Bi^3＋和Eu^3＋在Li0.3MeAl0.3—x—ySiO3中的发光

该文介绍以Eu~(3+)和Bi~(3+)离子为掺杂剂,以Li_(0.3)Me_(0.4)Al_(0.3)SiO_3为基质(Me=Mg,Ca,Sr,Ba),用高温固相反应合成了含不同碱土金属,不同掺杂种类的硅铝酸盐系列发光体.激发光谱和发射光谱研究结果表明,在该体系中Bi~(3+)对Eu~(3+)具有较好的敏化作用,促进了Eu~(3+)的特征发光.基质中不同的碱土金属离子对Bi~(3+)和Eu~(3+)的发光特性和Bi~(3+)对Eu~(3+)的敏化作用具有明显的影响。当Me=Sr时,激发Bi~(3+)所得到的Eu~(3+)发光以612nm红光为主,并且相对强度较高.在相同激发条件下(395nm),Li_(0.3)BaAl_(0.3)SiO_3:Eu的发射强度是Y(V,P)O_4:Eu~(3+)的2倍.这表明Li_(0.3)BaAl_(0.3)SiO_3是很适合于Eu~(3+)激活的基质材料.     

Dy^3＋在Ca1—xSrxS：Eu^2＋,Er^3＋中的光致发光特性

研究加入Ｄｙ＾３＋离子后的Ｃａ１－ｘＳｒｘＳ：Ｅｕ＾２＋，Ｅｒ＾３＋的荧光激光发谱、发射光谱及余辉时间。结果表明，Ｃａ１－ｘＳｒｘＳ：Ｅｕ＾２＋，Ｄｙ＾３＋，Ｅｒ＾３＋是一种发光效率高、余辉时间长的红色发光材料。     

掺杂Eu^3＋的磷钨酸钠玻璃的合成及发光特征

本工作采和高温固相反应法合成掺杂１％Ｅｕ＾３＋离子的不同Ｐ２０５／ＷＯ３比例的磷钨酸钠玻璃，测定３９４ｎｍ和４６４ｎｍ激发下的荧光光谱，探讨了掺杂Ｅｕ＾３＋离子的磷钨酸钠玻璃的发光特性。     

Cd2O2S：Eu^3＋的荧光光谱及晶体场计算

在２１５００ｃｍ＾－１～１１５００ｃｍ＾－１区间内测量了红色荧光粉Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ的室温（３００Ｋ）及低温（７７Ｋ）荧光光谱，认定了Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＾３＋７７Ｋ的１２２条谱线和３００Ｋ的９６条谱线的跃迁属性，利用＾７ＦＪ的实验能级并考虑到中间耦合和Ｊ混杂效应，对Ｇｄ２Ｏ２Ｓ中Ｅｕ＾３＋的晶体场进行了计算，得到了７７Ｋ及３００Ｋ时的６个晶体场参数及晶体中的７个“自由离子能量”参数，拟合计算的均方     

CaS：Eu^2＋的性质与合成方法的关系

分别用高温固相反应法和微波辐射法合成了CaS：Eu^2 ．通过X射线衍射(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)，激光衍射粒度分析仪和荧光光谱对样品的物相组成、形貌、粒径大小及分布和发光性能进行了表征．发现用微波辐射法制得的样品粒度小，粒径分布窄，发光强度高．     

Ca1—nSrnS：Cu^＋,Eu^2＋的合成与光谱特征

研究了Ｃｕ＾＋，Ｅｕ＾２＋共激活的Ｃａ１－ｎＳｒｎＳ的发光性质，基质组分Ｃａ／Ｓｒ摩尔比与荧光性质的关系，Ｃｕ＾＋和Ｅｕ＾２＋在纯ＣａＳ基质中的发射光谱分别位于４３０ｎｍ及６３０ｎｍ附近，随着基质中Ｓｒ含量的增加，红、蓝发射带都向绿区移动；当基质为纯ＳｒＳ时，红、蓝发射带复合为一个主峰在５１７ｎｍ、半宽度为８０ｎｍ的带谱，实验结果表明：Ｃａ１－ｎＳｒｎＳ：Ｃｕ＾２＋，Ｅｕ＾２＋是一种红、蓝发射峰值     

Dy^3＋和Tb^3＋离子掺杂的稀土硼酸盐玻璃的光谱性质

合成Ｄｙ＾３＋,Ｔｂ＾３＋掺杂的稀土硼酸盐玻璃,测试基质玻璃的透过率光谱及Ｄｙ＾３＋、Ｔｂ＾３＋单掺和双掺玻璃的激发和发射光谱,观察并分析该体系中Ｄｙ＾３＋发光的现象。     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

关于丢番图方程3y（y＋1）（y＋2（y＋3）=4x（x＋1）（x＋2（x＋3）

本文证明了丢番图方程３ｙ（ｙ＋１）（ｙ＋２）（ｙ＋３）＝４ｘ（ｘ＋１）（ｘ＋２）（ｘ＋３）仅有正整解ｘ＝１２，ｙ＝１３。     

Tb^3＋,Ce^3＋离子在Al6Si2O13中的光致发光

采用溶胶－凝胶法合成了以Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３为基质，掺杂Ｔｂ＾３＋，Ｃｅ＾３＋的发光材料。经ＸＲＤ结构分析表明，晶体结构属于正交晶，其晶胞参数为ａ＝０．７５９５ｎｍ，ｂ＝０．７７５６ｎｍ，ｃ＝０．２８８２ｎｍ。     

化学修饰电极修饰膜中Os（bpy）3^2＋／3＋的扩散系数测定

采用计量电流法测定Os（bpy)3^2 在聚合物AQ单层和AQ和PVP组成的复合膜修饰电极中的扩散系数，结果显示复合膜中离子的扩散系数比单层膜中的扩散系数大。     

GeO2基Er^3＋和Yb^3＋共掺杂氟氧混合物材料的上转换发光

制备了以GeO2为基础的6个Er^3 与Yb^3 共掺杂样品,并测试了它们在858nm半导体激光和930nm二极管激光激发下的荧光谱,测量发现,930nm二极管激光激发下各样品的荧光强度较之858nm半导体激光激发下的荧光强度普遍要强,且Ge4,Ge5两样品较之其余四个样品在两种光源的激发下的绿光段的荧光强度要强的多,且用肉眼在白天即可见很强的 绿光。简单分析了它们的上转换机制。     

关于Diophantine方程z^3＋1=3py^2

设p是奇素数，证明了当P=108s^2＋1，其中s是正整数时，方程x^3＋1=3py^2无正整数解（x，y）．     

Ca8Zn（SiO4）4Cl2：Eu^2＋,Mn^2荧光体中Mn^2＋的晶体学格位及Eu…

合成了Ｃａ８Ｚｎ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２；Ｅｕ＾２＋，Ｍｎ＾２＋荧光体，对荧光体进行了结构和光谱的测试与分析。结果表明，Ｍｎ＾２＋优先占据四面体配位的Ｚｎ格位，Ｅｕ＾２＋－Ｍｎ＾２＋之间存在着有效的能量传递。     

有机薄膜器件中Tb^3＋的电致发光

研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ／Ａｌ。各功能均用真空热蒸发的方法制备。在正向直刻苦坟驱动下获得了Ｔｂ＾３＋的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射、它来源于空穴输运层ＴＰＤ。在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的     

类锂离子C^3＋的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－一玻恩各级近似下计算类锂离子Ｃ＾３＋的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃａ的结果相一致。     

掺杂Tb^3＋的La3WO6Cl3的合成及发光特性

本文采用高温固相反应法合成掺杂Ｔｂ３＋离子的Ｌａ３ＷＯ４Ｃｌ３荧光体．测定其Ｘ－射线粉末衍射、红外光谱、拉曼光谱、激发光谱和发射光谱，探讨Ｌａ３ＷＯ６Ｃｌ３ＩＴｂ３＋荧光体的发光特性．