球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变

Ｘ射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α－ＳｉＣ向β－ＳｉＣ的转变。高分辨电子显微术证实α－ＳｉＣ中的６Ｈ－ＳｉＣ向β（３Ｃ）－ＳｉＣ的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的。其基本过程是不全位错的运动使６Ｈ的一个（３，３）堆垛向（４，２），（５，１）至（６，０）堆垛序过渡，形成６层３Ｃ－ＳｉＣ的｛１１１｝堆垛，相继进行这一过程即可完成６Ｈ－ＳｉＣ向３Ｃ－ＳｉＣ的     

进入纳米时代的CMOS设计

本论文着重论述未来ＣＭＯＳ进入纳米尺寸的关键挑战，如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分析了纳米ＣＭＯＳ器件结构的设计，讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构，包括ＳＯＩ ＣＭＯＳ、册和环栅ＭＯＳＦＥＴ、凹陷沟道ＭＯＳＦＥＴ、动态阈值ＭＯＳＦＥＴ以及低温ＣＭＯＳ，它们可能把我们带到硅器件设计的最远极限。     

C2连续的四次样条曲面插值

讨论了构造C²连续的四次样条插值曲面问题. 把四次样条函数降为C²连续可提供额外的自由度, 用于提高曲面的插值精度和控制曲面的形状. 给出了一个确定自由度的方法和C²连续的四次样条曲线需满足的连续性方程, 提出了构造C²连续的四次样条插值曲面的新方法. 新方法的特点是曲面需满足的连续性方程是三对角占优势的, 曲面的不连续点在给定的数据点处. 所构造的曲面具有四次多项式插值精度. 最后以实例对新方法和现有三、四次样条函数方法的插值精度做了比较.     

基于扰动分析的随机离散事件系统的优化算法

将扰动分析与随机逼近算法相结合。得到基于扰动分析的随机离散事件系统的优化算法，即所谓的“Ｓｉｎｇｌｅ－Ｒｕｎ－Ｑｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ（ＳＲＯ）”算法，提出一类ＳＲＯ算法，证明它的收敛性，估出收敛速度。     

三角片逼近其插值参数曲面的紧上界

在计算机辅助几何设计（CAGD）与计算机图形学中，常用细分的三角网格来逼近参数曲面．因此，一个首要的问题是确定逼近的精度．迄今为止已有许多文献对给定的一张V^2。连续的参数曲面片和顶点位于此曲面片上的任意一个三角形，给出了两者最大距离的界，但这些界的估计式或者结果太粗糙，或者表达式复杂，或者证明不严密．这里用一种简捷的新方法获得了曲面片与三角形的最大距离的紧上界，并给出了严格的证明，对CAGD具有重要的价值．     

Si过渡层Co／Cu／Co三明治膜巨磁电阻效应的影响

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了不同厚度的Ｓｉ过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响，发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到０．９ｎｍ时表现出明显的各向异性，而过渡层工小于０．９ｎｍ时基本上呈各向同性，巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释，在Ｓｉ过渡层和金属Ｃｏ层的界面处相互扩散形成具有（３０１）择优取向的Ｃｏ２Ｓｉ诱导了三明治膜的这     

非球头刀宽行五轴数控加工自由曲面的三阶切触法(Ⅱ):刀位规划算法

基于单个刀位下刀具包络曲面的三阶近似模型,提出了非球头刀宽行五轴数控加工自由曲面的刀位规划新方法.该方法通过优化刀具的前倾角和侧倾角使得在刀触点处刀具包络曲面与设计曲面达到三阶切触,适用于任意的回转刀具,并且可以自然地处理无干涉约束、机床工作空间约束以及刀具路径光顺性约束.圆环刀加工螺旋面的仿真实例表明该方法可以显著增大加工带宽,提高加工效率.     

用四阶累积量实现频率、二维到达角和极化的联合估计

基于四阶累积量和ＥＳＰＲＩＴ算法提出了一种新的任意Ｇａｕｓｓ噪声环境下的多个独立空间信号频率、二维到达角和极化的联合估计方法，该算法的阵列由和坐标轴方向一致的偶极子对组成，各偶极子对的排列结构任意，计算机模拟结果证实了方法的可行性。     

基于确定性退火的增强型分片回归

回归是统计学习理论中的主要研究问题之一．文中给出确定性退火分片回归算法全局收敛性和自由能全局极小关于温度连续性的证明，推导出初始临界温度的简化计算公式，并提出一种新的增强型分片回归算法，利用“原型迁移”技巧，避免退火过程中“空剖分”的出现．基于Benchmark数据集上的实验表明：新算法能有效去除模型冗余，提高学习泛化能力．     

Ag—Cu合金的原子能量及Gibbs能函数

阐明了特征晶体模型的合理性，建立了ＣＣ理论的９个Ｇｉｂｂｓ能函数。规则溶液模型相应于ＣＣ模型中的最简单情况。ＣＣ理论中的任何一个Ｇ－函数都可用来描述Ａｇ－Ｃｕ系中的液相和ｆｃｃ相。Ａｇ－Ｃｕ合金的特征晶体的晶格稳定性参数可以采用ＳＧＴＥ科学组提出的形式。     

基于对象的协同计算模型

提出了一个支持ＣＳＣＷ系统构造的协同计算模型，它将一个协同系统分为若干层次，每一层由相关构件对象组成，通过对象链接机制，连接多用户的相关对象，实现了应用独立的多层次协同。模型使系统获得了细粒度的协同感知和结构化的协同关系，提高了协同效率，方便了协同系统的开发。     

一种以特征线为中心的曲面特征表示方法

由于自由曲面特征形状复杂多样，难以有效地进行参数化表示．本文提出了一种以特征线为中心的曲面特征层次参数化的表示方法．该方法将特征线作为曲面构建的基本单元，将特征线划分为几何层、约束层、语法层和语义层，利用特征线信息对曲面特征进行参数分层，实现曲面特征的整体形状和局部形状的层次控制；在参数化表示上，按不同自由度分为半自由和完全自由曲面特征，并对曲面特征进行了统一的定义表示．实验结果表明，本文方法能够表达多种形状的自由曲面，在高层语义参数层面上方便地编辑曲面特征，是一种有效的曲面特征表示方法．     

Al2O3-SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析

用Ｘ射线衍射的方法测定了Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的残余应力，建立模型，计算了残余应力，并与实验测定结果吻合，探讨了纳米复合陶瓷的增韧补强机理。     

改进的共沉淀法制备Bi系超导体原始粉末及其化学计…

在研究水介质中草酸盐共沉淀法制备Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系多元粉末的化学计量性基础上，提出了一种改进的共沉淀法。特色在于共沉淀反应在一种表面张力比水小的有机溶剂和水的混合溶液质中进行。     

基于析取逻辑程序设计的诱导推理

利用辨论推理模式，将负文字的析取式作为诱导推理的假设，建立了析取逻辑程序设计的一种诱导语义框架ＤＡＳ。它不仅是实现辩论推理（诱导）的一种简单直观语义而且为析取程序的语义了一个统一的框架。特别地，证明了著名的良基语义和ＥＧＣＷＡ等都可以嵌入ＤＡＳ。     

层状单轴各向异性介质并矢Green函数的递推算法及精确计算

采用递推算法计算任意数目三维层状单轴各向异性介质的并矢Green函数．根据层界面处电场和磁场的连续性条件得到3个确定Sommerfeld积分待定系数的线性方程组，分别对应于垂向单位电偶极子产生的TM波、水平方向单位电偶极子产生的TE波和TM波，这些方程组均可通过递推算法求解．只需改变3个线性方程组中源项元素的位置，就可以方便地得到当源点和场点在任意层时的并矢Green函数．通过将积分路径在复平面变形，有效地解决了出现在Sommerfeld积分中的奇异点问题．所给出的并矢Green函数表达式形式简洁、易于编程，且计算时无溢出现象．理论分析和数值计算举例说明了该算法的准确性和有效性．     

带角点插值条件的张量积Bezier曲面降多阶

研究了CAD／CAM系统中急需解决的带角点插值条件的张量积Bezier曲面降多阶逼近问题，导出一种简单直观的降阶算法。应用曲面转换方法和Chebyshev多项式逼近理论，给出了参数曲面一次降多阶的另一种逼近算法，新旧曲面在相应角点可保持给定的连续阶，且逼近误差比前一算法还要小得多。     

非线性常微分方程的计算不确定性原理--Ⅱ. 理论分析

研究了常微分方程一般数值解法的误差传播规律，提出理论收敛性、数值收敛性真实收敛性3种收敛性概念，详细讨论了浮点机上一般数值解法的舍入误差的各种分量，通过引进一类新的递推不等式，本质改进了线性多步法误差界的经典结果，结合概率理论导出了浮点机上舍入误差的“正常”积累增长，并给出一般多步法总误差的统一估计。在此基础上，解释了数值试验中的各种现象，导得两个与方程、初值、数值格式无关且与数值试验中相一致的普适关系，并给出计算不确定性原理的明确数学表述，阐明了数值解法和计算机所带来的两种不稳定性之间存在的固有关系。     

一次结晶时石墨球化的电子理论

键距差分析表明，含Ｍｇ、Ｚｒ，Ｓ奥氏体，渗碳体的价电子结构与Ｆｅ－Ｃ奥氏体、渗碳体的价电子结构显著不同，研究发现这些差异联系着石墨球化理论的吸附说，表面张力说和过冷说，将“类拖曳效应的价电子理论模型”引入结晶理论，可用相价电子结构参数阐述Ｍｇ，Ｚｒ的球化机理和Ｓ的反球化作用，从而提出了石墨球化的电子理论解释。     

数字电路的开关级设计理论

在分析数字电路传统设计理论中存在问题的基础上，提出了应用开关变量与信号变量两者来分别描军数字电路中内部元件的开关状态及电路信号，并由此出发建立了开关－信号理论。根据ＣＭＯＳ电路的工作原理，发展了与之相关的开关级设计技术。