线性调制器充电电路的研究——关于充电二极管问题

本文主要分析了线型调制器中充电二极管在不同充电线路情况下的不同工作状态,从而得出了不同的要求。文章介绍了如何选择充电二极管及一些国产硅二极管在高压功率调制器中的使用情况。     

二极管应用电路及故障处理的研究

二极管在电子工艺中被广泛应用,它是推进现代电子技术进步的重要因素。下面将给大家详细介绍二极管在电路中的几种应用还有其相关的故障处理,从而让大家更加了解二极管的特性,排除生活中可能出现的二极管故障。该文详细地叙述了二极管的7种应用电路及其相应的故障处理。每一种电路都是在叙述了工作原理的基础上,给了简单可行的故障检测方法和相应的故障处理方案。     

硅光电二极管在光电检测电路中的应用研究

分析了光电检测时硅光电二极管线性响应及噪声特性,给出了硅光电二极管的线性度及信噪比公式,并结合噪声En-In模型^[1],对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比 的因素进行了探讨。     

二极管伏安特性方程的矫正

通过对二极管电流的理论计算值和实验测试值的比较，指出目前教科书中给出的二极管伏安特性方程不能确切描述二极管的伏安特性，进而提出了重新建立这一方程的新见解。     

基于二极管检波的宽带功率探头设计

本文简要介绍了功率探头的发展历史和二极管检波的基本原理,重点讨论了基于二极管检波的宽带功率探头的设计与实现,包括二极管选择、匹配电路及连接器设计等,最终完成了覆盖0.01-40GHz性能优良的宽带功率探头。     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

二极管双向限幅电路的实验研究

本文研究了二极管双向限幅电路、二极管双向限幅电路中VD2反向的实验电路、二极管双向限幅电路中VD1反向的实验电路和二极管双向限幅电路中VD1、VD2均反向的实验电路四种电路结构,分析了当输入正弦波电压时,上述四种电路的输出波形,并给出实验实测波形,实验结果验证了理论分析。     

基于虚拟仪器技术的微波晶体检波二极管的定标

利用虚拟仪器开发软件LabVIEW编写的微波晶体检波二极管定标的程序不仅能实现微波晶体检波二极管的单段定标,而且还能实现分段定标,这极大地提高了利用微波晶体检波二极管进行微波参数测量的测量精度。     

SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响

研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响.制备了3种光电二极管,分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜.以能量为0.8 MeV的电子束为辐射源,对3种光电二极管进行4个剂量的辐射.实验发现,辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段基本不衰减;暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加.另外,薄钝化的二极管光电流衰减最小,同时暗电流增加最显著.     

新型二极管参数测试仪性能分析

二极管是一种十分常见的半导体器件，其对整个电子行业的发展起着至关重要的作用。二极管的参数准确与否直接关系着整个电路系统的性能，因此，对二极管的参数测试十分有必要。目前市场上对二极管参数测试的仪器较少，且性能参差不齐。对基于STM32的新型二极管测试参数仪进行性能分析，将其测试结果与传统伏安法测试结果对比，结果显示新型二极管参数测试仪能对二极管的参数测量有着很高的准确度。该新型二极管参数测试仪有广阔的应用前景。     

微波晶体检波二极管分段定标方法的研究

提出了微波晶体检波二极管的分段定标方法．该方法利用线性回归法将测量系统中驻波幅度自波节至波腹进行分段定标，得到每段的检波律．在微波参数测量中，CAT(Computer Aided Test)系统根据实际测试幅度查找相对应的检波律，然后进行相应的参数计算，从而有效地减小了在微波测量中由于晶体检波器而引起的误差，提高了测量精度．     

阵列半导体激光器的单元均匀性与器件的质量关系

本文通过电导数和光导数技术对阵列半导体激光器及单管并联模拟阵列进行了测试,通过对表征半导体激光器质量的h和Q参数的测试,研究了各单元器件均匀性与其组成的阵列器件的质量的关系。导数测试的h和Q参数可以给出阵列器件的均匀性,导数技术可以用来评价阵列半导体激光器的质量。     

利用PN结进行玻耳兹曼常数测定的实验研究

给出以晶体二极管Ｉ－Ｖ特性精确测定玻耳兹曼常数的方法，修正了杨介信等所给出的测试规程和要求。     

Measurement of aerosol optical extinction using diode laser cavity ringdown spectroscopy

Accurate measurement of optical extinction of atmospheric aerosols is important for quantifying the direct climate effects of aerosols. A portable cavity ringdown spectrometer utilizing a modulated multimode blue diode laser (linewidth ～0.2 nm) is developed to measure the aerosol optical extinction. Laboratory generated ammonia sulfate particles (<1 μm in diameter) are characterized, with good agreements between the experimental measurements and Mie theory calculations. An optical extinction detection sensitivity of 0.24 Mm-1 (1σ) is achieved. Measurements of ambient aerosols are also carried out. This study demonstrates the feasibility of a compact, multimode diode laser cavity ringdown spectrometer for sensitive measurements of the optical extinction of atmospheric aerosols.     

千瓦级连续激光二极管面阵电源的设计与实现

根据大功率激光二极管的伏安特性和运行要求,采用基本电子线路和基本电路分析方法,以可控硅作为功率器件,一种千瓦级连续激光二极管面阵的电源被研究和制作出来.这种电源功率大、恒流工作、稳压调节、恒流与稳压之间自动切换.此外,还具备过流保护、过压保护、浪涌抑制和接受外来信号自动切断等功能.实际的运行结果表明,该电源可靠、实用.     

轻小型光子计数激光测距技术

为实现轻小型光子计数测距仪,利用905nm激光二极管（LD）以及硅基单光子探测器（SPAD）搭建了试验系统,通过外场测距试验研究了905nm激光二极管用于光子计数测距的测距性能。结果表明：905nm激光二极管由于其具有体积小、功率高的特点,同时硅基单光子探测器在905nm波段具有较高的响应率,基于以上两点,通过激光二极管以及小口径的接收望远镜能够实现远距离的光子计数激光测距。可见,激光二极管适合作为轻小型光子计数激光测距仪的光源,降低了系统的体积,有利于提高测距系统的集成度。     

关于逸出功实验问题的探讨

从实验和理论上指出了目前所采用的测量逸出功的线路是有缺点的,指出在二极管的饱和区域内灯丝压降对测量逸出功的结果没有影响,并指出和灯丝并联的两个等值电阻是多余的.     

Modeling of a Schottky Diode in CMOS Process with a Flexible “Open-Through” On-Chip De-embedding Method

Modeling of Schottky diodes in the CMOS process is a key step in ultra-high frequency(UHF) radio frequency identification(RFID) transponder designs.Accurate Schottky diode models need both DC and RF models.Conventional DC models of the Schottky diode fail to predict the forward leakage current,which is crucial for precise simulation results.This paper presents a Schottky diode model with an additional diode which gives the correct forward leakage current.The RF model of the Schottky diode is constructed based on the measured S-parameters.Then,an on-chip de-embedding process is needed to remove the parasitics due to the pads and interconnection lines in the S-parameter test.A flexible "open-through" on-chip de-embedding method is proposed which only requires an "open" dummy and a "through" dummy,with all the lumped and distributed parasitics equivalent to two-port networks to give sufficient high-frequency de-embedding accuracy.By the help of this de-embedding method and the new DC model,the accuracy of the established diode model could be guaranteed.The Schottky diode model is verified by comparison between measurements and simulations and successfully applied to an RFID transponder design.     

计算机软件定点采样主轴回转精度测量系统

本文提出了一种测量精密轴系回转精度的新方法——计算机软件定点采样主轴回转精度测量系统,并利用该系统对精密主轴进行了回转精度实测和评定,采样点数的最大误差为1。和原耒的定点采样及定时采样法相比,既简化了装置,又提高了测试精度。     

阴极温度分布对发射本领测量的影响

对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进行了计算分析,并首次得到了发射电流误差小于5%的阴极丝最小长度的计算公式.这些公式对圆筒形测试二极管几何参数的选取具有实际的意义.