一种霍尔效应法测量螺线管轴线磁感应强度的实验装置

提出了一种霍尔效应法测量螺线管轴线磁感应强度的实验装置。该实验装置采用直线电机带动霍尔元件在螺线管中移动,定位准确方便。螺线管励磁电流及霍尔元件驱动电流采用数控恒流源来提供,可以方便地改变方向及大小,精确控制测量时间,避免螺线管发热,从而提高实验精度,保护实验装置。     

基于霍尔效应的雷电磁场测量装置

为了解决雷电磁场测量的二维局限性问题,利用霍尔效应原理,设计出一种新型雷电磁场测量装置.在三维正交的空间支架3个轴上,分别安置相互正交的霍尔元件,测量时为测量装置的电路和霍尔元件分别通上工作电流,将霍尔元件置于待测磁场中的指定测试点.根据所测霍尔元件的电压、霍尔系数以及霍尔元件工作电流,可以在3个正交方向上分别确定所述...     

P型掺金锗的制备及其电学性质研究

本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料要过熔。给出了掺入金浓度沿锭长的分布,金浓度由首端至尾端逐渐升高。制备过程中观察到了一些异常现象。如①颗粒状悬浮物的析出。②单晶尾部有金的富集。③单晶表面有“沟渠”。对这些现象我们进行了讨论。在77°K—400°K范围内测量了P型掺金锗的电阻率及霍尔系数。所得曲线与敦莱普的实验作了比较。定性地解释了这些曲线,并根据霍尔系数确定了各样品的金原子浓度。由陷阱比γ=2的曲线算出了金的电离能为0.15电子伏特。用光磁法及补偿法测量了样品的寿命。实验是在77°K—400°K范围内进行。按多荷电中心复合理论对实验结果作了讨论,认为我们所测寿命确实是由金原子复合作用所决定,并受到表面复合的影响。由掺金浓度为2×10~(-14)cm~(-3)的样品之寿命值,估计出一次负电中心对电子的俘获截面是～8×10~(-17)cm~2。     

霍尔元件用于静电场测量的探索

利用型号为UGN3503的线性霍尔元件对静电场进行测量实验,发现霍尔元件对静电场有显著的、有规律的响应,且其测量曲线在某一区间内基本呈线性变化。实验表明UGN3503霍尔元件可以用于静电场测量。     

70型离子交换纯水器制超纯水

<正> 一、引言我们用上海产70型离子交换器以自来水为水源,单器制纯水纯度可达6.3×10~6Ωcm,一般在5×10~6Ωcm 左右,产量28万 ml 以上。以70型离子交换纯水器进行组合时,纯度达7.5×10~6Ωcm,一般在6×10~6Ωcm 左右,产量达40万 ml 以上,用电蒸馏纯度只达3×10~6Ωcm 左右。用70型离子交换器制纯水不仅纯度高,而且成本低,据估算,每生产一万毫升纯水比蒸馏法(用煤烧)便宜一角多钱。且大大节省了人力和物力,解决了我系全部实验用水及微量分析实验用水问题。     

石英谐振式NH_3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件．实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有良好的选择性．     

602-A型低噪音选頻放大器

本文对于与低阻接收元件联用的选频放大器如何获得低噪音作了較詳細的討論,並得到了较好的实验結果。当选頻頻率为13.2Hz,带寬为0.8Hz时,放大器噪音低于2×10~(-10)伏,等效噪音电阻2Ω,可与20Ω的接收元件匹配。     

卡尔曼滤波器在直流无刷电动机控制系统中的应用

针对直流无刷电动机在使用普通的位置传感器（如霍尔元件等）时所产生的误差问题,采用软件算法来得到电动机的轴位置传号。因此,从物理上消除了电动机所需要的轴位置传感器和其它与该传感器有关的元件。用卡尔曼滤波的方法可以在改善系统控制性能的情况下进一步节约同极系统的成本。     

DCG全息互连元件的研究

用重铬酸明胶(DCG)作为全息记录材料制做了多通道光互连元件,该元件衍射效率为80％,4×4个输出光束通道,光强不均匀性小于10％。     

对霍尔效应测量磁场实验的方法改进

针对大学物理实验中"霍尔效应法测量磁场"项目只能测长直螺线管轴线上的磁场分布的不足,提出一种改进方法,测量任一未知磁场在二维空间中的分布,进而可扩展到测量三维空间磁场的分布。经改进后的实验可使学生深刻理解霍尔效应测磁场的原理及磁场的性质,并可作为设计性实验项目在大学物理实验课中开出,培养学生的创新意识。     

量子霍尔电阻的精密测量

1980年冯·克里青教授利用MOSEFT在低温强磁场中发现量子霍尔效应,其量子霍尔电阻(QHR)为:R_H=h/(ne~2),(1)式中,e为电子电荷;h为普朗克常数;n为整数.上式表明,量子霍尔电阻只与基本物理常数h/e~2有关,与材质和样品的几何尺寸无关.因此,可利用它来建立电阻的自然基准和测量精细结构常数.为了用它建立电阻自然基准,许多国家的实验室都进行了量子霍尔电阻的精密测量,最高测量不确定度已达1×10~(-8).1988年第18届国际计量大会(CGPM)及第77届国际计量委员会(CIPM)作出决议:“自1990年1月1日起,国际上将同时正式启用以约瑟夫逊常数和冯·克里青常数的国际公认值为基础的电学计量新基准复现电压单位和电阻单位.作为量子霍尔电阻的公认值——冯·克里青常数     

Method of analyzing and measuring natural radiation nuclei in high density environmental specimen

报告了测量铝样品中天然放射性核素232Th和238U质量活度结论,即232Th质量活度为23×10-3～70×10-3Bq/g,238U质量活度为036×10-3～055×10-3Bq/g。同时也讨论了在测量高密度样品时样品对其本底辐射的自吸收及环境辐射的屏蔽修正问题,实验表明测量方法可行。     

对提高硅材料体型霍尔元件主要参数的探讨

我院半导体厂生产的硅霍尔元件已定型。为使其更臻完善,现对霍尔元件的灵敏度(K_H)和温度系数(a)的改进进行初步探讨。一、提高硅霍尔元件灵敏度的出发点:对长宽比为1/b 的 N 型硅霍尔元件而言,其霍尔电动势 V_H 表达式为:     

基于Verilog-A语言的霍尔元件仿真模型的建立

在霍尔集成电路及霍尔传感器设计中,霍尔元件模型的建立直接决定该设计的精度。通过对霍尔元件的深入分析,与传统的四电阻惠斯通电桥模型、基本单元数量可缩比的精确仿真模型、等效集总电阻模型等相关霍尔元件模型进行比较,提出了一种精确改进的仿真模型。该仿真模型由8个电阻、4个反偏二极管、4个电流控制电压源和4个JFET组成。其中,八电阻网络可以更好地反映电流流动,4个反偏二极管用于表示霍尔元件的寄生效应,4个电流控制电压源用来模拟磁场和霍尔电压的关系,4个JFET可以有效提高霍尔元件的交流特性。该模型充分考虑了各种物理效应及寄生效应的影响,采用硬件描述语言Verilog-A实现,非常适合在Cadence Spectre环境下对霍尔元件及整个霍尔集成电路进行仿真分析。实验结果表明:该模型仿真精度高、结构简单、易于实现。     

活性炭捕集微量氩的实验研究

本文研究了温度为77K时,压力为6×10~(-6)～5×10~(-8)乇,总量为W≤7×10~(-7)克的氩在1.0克椰子活性炭上的吸附特征、吸附动力学方程和吸附类型。为捕集真空状态下的微量氩提供了实验依据,为定量分析痕量氩建立了新方法。     

抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上电极过程的研究

运用循环伏安(CV)法、计时电量法和稳态极化曲线法研究了抗坏血酸(AA)在多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWCNT/GCE)上的电化学行为.实验表明:AA在MWCNT/GCE上的电极过程为扩散控制的不可逆过程,其极限扩散电流id为1.500×10-5A,扩散系数D0为1·634×10-5cm2/s,标准电极电势时的电极反应速率常数ks为1·694×10-3?/s.     

轴对称凝固锭中通道偏析的形成与防止

用　Ｐｂ－５％Ｓｎ合金在垂直轴对称凝固的　φ７０　ｍｍ×１２０ｍｍ圆柱锭上模　　拟了大型钢锭中Ａ偏析的形成，研究了Ａ偏析形成的临界导热条件。采用倾　　角低速旋转法对轴对称凝固条件下通道偏析的防止作了初步尝试。结果表　　明：通道偏析的形成条件是径向温度梯度大于７．５×１０－２°Ｃ／ｍｍ；凝固速度　　小于临界凝固速度，临界凝固速度随着温度梯度的降低而降低。倾角低速旋　　转可以有效地防止通道偏析的形成。当铸锭沿轴线倾斜２２°时，相对于绕垂直　　轴旋转，防止偏析所需的转速可降低８０％．     

霍尔元件自激场的计算与分析

针对霍尔式传感器的核心敏感部件——霍尔元件在通入工作电流后其自身产生的磁场(自激场)的磁感应强度进行计算，进而分析由霍尔元件组成的高斯计在测磁时由于自激场的存在所带来的误差。     

霍尔元件调谐器

电容通过霍尔元件的作用表现为感性元件,与另一电容元件可组成用于选频的调谐电路。在集成电路中,由于易于制作电容元件,所以霍尔元件调谐器在大规模集成电路中将可能得到广泛应用。     

CAS-OB钢水同时降低[Al]_s,[O]和T.O的实验研究

为防止常规ＣＡＳ－ＯＢ铝热法精炼钢水时［Ａｌ］ｓ和Ｔ［Ａｌ］过高而导致连铸时中间包水口 堵塞,对用Ａｌ－ＣａＯ处理钢水进行了实验结果表明：用Ａｌ－ＣａＯ脱氧能够同时降低钢中溶解氧、 总氧（１０×１０－６～３０×１０－６）和酸溶铝量（７×１０－６～１２×１０－６）,并能控制钢中夹杂物的形态、数量和分布．