半群Q(k)的极大正则子半带

设T(X)和O(X)分别是X上的全变换半群和保序全变换半群,Y是X的非空子集,令F(X,Y)={α∈T(X):Xα?Yα?Y},OF(X,Y)=O(X)∩F(X,Y).当Y=n≥4时,对任意的2≤k≤n-2,考虑半群Q(k)={α∈OF(X,Y):Im(α)≤k}的极大正则子半带的结构,利用Miller-Clifford定理,证明了半群Q(k)的极大正则子半带有且仅有两类:A(α)=Q(k-1)∪(J(k)\L_α),α∈J(k);B(β)=Q(k-1)∪(J(k)\R_β),β∈N(k).     

岭估计下数据的交叉影响

本文研究岭回归中数据的交叉影响问题,得到了一些有意义的结果.并给出了矩阵X(X′X kl)~(-1)X~1的非对角元素h_(ij)~(k)的统计解释.     

二部竞赛图中互补的回路

设R=(X,Y,A)是一个二部竟赛图,|X|=|Y|=2k+1,k≥4,如果δ~-=k,δ~+=k,则对R中任一指定点x,R中存在一对点不相交的回路C_1和C_2,其长之和为4k+2,C_1包含点x且|V(C_1)|≤6,除非R同构于R(k+1,k+1,k,k)。     

半群Q(F,k)的极大正则子半带

设T(X)是X上的全变换半群且Y是X的子集,令F(X,Y)={α∈T(X)|Xα■Yα■Y}.当|Y|=n≥4,对2≤k≤n-1,研究了半群F(X,Y)的理想Q(F,k)={α∈F(X,Y)||im(α)|≤k},得到了它的极大正则子半带的完全分类.     

克服复共线性的一种新方法

本文提出一种新的有偏估计_w=(X′X+I)~(-1)(X′Y+w_(LS)),其中0相似文献   

取代基效应对3,4′-二取代二苯乙烯还原电位的影响

为了探索取代基效应对取代二苯乙烯化合物还原电位的影响,合成了38个3,4′-二取代二苯乙烯模型化合物3-XSBY-4′.以无水乙腈为溶剂,在CS300电化学工作站上测定了化合物的还原电位E_(Red).分别探讨了取代基X, Y对3-XSBY-4′还原电位E_(Red)的影响,以及X和Y共同对E_(Red)的影响.得到了表达E_(Red)变化规律的定量相关方程.结果表明:(1)取代基X, Y的Hammett参数σ和激发态参数σ_(CC)~(ex)均对E_(Red)有重要影响.参数σ(X)和σ(Y)均与E_(Red)正相关,表明取代基X和Y的吸电子效应使化合物的E_(Red)升高.而取代基X, Y的激发态参数σ_(CC)~(ex)(X)、σ_(CC)~(ex)(Y)对化合物E_(Red)的影响,则通过交叉相互作用形式表现.(2)处于间位的取代基(3-X)比处于对位的取代基(Y-4′)对于E_(Red)的影响更明显,同一个吸电子基团,处于3-位比处于4′-位时,使E_(Red)升高更多.(3)取代二苯乙烯XArCH=CHArY(XSBY)与取代二芳基希夫碱XArCH=NArY(XBAY)的母体分子是等电子化合物,但由于前者含有无极性桥键CH=CH,后者含有极性桥键CH=N,因而前者母体分子的最低未占分子轨道LUMO能量更低,还原电位更小,化合物更难被还原.     

马尔柯夫尼柯夫规则的计算验证

到目前为止,关于烯烃的加成机理,已基本上研究清楚。在没有光照和自由基引发剂的存在下,烯烃和加成试剂的反应是亲电的加成反应。烯烃的加成反应可用下式表示:式中R_1R_2C=CR_3R_4代表任意烯烃,R_1、R_2、R_3、R_4可以相同,也可以不同,既可代表烷基,也可代表氢原子或其他某些集团;X—Y代表加成试剂,X和Y可以相同(例如卤素)也可以不同(例如卤化氢)。反应机理可以直观地用下式表示:     

广义自回归模型设计矩阵的分解定理

文章给出的定理将设计矩阵Pn=∑nk=1XkX′k分解成对角块矩阵,对角元分别对应于平稳的.振荡的和爆炸的自回归子模型.其中X′k=(X(k),…,X(k-p 1)),Φ(B)X(n)=ε(n).     

广义Liu估计及其优良性

Liu估计提出了线性回归模型的一种新的有偏估计:β ^(d)=(X′X I)-1(X′X d)β ^,其中β ^=(X′X)-1X′Y是最小二乘估计,在此基础上提出了一种适应范围更广的有偏估计即广义Liu估计:β ^(D)=(X′X I)-1(X′X D)β ^,D=diag(d1,d2,...,dp),其中0相似文献   

H_+~p中不完备的插值系{Ω_(k,n)(Z)}_1~∞

本文构造并研究插值系{Ω_(k,n)(Z)}_1~∞及空间R_+~P{Ω_(k,n)}。在某些条件下,函数系{Ω_(k.n)(Z)}_1~∞((n+1)~(-1)相似文献