考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型

基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计.     

量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较。     

MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.     

一种单CCⅡ型多功能二阶滤波电路

提出仅使用一个ＣＣⅡ器件和７ 个无源元件的滤波器电路, 适当改变电路中无源元件的性质（电阻性或电容性）,可以实现４ 种二阶滤波功能：高通、低通、带通和带阻滤波。由于把Ｙ 端子做为输入端,所以电路具有很高的输入阻抗。以带阻滤波器为例,说明了电路的设计方法,给出了计算机仿真实验结果。     

交直交主传动装置谐波分析及治理

以新型供电整流变压器的绕组结线组别、主传动装置配置的可关断功率元件IGCT(integrated gate commutated thrusters)或IEGT(injection enhanced gate transistor)和主动整流前端装置(active rectifier unit,ARU)的并联脉动组合接线型式特性为基础,提出了新型中压交直交主传动装置超高次谐波电流计算分析和治理方案.分析超高次谐波电流的特性,对电气设备和生产运行的危害,以及对其进行治理的必要性,提出基于超高次调谐频率的谐波滤波装置(HF-typefilter),用以解决工程实际中出现的问题.供轧钢供配电系统及谐波滤波装置设计制造参考.     

螺旋谐振宽阻带微带滤波器

提出一种新型螺旋谐振带阻滤波器的设计.通过HFSS仿真软件,结果显示这种带阻滤波器具有较宽的阻带;同时也对这种矩形螺旋谐振带阻滤波器进行了改进,使其制作简单且具有更加紧凑尺寸,很方便在集成电路中使用.仿真结果也显示了它具有更好的性能.     

驱动器等效电路模型中电阻及电容的计算

为了找到一种计算驱动器的戴维南等效电路模型中电阻和电容值的方法,在负载电容分别取最小和最大值时,从驱动器输出仿真曲线上选择2个不同的输出电压,根据其对应的门负载延迟解出输出电阻和电容。计算结果表明,当输出电压从终值电压的30％、40％和50％中选择任意2个参考电压时,算出的输出电阻和电容值绘制的驱动器输出曲线较逼近Spice仿真曲线。     

高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型

介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型，该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流，并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。     

部分重叠双栅MOSFET特性的研究

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.     

多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.     

Spindt型真空微三极管系统的静电场电容数值分析

以静电学理论为基础,采用边界元方法对Ｓｐｉｎｄｔ型真空微三极管系统的极间电容进行了数值模拟,通过计算多导体系统电荷求解极间电容的方法,解决了以往电容数值计算中未解决的第三电极影响和栅极厚度的问题,并通过计算结果真空微电子器件的应用和优化方在对极间电容与器件几何参数的关系进行了系统的研究,分析结果对真空微电子微波器件的设计有指导作用,所建立的微三极管边界元法计算模型对其它结构的真空微电子器件的电容分     

嵌入式静态随机存储器的低功耗设计

介绍了多种最新的嵌入式静态随机存储器低功耗设计技术。存储器的总功耗为动态功耗和静态功耗之和。动态功耗又分读周期功耗和写周期功耗。减少动态功耗的主要技术：（1）降低开关电容。（2）降低充放电电压摆幅等。减少静态功耗的主要技术是降低衬底电流和栅电流等。对多种低功耗技术做了分析和总结,并提出了改进意见。     

一种基于调谐频率设计双调谐滤波器的新方法

针对双调谐滤波器的参数设计问题,提出一种基于调谐频率设计双调谐滤波器的方法.利用双调谐滤波器与2个并联的单调谐滤波器阻抗等效的原理,研究双调谐滤波器中串联谐振支路电感、电容和单调谐滤波器谐振频率、电容的关系,从而确定双调谐滤波器串联支路和并联支路的谐振频率.利用单调谐滤波器的谐振频率是双调谐滤波器的零点,确定并联支路的电感,结合并联支路的谐振频率确定并联支路的电容.该方法可以简化双调谐滤波器的设计运算,实例展示了该方法双调谐滤波器阻抗特性曲线,仿真分析表明:依据该方法设计的双调谐滤波器的滤波效果良好.     

应用于WLAN的高效率F类功率放大器

为了提高在高速率信号传输下无线通讯发射系统中功率放大器的工作效率,提出了一种结构新颖的高效率F类功率放大器.通过计算机仿真与实验板调试相结合的方法确定了放大器的最佳漏极阻抗,根据F类放大器漏极电压和漏极电流是相位差为λ/4的方波和半正弦波的特性,通过仿真软件设计和优化,设计出的谐波滤波网络在输出谐波频点有良好的滤波性能.为了降低栅源电容对输入信号造成的失真,在输入端口加入短截线,提高了放大器的漏极效率.通过测试,功率放大器工作在2.4GHz时,在2dB增益压缩点的功率附加效率为67%,输出功率为30dBm.测试结果表明,该高效率功率放大器适合应用于WLAN无线通讯发射系统.     

阻抗耦合的双Boost型三相直流侧有源电力滤波器

针对三相不可控整流桥,提出一种基于阻抗耦合的三相直流侧有源电力滤波器的拓扑结构及其控制策略,该滤波器由阻抗网络和不对称双Boost电路构成。控制策略采用平均电流控制,分别采用前沿和后沿调制方法来获取两个Boost电路的开关信号。与一般的直流侧有源电力滤波器相比,减少了1个有源开关和1个电容,可以降低成本,而直流侧也不再存在电压不平衡的情况。最后通过仿真验证了该拓扑结构的正确性和有效性。     

内外环电容传感器空间灵敏度特性

为了设计应用于两相流相关流速测量的电容传感器,研制了一种新型的内外环电容传感器,利用有限元仿真的方法对内外环电容传感器的轴向灵敏度、空间滤波特性以及时间频率响应3个空间灵敏度特性指标做了定量分析．结果显示,内外环电容传感器的轴向灵敏度曲线近似于高斯分布,而电极宽度的变化会引起轴向灵敏度峰值的改变,当电极宽度为20mm时,轴向灵敏度峰值最大;内外环电容传感器相当于一个低通滤波器,电极宽度增加,空间频带变窄,同时时间频带也变窄．     

IGBT模型参数提取方法研究

基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积,进行了讨论并提出了推导方法.     

并行局部概率假设密度(PHD)粒子滤波

针对概率假设密度滤波权值更新效率低下的问题, 提出一种并行局部概率假设密度粒子滤波?通过聚类将粒子按目标估计个数进行分类并添加标签,通过一步预测和跟踪门限将观测区域划分为目标存在区域和不包含目标的杂波区域,修正目标所在的局部区域杂波强度公式,独立并行地计算每个目标所在区域的局部概率假设密度?仿真结果表明,并行的局部概率假设密度粒子滤波时效性更高,误差更低?     

一种新型交叉耦合微带滤波器的设计

文章通过对当前一种先进微带滤波器进行等效电路分析,并进行多方位的仿真和拟合计算,最终设计出6阶高选择性微带滤波器,理论分析和全波仿真结果近似一致;该滤波器不仅尺寸小,而且通带性能好,带外抑制度高;可广泛应用于平面电路中,在MMIC、超导技术等先进电路中也有很高的使用价值。