塑料加工助剂现状及发展趋势

以聚烯烃为全,欠条离塑料加工助剂在塑料工业中的地位、类别和作用及国内外现状和发展趋势,并为发展塑料用加工助剂提出了积极的建议。     

塑料抗氧剂的种类、现状及发展趋势

添加抗氧刺是高聚物稳定化处理最简单通用的方法，抗氧剂是抑制或延缓高聚物受大气中氧或臭氧作用而降解的添加剂，是塑料中应用最广泛的助荆。论述了塑料抗氧剂的种类、生产现状，并提出塑料抗氧荆的发展方向及趋势。     

沟道基区晶体管的频率特性

本文是利用新近研制成功的沟道基区晶体管(CBT)的等效电路,详细地推导出CBT的频率特性与其物理参数的关系,并指出提高频率特性的方向和方法。     

正在研制的高速新型晶体管

目前,美国科学家正在对一种新型晶体管进行微调。这种晶体管的计算速度大约是现有技术的10倍。美国国立桑迪亚实验所的科学家们正在研制的这种晶体管,既可用于计算机和蜂窝电话,又可用于探测微量有毒物质的卫星和传感器。特粒华大学的保罗·伯杰在对联邦科研小组的工作进行评审以后     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应

利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers—Mo11)模型，使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管．这样通过流经各个PN结的电流的变化，可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应．     

石墨烯晶体管研究进展

针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:石墨烯平行纳米带阵列结构和异质结结构有望打开石墨烯禁带以实现大的电流开关比,将是石墨烯数字晶体管的研究热点;通过降低接触电阻、接入电阻以及衬底、栅介质的匹配来提高截止频率和最大振荡频率将是石墨烯射频晶体管的主要发展趋势;基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底和离子凝胶栅介质的柔性制造技术,最有希望在保证石墨烯高迁移率的基础之上实现全石墨烯透明柔性电路,使石墨烯晶体管得以实用,必将对集成电路行业产生巨大影响。     

提高功率达林顿晶体管温度稳定性的措施

本文以ＦＨ３２３型高频大功率达林顿晶体管为例，讨论Ｒ１、Ｒ２的作用与选择，提出Ｒ１、Ｒ２的最佳设计方法，从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管ｈＦＥ、ＩＣＥＯ的温度稳定性。     

低噪声晶体管放大器的设计

以实现声频放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个方面．从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法．还对系统电路的低噪声设计略加探讨．     

塑料回收和可降解塑料

１塑料回收和再利用塑料包装工业取得了世人瞩目的进展,对提高人类生活水平作出了巨大贡献。塑料的稳定性、耐候性本来是其优点,但由于包括包装塑料的废塑料量与日俱增,由于可填埋场所的减少,新设地点远,填埋费用上涨。另外,废塑料对农业和水产业产生极大危害,破坏...     

晶体管特性测试电路的改进

半导体三极管是电子电路中的核心器件。在半导体三极管特性测试过程中，经常会出现烧坏电阻器和晶体管的现象。通过分析测试电路的工作原理，结合电子实验室配备的仪器，对其进行改进，以便更快、更安全地完成实验。     

晶体管群放大器的设计

对群放大器的技术要求进行了分析,指出了设计的构思和考虑,得出了总体电路和各元件值,并进行了讨论.     

功率晶体管背面金属化研究

本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明，采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻，减小饱和压降和改善在电流特性。特别是，间隙工作寿命试验超过38000次以上，达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。     

氯离子敏感场效应晶体管电极的研制

本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl~--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10~(-5)mol·L~(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。     

晶体管输出特性曲线的物理机制

引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用.