t′次近邻跃迁对角分析光电子谱的影响

以SDW波模拟赝能隙,基于具有自旋密度波(SDW)和d-波超导对称性(DSC)的Hub bard唯象模型,同时考虑近邻、次近邻跃迁效应,在平均场近似下计算谱函数及态密度,研究赝能隙和次近邻跃迁(t′)对ARPES的影响。发现考虑次近邻跃迁后得到的结果与铜氧化物高温超导体的性质符合的更好。     

t''''次近邻跃迁对角分析光电子谱的影响

以SDW波模拟赝能隙,基于具有自旋密度波(SDW)和d-波超导对称性(DSC)的Hubbard唯象模型,同时考虑近邻、次近邻跃迁效应,在平均场近似下计算谱函数及态密度,研究赝能隙和次近邻跃迁(t')对ARPES的影响.发现考虑次近邻跃迁后得到的结果与铜氧化物高温超导体的性质符合的更好.     

掺杂全息费米系统

构建了包括两个规范场和一个中性标量场的两流体模型.数值得到渐近标量毛AdS黑膜解.模型导入了两个可调节的化学势,从而导入了可控的掺杂参数.研究了特定参数下全息费米系统的性质.研究表明随着赝标量汤川秀树耦合增大,能隙打开,标志着系统衍生出绝缘相.固定赝标量汤川秀树耦合,随着掺杂参数的增大,能隙打开的临界值减少,能隙的形成更容易.并给出了相应的温度-掺杂相图.最后,根据模型参数,将模型分类.     

氮掺杂碳化硅纳米管电子场发射的第一性原理研究

运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响.计算结果表明,在外加电场作用下,体系的态密度均向低能端移动,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小,且Mulliken电荷在帽端聚集程度增加.态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙及Mulliken电荷分析表明,氮掺杂改善了碳化硅纳米管的场发射性能,且N替代顶层五元环中Si原子体系场发射性能最优.     

BN纳米带几何结构和电子性质第一性原理研究

本文采用第一性原理研究了不同带宽下BN纳米带的几何结构与电子性质。研究结果表明：随着带宽的增大,BN纳米带边缘发生形变,键角增大,B-B键键长增大,当带宽约为1.7nm时,B-B键发生断裂;电子性质研究表明：随带宽减小,最高占据轨道(HOMO)/最低非占据轨道(LUMO)能隙减小。对电子态密度(DOS)及赝能隙分析表明：BN纳米带带宽越小在费米能级处DOS越大,且赝能隙越小,这和GNR比较相似,说明BN纳米带越窄电子越容易从价带向导带跃迁。     

高压下GaN的光学特性

根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,研究了闪锌矿结构的GaN晶体在不同压强下的光学性质。结果表明,随着压强的增大,直接带隙和间接带隙都逐渐增大;在外界压强为125 GPa时,GaN从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,吸收波段出现了蓝移的现象。     

Bi2Sr2CaCu2O8+δ正常态霍尔系数的理论分析

以基于高温超导体双成分模型的近局域对理论分析Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ正常态霍尔系数的温度行为,得到与实验相符的结果。指出赝隙随温度降低的不断加深导致了霍尔系数在比T_c略高的温度出现正的极大值,并且该极大值与赝隙深度随温度变化的谷底附近相对应。     

氧化物材料中赝能隙对输运性质的影响

在ｔ－Ｊ模型和Ｆｅｒｍｉｏｎ－Ｓｐｉｏｎ理论的框架下,研究了强关联氧化物超导材料的输运性质,在最佳掺杂区,系统的电阻与温度是线性关系。在欠掺杂区域,由于在低温情况下存在赝能隙减弱了带电粒子的散射,导致了电阻由在高温时与温度的线性关系转变成为低温时偏离线性关系。     

应力作用下CrSi_2电子结构的第一性原理计算

应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.     

强耦合超导体的热力学性质

基于Nozières-Schmitt-Rink(NSR)理论的强耦合系统,研究了高温超导体从电子预配对的形成到玻色-爱因斯坦凝聚的演变过程.首次利用NSR理论,在临界温度以上的温度区域,计算了电子熵、电子比热容等热力学量及线性比热系数,并相应地描绘出了各物理量随温度的变化曲线.由比热系数随温度的变化曲线可知,在大于临界温度时比热系数已随温度的减小而减小.这就意味着,在NSR理论框架下,强耦合系统中有赝隙现象产生.通过比热系数的变化趋势确定赝隙的存在是这篇文章得到的重要结果.     

均匀重力场中弱相互作用费米气体的稳定条件

在局域密度近似(LDA)的框架内得到重力场中弱相互作用费米气体的总能,在此基础上,研究了不同温度情况下的稳定性条件,并给出了稳定性条件的解析表达式,结果表明:理想的和存在排斥作用的系统总是稳定的,而对于弱吸引相互作用的费米气体,在较低温度下,临界散射长度与粒子数密度有直接的关系,但在较高温度下,临界散射长度与粒子数密度没有直接的关系.     

InP单晶表面势垒高度与表面态密度的光伏测算

应用变温光伏方法测定了Ｎ型低阻ＩｎＰ单晶的表面势垒高度，进而分析、计算了简并化的ＩｎＰ单晶表面态密度。     

木堆积结构光子晶体中辐射子簇的非指数衰减动力学研究

在低折射率对比的木堆积光子晶体结构中,讨论了光子晶体元胞内辐射子簇自发辐射速率分布和非单指数衰减动力学问题.结果表明,自发辐射速率分布和辐射子簇的衰减快慢很大程度上依赖于辐射子的跃迁频率. 辐射子跃迁频率位于光子带隙上带边的自发辐射速率慢于位于赝带隙中心的速率,这与传统理论不符.本文定义了衰减函数,计算的平均衰减寿命和实验结果吻合.这些结果为实验探测时间分辨衰减动力学以及局域态密度提供了理论依据.     

Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性

在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。     

一种二茂铁衍生物的一阶超极化率的色散关系

在含时杂化密度泛函理论的水平上,研究了二茂铁分子的非线性光学性质．计算结果表明,在低能量范围内,二茂铁分子存在一个电荷转移态．利用两态模型计算了分子的一阶非线性超极化率陆,并讨论了基矢效应和陆的色散关系,计算结果与实验结果符合得较好。     

多孔氧化铝的阳极氧化初期形成阶段

测量了单晶铝在阳极氧化过程中的电流密度－时间曲线,曲线可分为3部分,分别对应多孔氧化铝形成的3个阶段,初始电流密度的下降是阻挡层的形成引起的;随后电流密度的升高是孔的形成赞成的;当落在阻挡层上的电压降足够低,使得质子可以进入阻挡层,这时孔的雏形形成;当上升过程结束,电流密度达到稳定值后,孔的分布已完成。     

Stress-induced recrystallization of a protein crystal by electron irradiation.

Ordering of a system of particles into its thermodynamically stable state usually proceeds by thermally activated mass transport of its constituents. Particularly at low temperature, the activation barrier often hinders equilibration--this is what prevents a glass from crystallizing and a pile of sand from flattening under gravity. But if the driving force for mass transport (that is, the excess energy of the system) is increased, the activation barrier can be overcome and structural changes are initiated. Here we report the reordering of radiation-damaged protein crystals under conditions where transport is initiated by stress rather than by thermal activation. After accumulating a certain density of radiation-induced defects during observation by transmission electron microscopy, the distorted crystal recrystallizes. The reordering is induced by stress caused by the defects at temperatures that are low enough to suppress diffusive mass transport. We propose that this defect-induced reordering might be a general phenomenon.     

新的应用于氧和氮的全区域状态方程

建立了一个新的全区域状态方程，将其表示成温度和密度函数的亥姆霍兹自由能形式。新状态方程克服了以前状态方程不能全区域计算热物理性质的缺陷，尤其在临界区的数学困难，它是截至目前唯一能够适应于液相区、气相区、饱和区、临界区的热力性质计算的全区域方程，并将其应用于氧和氮的热力性质呈现．本文给出的氧的状态方程能精确适用于温度低至三相点、温度高达３００Ｋ，密度高达３倍临界密度的宽广范围；氮的状态方程温度高达３５０Ｋ，新方程式不仅能准确呈现温度、密度、压力关系式，而且还能满意地给出其它导出热力性质，诸如比热容和音速，最后，给出了新状态方程与实验数据的比较偏差。