有机薄膜器件中Tb^3＋的电致发光

研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ／Ａｌ。各功能均用真空热蒸发的方法制备。在正向直刻苦坟驱动下获得了Ｔｂ＾３＋的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射、它来源于空穴输运层ＴＰＤ。在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的     

聚合物浓溶液中气体平衡的估算——UNIFAC—FV模型参数考察

应用ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型估算了低密度聚乙烯－溶剂体系中以重量分率表示的溶剂亨利常数，Ｈ＾∞１以及低密度聚乙－溶剂和聚苯乙烯－溶剂中无限稀溶剂活度系数Ω＾∞１，结果表明通过调节Ｃ１ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型能较好地估算Ｈ＾∞１和Ω＾∞１估算溶剂亨利常数时，低密度聚乙烯－溶剂体系；芳烃取Ｃ１＝１．１，脂肪烃取Ｃ１＝２．０，低密度聚乙烯－极性溶剂体系中Ｃ１随溶剂不同而变化，估算无限稀释的溶剂活度系数时，Ｃ     

聚合物浓溶液中气液平衡的估算──UNIFAC－FV模型参数考察

应用ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型估算了低密度聚乙烯一溶剂体系中以重量分率表示的溶剂亨利常数，Ｈ；”．以及低密度聚乙一溶剂和聚苯乙烯一溶剂中无限稀释的溶剂活度系数Ｏｉｃ．结果表明，通过调节ＣＩ，ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型能较好地估算Ｈ７和Ｄ７．估算溶剂亨利常数时，低密度聚乙烯一溶剂体系：芳烃取ＣＩ—１１，脂肪烃取ＣＩ—２·０，低密度聚乙烯一极性溶剂体系中ＣＩ随溶剂不同而变化；估算无限稀释的溶剂活度系数时，ＣＩ值随聚合物一溶剂体系而变，且模型估算误差较前者为大；参数ｂ值随ＣＩ和温度而变；对脂肪烃、环已烷和极性溶剂之Ｄ７的估算，ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型有待进一步改进．     

朗谬尔探针用于VAC等离子体诊断的初步研究

简要分析了朗谬尔探针用于真空电弧镀膜等离子体诊断的可行性及理论适用性问题。介绍了一种可用于ＶＡＣ等离子体在线监测的探针诊断系统，并利用此系统分析了不同工艺参数一等离子体参数的变化。     

有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论

普通物理实验教材中，对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了Ｉｄ＝Ｉｅ（ｅｘｐ（ｅＶ／ｋＴ）－１）的解析公式，要求由实验结果求出指数ｅ／ＫＴ，从而求出电子电荷ｅ，或波尔兹曼常数ｋ，并和理论值比较，考察实验误差。这种要求由于实际结果偏离解析公式较大，因而不尽合理，本文讨论了有关实验结果，并对上述结论作了必要的说明，最后建议对该实验的要求作合理的调整，即要考察Ｖ－Ａ的一般关系。     

聚乙烯醇与赤霉素混合处理对小麦生长,抗旱性和产量的影响

本研究了聚乙烯醇（ＰＶＡ）和赤霉素（ＧＡ）混合处理对小麦种子的萌发、幼苗的生长、抗旱性和产量的影响。结果表明ＰＶＡ和ＧＡ混合处理可以加快种子的萌发，提高发芽率，促进幼苗的生长，增强幼苗的抗旱能力，提高产量。     

α—淀粉酶在脲变性过程中构象与活性的变化

本文利用蛋白质内源荧光和紫外吸收变化，研究了细菌α－淀粉酶在脲变性过程中的构象变化，并且与失活过程进行了比较。α－淀粉酶脲变性与失活的动力学数据表明，变性是单相过程过程，而失活是一个双相过程，快相失活的速度常数比变性速度常数至少大一个数量级。     

JAVA语言前景广阔

ＪＡＶＡ语言前景广阔解放军信息工程学院曾斌王华自１９９５年５月，Ｊａｖａ在ＳｕｎＷｏｒｌｄ大会上正式发布以来，其所产生的影响和作用令世人瞩目，计算机界对ＪＡＶＡ的兴趣与日俱增。那么，ＪＡＶＡ究竟具备一些什么样的特点呢？在目前存在的多种平台中，软件要经...     

一种宽输入范围的开关稳压电源

本文简要介绍脉宽调制集成电路ＴＬ４９４的内部结构及功能，应用ＴＬ４９４组成一种宽输入范围的开关稳压电源，该电源的输入为１４＾－６０ＡＣＶ，输出为＋１２Ｖ／Ａ和－１２Ｖ／０．２Ａ，纹波系数为０．５％，２Ａ过流保护。     

光纤CATV技术的应用及发展

光纤ＣＡＴＶ技术的应用及发展中南民族学院甄俊刘善英河南省中原石油天然气开发总公司王岩近年来，由于光纤技术和有线电视事业的飞速发展，加上光纤ＣＡＴＶ技术性能之优越，如传输损耗小、通带宽、故障比率低、信号质量高、网络容易升级等，使得光纤ＣＡＴＶ技术的应用...     

透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度

利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射法相同.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

氧气流量对反应磁控溅射铜氧化物薄膜结构和光学性质的影响

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积铜氧化物薄膜,研究氧气流量对薄膜结构和光学性质的影响.用X射线衍射仪检测薄膜的结构,分光光度计测量薄膜的透射和反射光谱,采用拟合正入射透射光谱数据的方法计算薄膜的折射率、消光系数及厚度.结果表明,薄膜沉积过程中,随着氧气流量的增加,铜氧化生成物从Cu2O逐步过渡到Cu4O3,最后为CuO;当氧氩流量比为6：25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,薄膜的折射率和消光系数随波长增加而减小,带隙为2.49 eV;不同氧气流量条件下制备的Cu2O,CuO薄膜的折射率和消光系数随氧流量的增加而增加.     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

覆盖铝的不连续锡膜结构及光学性质研究

该文研究了不连续锡膜上覆盖铝膜的光学性质.发现覆盖铝对不连续锡膜的光学性质影响很大,增强了可见光区的光谱选择吸收和红外反射率.不连续锡膜的填隙因子对这种膜系的光学性质影响较大.应用所建立的结构模型和Maxwell-Garnett理论,计算了这种双层结构膜的反射曲线,结果与实验基本相符.这种膜系具有各种美丽的反射色,有可能作为新型的建筑、灯具、室内等装饰用的镜面材料.     

受扰动核反应堆系统的最优控制

本文讨论原子核反应堆系统在受外部中子源干扰时的最优控制问题。本文将散射裂变截面函数作为控制变量,以“范数最小”来衡量其最优性,证明了反应堆系统在受扰动时可控的,并给出了系统最优存在性和可逼近性。     

织构对TiN薄膜弹性常数的影响

用Voigt，Reuss和Hill模型计算了各向同性和具有理想纤维织构的氮化钛(TiN)薄膜的弹性常数矩阵．计算表明：材料的弹性矩阵强烈地依赖于材料的织构．为了定量地分析织构对弹性常数的影响，用晶体取向分布函数(ODF)法推导了弹性常数与织构系数的关系表达式．然后用高斯分布函数作为取向分布函数模拟了弹性常数随织构的变化情况。     

单轴各向异性薄膜参数的变厚度椭偏分析方法

讨论了光轴垂直于薄膜界面的单轴各向异性薄膜(例如L-B膜)的椭偏参数迭代反演方法.提出用改变薄膜厚度的方法获得多组独立的椭偏方程,以便将薄膜光学常数和厚度分开计算,从而把三参数问题转化为二参数问题的椭偏参数迭代反演方法.给出了反演程序流程及应用于L-B膜的实例.     

用Z—scan法研究推拉型偶氮化合物的非线性光学性质

利用Ｚ－ｓｃａｎ法，对掺有以偶氮苯作为母体的一个系列推拉型偶氮化合物的有机聚合物薄膜的非线性光学系数进行了测量，实验结果的分析表明，材料的非线性折射率来源于共轭π电子效应。     

光谱连续的脉冲真空紫外(VUV)辐射源研究

报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10^-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm²。