具有三角形形貌的硒化锌纳米颗粒的制备及光学性能研究

利用简单的绿色溶剂热法以乙二醇为溶剂成功地制备了具有三角形形貌的硒化锌(ZnSe)纳米颗粒.X射线衍射(XRD)结果显示,合成的ZnSe具有立方闪锌矿结构.透射电子显微镜结果表明,合成的ZnSe纳米颗粒大小约为15 nm,形貌呈三角形.光致发光谱显示,ZnSe纳米颗粒在447 nm处存在较强的近带边发射峰,在510～600 nm处有一个与缺陷相关的发射带;随着激发功率的增加,具有三角形形貌的ZnSe纳米颗粒的近带边发射峰出现了明显的红移,同时峰能量降低了455 MeV;随着激发功率从1.5 mW增加到30 mW,所观察到的近带边发射峰的强度先增大后减小.     

碲化锌修饰掺铜硒化锌量子点的合成

以巯基丙酸（mercaptopropionic acid,MPA）作为稳定剂,在水相中合成Cu离子掺杂的ZnSe量子点（quantum dots,QDs）,并以ZnTe修饰其表面（ZnSe:Cu/ZnTe QDs）.采用X射线衍射（X-ray diffraction,XRD）、高分辨透视电子显微镜（high resolution transmission electronic microscopy,HRTEM）、紫外可见吸收光谱（ultraviolent-visible spectroscopy,UV-VIS）和光致发光(photoluminescence,PL)荧光光度计对其结构、相貌和光学特性进行表征.结果表明,合成所得荧光量子点的大小为4～6 nm;当激发波长325 nm时,荧光发射峰约为510 nm;经160 ℃热处理后,荧光发射峰会红移至540 nm左右,初步说明ZnTe的修饰会改变ZnSe:Cu量子点荧光发射峰的位置.     

水相合成ZnSe量子点光诱导荧光增敏的pH效应

在水相中以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,通过Zn2 离子和NaHSe反应合成了ZnSe量子点(ZnSe QDs).新合成的ZnSe QDs几乎无荧光,经紫外光照处理后呈现强的带边发射,量子产率显著提高.由于紫外光照可以诱导键合在ZnSeQDs表面的TGA发生光解产生S2-离子,因而与溶液中过量的Zn2 离子及TGA共同作用,在ZnSe QDs表面上形成ZnS壳层,电镜实验结果直接揭示了紫外光照处理后ZnSe QDs粒径的显著增加.研究发现,pH值的变化直接影响ZnSeQDs表面TGA的光催化光解,导致了ZnSe QDs的光诱导增敏作用对溶液pH值的依赖关系.在碱性条件下(pH 8~12),光诱导增敏效率随着溶液pH值的提高而增强,同时ZnSe QDs对光的稳定性也随之增强.     

Ag纳米粒子增强CdS白光量子点器件的研制

在十八烯体系中合成Cd S量子点,用光诱导法制备银纳米粒子,并将两者复合,制备成4种复合样品,分析复合样品的荧光谱,在银纳米颗粒的表面等离子体共振峰分别对应于富含缺陷的硫化镉量子点的带边荧光峰和表面态荧光峰时,发生了带边荧光淬灭而表面态荧光增强的现象.结果表明,通过控制金属和量子点之间的距离,能够控制带边荧光辐射和缺陷带荧光辐射的比例,从而控制白光量子点的色温.采用395 nm紫光LED作为激发光源,将涂有荧光样品的玻片与激发光源组装成银纳米颗粒/量子点复合结构白光照明器件原型,银纳米粒子能够改变Cd S量子点样品发光颜色,荧光效应的增强程度随着量子点样品的厚度减小而加强.该研究为认识荧光物质和金属之间的相互作用提供了新途径,同时探讨了该器件在变色发光材料方向的应用前景.     

水相中合成CdTe半导体量子点

用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移,即粒径在不断长大;选用不同的修饰剂,反应相同的时间,可以得到不同粒径的量子点;合成CdTe量子点的发射谱的平均半峰宽约为50 nm,单分散性很好;以巯基乙酸为修饰剂,反应时间为240 min时,是水相合成CdTe量子点的最佳条件;量子点水溶液的Zeta电位受修饰剂和pH值的影响;水溶性的、带有官能团的量子点适合于进一步的生物应用.     

SiC和CdTe量子点间荧光共振能量转移

采用水相法制备了巯基乙胺包裹的CdTe量子点,用湿化学刻蚀法制得了SiC量子点,并对CdTe和SiC量子点的光学特性进行了研究.结果表明:随着激发波长的增加,因量子限制效应,SiC量子点荧光的最大发射峰出现红移;CdTe量子点的发射谱和SiC量子点的吸收谱有较大的重叠,且带边发射有较大的能量分离;CdTe量子点和SiC量子点之间存在福斯特共振能量转移.同时,CdTe和SiC混合液蒸干后的荧光光谱显示,供体SiC的荧光减弱,而受体CdTe的荧光增强;相同大小的CdTe、SiC及CdTe和SiC混合物的液滴在空气中自然蒸发时,液滴的颜色在紫外灯照射下发生了变化,这是由于蒸发过程中,液滴体积减小,导致液滴中量子点间的距离减小,有利于CdTe量子点和SiC量子点间发生福斯特共振能量转移.     

盐酸巴马汀的光谱性质研究

在不同极性和不同酸度介质中考察并探讨了巴马汀的荧光光谱和紫外光谱特性.随着溶剂极性的增加,巴马汀的溶解性增大,吸收峰强度明显增大且红移.巴马汀的荧光发射光谱受溶剂极性的影响也很显著.随着溶剂极性的降低,源于醇式巴马汀的第二个荧光发射带紫移且荧光强度显著提高,而第一个发射带对极性不敏感.pH对巴马汀溶液的吸收和荧光光谱影响都较小.量子产率在二氯甲烷溶剂中达到最大.结果表明,巴马汀对周围介质环境的敏感程度较高.     

纳米氧化锌颗粒的荧光光谱特性及测试条件的影响

分别用沉淀法和有机物单源的热分解方法从溶液中生长了不同尺寸的氧化锌纳米晶体,研究了纳米晶体的荧光特性及其对测量样品状态的依赖关系.尺寸比较大的ZnO纳米晶体在固态下其荧光光谱为宽阔的发光带,并在宽阔发光带上出现一系列明显的精细结构,而分散于有机溶剂中时其荧光由激子复合发射和通过氧空位的复合发射组成.分散于有机溶剂中的中等尺寸的表面包裹的纳米ZnO晶体的荧光由激子荧光、通过浅杂质的发射和通过本征缺陷复合的荧光组成,其强度随着测量浓度的升高而增强,并且激子的荧光发生红移;尺寸比较小的表面包裹的纳米晶体的荧光为激子复合和通过氧空位复合的荧光组成,激子荧光强度、通过氧空位的发光强度及其相对强度随着纳米晶体浓度的变化而变化,测量浓度的升高,激子发光峰没有位移,但与缺陷态相关的激发光荧光发生红移.     

巯基丙酸、巯基水杨酸双修饰CdSe量子点的合成及其标记水杨酸受体的初步研究

水相合成了巯基丙酸(MPA)和对巯基水杨酸(MSA)双修饰的CdSe量子点,优化了量子点的合成条件并对其进行表征,探讨了量子点的毒性并成功将其应用于标记绿豆幼苗中水杨酸受体．结果表明,在pH为11.30,Cd:Se:MPA:MSA的摩尔比是1:0.5:2.5:1,反应温度为90℃时回流45min,量子点荧光强度最好;双修饰量子点分布均匀,粒径约为3-4nm;相对巯基丙酸单修饰量子点,其紫外可见吸收光谱出现红移,荧光强度明显增强,激发波长和发射波长ex/em为365/540nm;双修饰量子点的毒性比单修饰量子点有所降低;标记实验表明绿豆幼苗水杨酸受体主要存在于根部．     

CdSe量子点的合成及其标记水杨酸受体研究

水相合成了巯基丙酸(MPA)和对巯基水杨酸(MSA)双修饰的CdSe量子点,优化了量子点的合成条件并对其进行表征,探讨了量子点的毒性并成功将其应用于标记绿豆幼苗中水杨酸受体.结果表明,在pH为11.30、Cd:Se:MPA:MSA的摩尔比为1:0.5:2.5:1、反应温度为90℃时回流45 min,量子点荧光强度最大;双修饰量子点分布均匀,粒径约为3 ～4 nm;相对巯基丙酸单修饰量子点,其紫外可见吸收光谱出现红移,荧光强度明显增强,激发波长和发射波长λex/λem为365 nm/540 nm;双修饰量子点的毒性比单修饰量子点有所降低;标记实验表明绿豆幼苗水杨酸受体主要存在于根部.     

含有喹啉和香豆素的蓝色发光材料的合成及性能

合成了一种含有喹啉和香豆素基团且发射蓝光的发光材料(QCC),通过紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱对QCC的光物理性质进行了测试.结果 表明QCC的最大吸收峰为330 nm,且在360～540 nm内具有强的荧光发射带.随着溶剂极性的增加,QCC的荧光发射峰出现明显的红移.通过荧光猝灭技术分别观察了QCC与电子给体(D...     

近红外高分散球形CdTe量子点合成及光学性质

以十六胺(HDA)为表面修饰剂,通过快速简单的溶剂热法制备近红外发光球形CdTe量子点。通过X线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、透射电子显微镜(TEM)等表征方法对试样的形貌及结构进行研究。使用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)研究CdTe量子点的光学性质。结果表明:制得的均匀球形CdTe量子点为立方闪锌矿结构相,具有高结晶度及高分散性,并且量子点的粒径分布较窄。随反应时间延长量子点尺寸变大,吸收峰与荧光发射峰红移,两者的斯托克位移较大,且均具有优良的近红外荧光性能。     

牛血清白蛋白修饰水溶性CdTe量子点及分析应用

以巯基乙酸为稳定剂,采用水热法合成了CdTe 量子点,用牛血清白蛋白改变量子点的表面修饰状态并通过荧光发射光谱研究了溶液pH、温度和离子强度对表面修饰产生的影响.结果表明,CdTe量子点在502 nm处有吸收,在538 nm处有荧光发射,经牛血清白蛋白对其表面修饰后,吸收峰位不变,但吸光强度升高;荧光发射峰位不变,荧光显著增强.在优化的反应条件下,牛血清白蛋白质量浓度在0.05~1.0 mg/L范围内与荧光增加值呈线性关系,检出限为0.011 7 mg/L。以缓冲溶液为基底牛血清白蛋白含量测定获得满意结果.     

温度和应变对InAs量子点荧光光谱的影响

文章主要研究了InAs量子点样品在不同测试温度、激发功率和应变条件下的光致发光(PL)光谱的变化,发现随着测试温度的升高,样品对应的谱线发生红移且光谱强度降低。随着激发功率的提高,样品的PL谱线位置发生轻微的变化,谱线的强度明显增加。在对样品施加0.5%应变后,衬底对应的PL谱线峰位发生微弱的红移,强度增强,而量子点对应的谱线发生微弱的蓝移,其发光强度降低。     

微波水热法氧化锌的低温合成及发光特性研究

采用微波水热合成的方法,在95～150℃的生长温度下得到了氧化锌(ZnO)样品,扫描电镜(SEM)的结果表明,当生长温度从95℃变为150℃时,样品的结构从六方柱状结构颗粒变为小颗粒团聚成的球状结构.由X射线衍射结果可知,低温生长的样品为氧化锌,当生长温度升高后有其他杂质峰出现.由光致发光结果可知,随着生长温度的升高,可见光发光的相对强度增强,这表明样品中的缺陷增多.95℃下生长样品的变功率的荧光光谱表明,随着入射光功率的增大,样品的带边发光峰从3.233 eV变化到3.014 eV,出现了明显的红移;可见光发光与带边发光强度的比值先增大后减小,表明可见光的发光与带边发光有明显的竞争关系.     

CdS纳米颗粒的合成、表面修饰及光学特性研究

用一步室温固相化学反应法合成CdS纳米颗粒,并以氨催化水解法对其表面进行了修饰,得到了具有CdS／SiO2核／壳结构的纳米微球,以透射电子显微镜和X-射线衍射仪对其结构和物相进行了表征,并研究了其光致发射光谱的性质,研究结果表明：固相反应完全,产物为纯相CdS,室温固相化学反应法避免了传统湿法存在的团聚现象的缺点,具有产率高、无污染、节能等优点;而且CdS纳米颗粒表面经SiO2修饰后,其带边发射显增强,缺陷发射减弱,且在一定范围内随着SiO2包覆层厚度的增加,荧光强度增加。     

ZnS:Eu发射光谱的高压研究

在室温高压下测量了掺杂Eu~(2 )的ZnS的发光,测量压力达156kbar,随着压力增加,(?)=18300cm~(-1)发射峰迅速红移,半宽度变窄,发光强度急剧增加,78kbar时,发光强度约为10kbar的5倍,86kbar压力下出现了(?)~(*)=16000cm~(-1)的新发射峰,其半宽度约2450cm~(-1)。随压力增加,新峰以(-137 0.93P)cm(-1)/kbar速率红移,强度降低,在156kbar压力下猝灭。本文用晶体场理论定性解释了发射峰压力下的迅速红移现象。     

ZnS:Cu~(2+)(1%)Cd~(2+)(x%)量子点的制备及光学性质研究

利用水热法制备纤锌矿结构Zn0. 99-xCu0. 01CdxS量子点.实验结果表明:Cu~(2+)和Cd~(2+)均取代了Zn2+的位置掺入到Zn S的晶格中,且其尺寸约为(4. 0±1. 0) nm. Zn S:Cu~(2+)(1%) Cd~(2+)(x%)量子点光学性质研究表明,量子点具有来自于Cu~(2+)离子3d轨道以及深能级Cd~(2+)空位的跃迁发射峰,且随着Cd~(2+)离子掺杂浓度的增加其发光强度降低.这可能因为随着Cd~(2+)掺杂浓度的增加,缺陷中心增加,非辐射复合过程增加,致使发射峰强度降低.     

ZnSe量子点的水相合成及光诱导荧光增敏效应

在水相中,以巯基乙酸(TGA)为稳定剂制备了具有短波长荧光的ZnSe量子点.研究了ZnSe量子点光诱导荧光增敏的机理,并提出通过补加Zn{2+}和TGA以提高光诱导荧光增敏效率以及所得ZnSe量子点的稳定性这一新思路.研究结果表明,提高补加的Zn{2+}和TGA的量即可增加ZnSe量子点表面ZnS壳层的厚度,更好地钝化其表面,从而不仅可显著提高ZnSe量子点的荧光量子产率(最高可接近15%),而且可大大地提高其表面的抗氧化性和荧光稳定性.     

卟啉-脂质体化合物P-GlyL的紫外可见及荧光光谱性质研究

以溴代肽脂质BrC5Gly2C16与5,10,15-三苯基-20-对羟基苯基卟啉（HPTPP）为原料，合成一种可用作新型分子器件的卟啉-脂质体化合物P-GlyL。 采用元素分析、紫外可见光谱、红外光谱以及核磁共振等进行表征。 并对该化合物在不同浓度的金属离子Zn2+溶液中的紫外可见光谱和荧光光谱进行了研究。 结果表明，当加入Zn2+之后，形成的金属卟啉化合物荧光强度在650.0nm处下降，而在437.0nm和595.8nm处产生新的荧光发射峰，且荧光强度随着Zn2+浓度增加而增强，而同时349.0nm和698.5nm处的发射峰发生了0.5nm的红移且荧光强度增强。