提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

直流开关稳压电源保护技术及其应用

0.引言直流开关稳压器中所使用的大功率开关器件价格较贵,其控制电路亦比较复杂,另外,开关稳压器的负载一般都是用大量的集成化程度很高的器件安装的电子系统。晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能     

大功率晶体管材料参数计算与分析

为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。分析方法通过实验验证,具有较好的实用性。     

步进电动机晶体管驱动电源的暂态过程分析

本文根据基本电路理论,对采用大功率晶体管作功率开关元件的步进电动机进行了绕组电流暂态过程的分析,推导出相电流波形前、后沿时间与步进电动机的运行频率之间,以及运行频率与外加电源电压之间的关系.     

GTR零压开关的分析与设计

本文在理论上对大功率晶体管ＧＴＲ在零压下开关作了详细分析，设计了合理的、最简单的逻辑电路，使ＧＴＲ能在零压下开关［１］，达到了开关损耗为零、吸收电路被省略、系统的启动与负载，电流无关的目的．并通过实验证明理论与实际是一致的     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

场效应管弧焊逆变器及其功率增大问题

本文介绍作者研制出来的场效应管弧焊逆变器的原理、特点和用途。通过研究分析,说明场效应管用在弧焊逆变器中作为快速开关,与可控硅、双极型晶体管比较,具有许多优越的性能。本文还着重针对目前大功率场效应管许可的额定电流不够大的实际情况,如何为了适应焊接工作需要,正确解决功率增大问题,作了论述。     

低频大功率晶体管芯片的电子束退火研究

本文研究了电子束退火对低频大功率晶体管芯片的影响,结果证明,经电子束退火,芯片的机械抛光损伤、热氧化层错和位错都有显著减少.本文还研究了低频大功率晶体管的"云雾击穿".讨论了电子束退火对"云雾击穿"的影响.     

1000W,125kc 晶体管丁类功率放大器的研制

一概述某些水声设备可能工作在比较高的超声频率,因而对水声发射设备提出了高频率、大功率、高效率等要求。由于可控硅的关断时间比较长,可控硅逆变器工作于100kc 以上已比较困难,而且电路也很复杂。所以高频率、大功率的发射设备中仍常常用到电子管。近年来,随着电子工业的发展,大功率晶体管的性能得到很大的改进。晶体管功率放大     

IGBT的强驱动与保护电路

设计了运用２个Ｎ沟道ＶＭＯＳ管组成高电压推挽式输出电路，研制了一种绝缘栅双极型晶体管模块（ＩＧＢＴ）的强驱支与保护模块，为解决大功率ＩＧＢＴ（６００Ａ／１２００Ｖ以上）的高速开关驱动问题提供了一种新的实用方法，并讨论了模块的应用问题。     

有源滤波器在大功率工程中的应用

对于大功率非线性负载，有源电力滤波器受到变流器晶体管功率和开关频率的限制，不能有效地抑制负载谐波电流．为此，提出了一种由并联有源滤波器和串联平波电抗器组成的混合有源滤波系统．实验结果表明，这种滤波系统在不加大有源滤波器带宽的条件下不仅滤波效果明显，而且容量要求小，仅为负载平均功率的2%或更低．     

一种高频大功率吸收式开关设计

该文在8~12 GHz的高频大功率吸收式PIN开关的设计、制作中,提出了多种新的措施方法,对于成功研制大功率开关具有重要作用。该开关插入损耗小于1.4 d B、驻波比:≤1.3∶1、隔离度大于50 d B、连续波功率大于800 W。具有高功率容量、高频带宽、损耗小的特点,对于高频大功率开关的研制,具有广泛的推广应用价值。     

开关稳压电源性能的改进

详细分析了开关稳压电源的工作过程，并针对功率晶体管的二次击穿，提出了RC吸收网络，并通过优化基极驱动减少晶体管的开关损耗，从而提高开关稳压电源的性能。     

硅合金结及扩散结晶体管h参数的温度关系

硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大的意义。本文从实验方面研究了硅合金结及扩散结两     

脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.     

理想开关SPICE宏模型的设计

讨论了SPICE程序对于电流控制开关电路模拟的问题。模拟DC-DC转换器、大功率开关和大功率电路系统的关键在于找出SPICE程序能接受的代替开关元件,文章给出了建立理想开关SPICE宏模型的方法和多种电压控制开关、电流控制开关的子电路模型。该方法简便易懂,在电路系统的设计仿真中有良好的应用价值。     

复合开关晶体三极管特性的探讨

本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性,提供了实测数据和应用电路实例。     

功率晶体管的并联运用

引言 在晶体管功率放大器的维修或实验中,受器材等因素的制约,常采用晶体管(型号相同,参数相近。下同)并联运用的方式,以代换某个大功率管。但并不是简单地将若干个晶体管并接,就可以稳定地工作。本文仅对功率晶体管并联运用中应考虑的几个问题作一探讨。