杀菌。分析银的抗菌机理与抗菌材料载体种类、细菌结构与成分及银的价态的关系。要得到既长效又广谱、既高效又安全的银系抗菌材料，有必要对银的抗菌机理进行更深入的研究。     

前躯体对载银二氧化钛粉体结构和抗菌性能的影响

分别以偏钛酸和正钛酸前躯体制备载银二氧化钛粉体,采用TG-DSC,XRD和SEM研究前驱体对粉体的结构、形貌及抗菌性能的影响.研究结果表明:载体偏钛酸结合水较少,煅烧后晶化程度高,更容易形成稳定的金红石相;当煅烧条件相同时,以偏钛酸前躯体制备的粉体颗粒小且均匀,无明显团聚,而以正钛酸前躯体制备的粉体颗粒则团聚严重,颗粒粗大且不均匀;2种粉体中载入的银均以硫酸银的形式存在;含银量相同的载银二氧化钛,以偏钛酸前躯体制各的粉体抗菌活性强,但水浸渍一段时间后,抗菌活性明显降低.而以正钛酸前躯体制备的粉体的色泽稳定性和长效抗菌性较好.     

银锌复合透明抗菌薄膜的制备及其性能研究

采用sol—gel法，以正硅酸乙酯（Si（OC2H5）4）作为反应的前驱体，硝酸锌、硝酸银为抗菌活性成分，柠檬酸为配合剂，无水乙醇为溶剂，HNO3为催化剂，通过浸渍提拉法在普通的玻璃基片上制备银锌复合薄膜，用扫描电镜（SEM）和紫外可见光谱（UV-Vis）对薄膜进行了表征，抑菌圈法评价银锌复合薄膜的抗菌性能，结果表明：透明的银锌复合薄膜具有优良的抗菌性能。     

不锈钢及以其为基底的TiN膜注银的抗菌性的XRD分析

择优取向为(111)的TiN涂层，沉积表面光滑、硬度高、耐磨性好、结合强度高、耐腐性能强，因此，被用于矫形外科及骨植入材料．银离子有很好的抗菌性，所以生长含银的TiN膜可将这些优良的机械和生物性能相结合．本文研究银离子注入不锈钢及以不锈钢为基底的TiN膜的微观结构对其抗菌机理的影响．XRD分析的结果表明Ag 注入没有影响TiN(111)择尤取向．银在不锈钢和TiN膜上的晶面择优取向为(200)，(111)．这有可能是银注入这两种材料不同抗菌性的原因．     

抗菌Lyocell纤维的研制

选择了4种抗菌剂，采用共混纺丝的方法制备了抗菌Lyocell纤维，并探讨了它们的抗菌性能和物理机械性能。     

壳聚糖/膨润土/锌复合物的制备与抗菌性能研究

采用离子交换的方法分别将壳聚糖和锌离子插层和负载到膨润土层间,制备了壳聚糖/膨润土/锌的复合物.用XRD、ICP、元素分析等表征了复合材料的结构,结果表明壳聚糖与锌离子已经分别插层和负载到膨润土中,壳聚糖以单层、双层两种方式插入膨润土.层间距由1.47 nm扩展成2.55 nm.研究了复合物在蒸馏水和盐水中的缓释行为及...     

银纳米线与氧化石墨烯复合物的制备及其抗菌性能研究

为了获得具有良好抗菌活性的材料,制备氧化石墨烯与银纳米线的复合材料.通过透射电子显微镜、扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外-可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱对制备的氧化石墨烯、银纳米线和氧化石墨烯与银纳米线复合材料进行表征.以大肠杆菌为试验菌株进行抗菌性能试验.结果表明,氧化石墨烯与银纳米线复合材料具有明显的抗菌作用.从氧化应激理论和膜损伤理论等方面探讨了抗菌材料的抗菌机制.以DMPO(5,5-二甲基-1-吡咯啉-N-氧化物)和TEMP(2,2,6,6-四甲基哌啶)为捕获剂,采用ESR方法分别测定了材料在光照射下产生的3种活性氧(O·-2,1 O2,·OH),并采用扫描电镜法观察大肠杆菌的微观形态.     

载银累托石的抗菌作用

研究了用离子交换吸附技术制得载银累托石粉体的抗菌作用。经检测，当累托石含银质量分数达5％以上时，在10min内对大肠杆菌(ATCC25922)、绿脓杆菌(ATCC9027)、金黄色葡萄球菌(ATCC10230)和黑曲霉(ATCC16404)的杀菌率均达100％，最小抑菌浓度(MIC)小于50μg／mL，并且对细菌不易产生耐受性，具有良好的抗菌持久性。     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

一种压电陶瓷降压变压器材料的制备

一种新型添加ＣａＣＯ３、Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３、ＭｎＯ２的改性ＰｂＴｉＯ３是压电陶瓷降压变压器的较佳材料、在采用传统的陶瓷制备工艺的基础上,通过实验研究了预烧合成、烧成及人工极化等主要工艺条件对材料性能的影响,得到了这种材料的优化制备工艺。     

微晶玻璃在牙齿修复材料上的应用

介绍了MgO-CaO-SiO2-P2O5，多元系统牙齿修复材料的工艺原理、化学组成、制备过程和特点。     

Fe2 P对LiFePO4/C复合材料性能的影响

采用固相法合成LiFePO4和LiFePO4/C复合材料,研究了蔗糖分解的碳包覆对LiFePO4材料性能的影响.XRD检测纯LiFePO4为单一的橄榄石相,而LiFePO4/C复合材料中出现高导电物质Fe2P相;SEM显示样品的粒径均在1μm以下,包覆碳样品的晶粒更小,但出现团聚现象.此方法合成的纯LiFePO4初始容量高达136.6 mAh/g.Fe2P的存在使LiFePO4材料的大电流放电能力得到提高.     

轻质陶砂表面包覆TiO2催化材料及降解罗丹明-B的研究

研究了轻质陶砂表面包覆TiO2光催化剂后,其接近于水的比重,可以在水中悬浮和分散,增加其光照程度和与水的表面接触面积,提高光催化性能,以便增强其降解有机物的能力.实验结果表明:采用轻质陶砂表面包覆TiO2光催化材料降解罗丹明-B的效率比普通轻质陶砂表面包覆TiO2的效率提高12％.在热处理温度为400～450℃时,降解...     

KMnO4改性活性炭对Zn2+ 和Cd2+ 的吸附研究

研究了KMnO4改性的颗粒活性炭对Zn2+和Cd2+的吸附去除性能.考察了pH、吸附时间、投加量对Zn2+和Cd2+吸附率的影响,并研究了吸附等温线.结果表明:KMnO4改性活性炭对Zn2+和Cd2+且有强的吸附去除能力,随着pH的增大吸附率增大,对Zn2+的吸附能力高于Cd2+;在25℃及pH=7.0的条件下,Cd2+的吸附比Zn2+进行得快,吸附平衡时间分别为60和120min,吸附行为符合Langmuir吸附模型;在25℃及pH=7.0时,对Zn2+和Cd2+饱和吸附量分别为10.80和4.56mg/g,分别是未改性颗粒活性炭的1.2和1.4倍,升高温度可显著提高Zn2+和Cd2+的吸附量.     

镁离子掺杂对LiFePO4/C复合正极材料性能的影响

为了提高正极材料LiFePO4的电化学性能,采用两步固相法合成LiFe1-xMgxPO4/C(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)复合正极材料,并对所得样品进行XRD、SEM、以及充放电循环性能测试.测试结果表明:掺杂少量的Mg2+并没有影响材料的结构,所得样品都为单一的橄榄石型;充放电结果表明掺杂Mg2+为0.02的样品即LiFe0.98Mg<,002>PO4/C电化学性能最佳,在0.2C倍率下首次放电比容量为149.32 mAh/g,经过50个循环,仍然有138.37 mAh/g,衰减仅率为7.33%.     

ZnCr2O4陶瓷烧结反应机理的探究

用ＴＧ,ＤＴＡ及ＸＲＤ等方法研究了ＺｎＣｒ２Ｏ４－Ｃｒ２Ｏ３陶瓷传感材料,在常温－１０００℃程序升温过程中的化学反应机理及烧结产物的物相结构。     

磷酸铜表面修饰富锂层状正极材料的制备及电化学性质

用溶胶 凝胶法制备富锂锰基层状正极材料Li_1.18Ni_0.15Co_0.15Mn_0.52O₂, 并对其进行Cu₃(PO₄)₂表面修饰. 用X射线衍射, 扫描电子显微镜和红外光谱测试样品的表面形貌, 并对样品进行恒电流充放电测试及电化学阻抗谱测试. 结果表明: Cu₃(PO₄)₂均匀包覆在材料表面, 以非晶态存在, 修饰后Li+在过渡金属层中的有序排列被破坏; 表面修饰后富锂材料的首圈库仑效率由77%提高至94%； 表面修饰前后材料的初始放电比容量均为244 mA·h/g, 100圈循环后经Cu₃(PO₄)₂表面修饰的富锂材料的放电比容量为203 mA·h/g, 容量保持率为83%； 表面修饰后的材料在3.0,2.7 V出现了一对氧化还原峰, 相对应在充放电曲线出现新平台; Cu₃(PO₄)₂修饰后富锂层状正极材料的阻抗明显减小.     

Zn2SiO4电子结构及光学性质的第一性原理计算

使用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Zn的3d态电子和O的2P态电子构成,导带在6.5～7.5 ev之间,起主要贡献的是Zn的3p和4s...