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相似文献
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1.
本文报导一个用射频偏置的点接触固定器件制作的超导量子干涉器测量系统.传感器等效磁通噪声约,输入能量灵敏度优于1×10~(-27)J/Hz.  相似文献   

2.
<正>日前,在国家自然科学基金重点项目等的支持下,浙江大学化学系彭笑刚课题组与材料系金一政课题组合作在量子点发光二极管研究领域取得了重要进展。相关研究成果发表在《自然》上。该文报道了一种以量子点为电致发光材料的新型LED器件。其性能远远超过了目前相关文献报道的其他量子点LED,并且该新型器件可以通过简单的溶液加工路线制备而得。LED作为下一代照明与显示的核心器件已被业界认可。Ga N外延生长量子阱的LED器件则  相似文献   

3.
随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理,重点从量子阱材料.量子阱激光器、量子阱虹外探测器、量子阱LED、量子阱光集成器件等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用。  相似文献   

4.
量子神经网络动力学及其在信息安全中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了二阶Hopfield神经元及其量子动力学模型,讨论了它的粒子数图像,计算了真空量子涨落幅度值。这个幅度值是设计量子神经电子器件,井基于量子神经网络器件进行量子神经计算、量子神经信息存储与提取的物理限制。文章还进一步讨论了量子神经网络器件在信息安全中的应用。  相似文献   

5.
利用原子相干与干涉效应研究了三能级∧型原子系统中边频对相位调制电磁感应光栅的影响。结果表明由于边频相干,该结构中电磁感应透明窗口从一个拓展到多个。调节合适的边频强度,分析吸收色散性质,利用边频相干效应,相位衍射光栅强度尤其是一阶衍射得到增强。该系统内合适的探测场失谐、边频与中心频率之间的频差、相互作用长度也对相位调制光栅效率起到增强作用。该研究对于发展新颖的量子信息光学、量子网络及光学成像等方面的器件有着潜在的应用。  相似文献   

6.
半导体量子点是由少量原子组成的准零维的纳米量子结构,表现出较其它维度的结构的半导体材料更优越的性能,被广泛应用于量子计算、量子生物医学、量子光伏器件、量子发光器件和量子探测器中,是现在前沿科学研究的热门课题之一。  相似文献   

7.
采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1100 r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5 V。  相似文献   

8.
采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。  相似文献   

9.
经过对P3HT/PCBM活性层薄膜退火,发现光的透射率增大,光的反射率减小.活性层的X射线衍射图谱分析表明,经过不同的退火时间,薄膜内结晶度不同,结果导致器件的量子效率有所不同.该器件在140℃的温度下,经过30 min退火,有机太阳能电池的短路电流达到0.75 mA/cm2,光电转化效率为0.034 64%,比较其他退火时间,该工序能量转换效率最高.  相似文献   

10.
量子点,又称“人造原子”,它是纳米科技研究的重要组成部分。由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的独特性能,构成了量子器件和电路的基础,在未来的纳米电子学、光电子学,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景,受到人们广泛重视。文章介绍了半导体量子点结构的制备和性质以及量子点器件的可能应用。  相似文献   

11.
由Josephosn关系,得出DSC系统分别处于稳恒磁场和交变磁场时,两结间所加交变电压的直流分量改变,将导致系统的dc Josephson电流产生多次阶梯效应。  相似文献   

12.
Josephson效应发现的历史回顾,相关量子理论精要,Josephson方程的推导,外加磁场对最大Josephson电流的影响等,在本文中进行了讨论。  相似文献   

13.
通过计算界面势垒散射强度对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流与温度T和结两侧晶轴方位角之间的关系.我们发现:f波超导体/绝缘层/f波超导体结界面的势垒强度总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流.当结两边晶轴方位角相同时,Josephson电流的振荡周期是2π;特别地,当结两边晶轴方位角不同时,其振荡周期不再是2π,而是会随着势垒强度的增大,振荡周期变小.  相似文献   

14.
本文以推广了的Jacobson方法在小电流的假设下导出了SINIS势阱结的电流-位相关系。在所谓临界厚度下它退化为通常的正弦函数关系,其临界电流对温度和结区厚度的依赖关系兼有了SIS和SNS结的某些重要性质。由于该结有较好的耦合能力,故可期望替代SNS结做某些实际应用。  相似文献   

15.
我们在不同温度下对Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜进行了本征的瑟夫森效应研究,对薄膜微桥I-V特性和临界是流随温度变化关系的测试表明,Tl2Ba2Ca2Cu2O8薄膜中的本征约瑟夫森效应呈现SIS结特性。  相似文献   

16.
Mesa-structured intrinsic Jospehson junctions are fabricated in Bi2Sr2CaCu2O8 x single crystals.Typical current-voltage characteristics of intrinsic Josephson junctions are observed .which include multiple quasi-particle branches,surface junction with critical current lower than those of inner junctions.and subgap structures on quasi-particle branches,The corresponding physical explanations are also given .The energy gap voltage of the intrinsic Josephson junctions at 30 K is about 20mV Besides,The measured Ic-T relationship agrees quite well with the theoretical computations based on dx′-y′-wave superconductor.Our measured dI/dV-V relationship shows the V-shaped gap structure,obviously differing from the U-shaped gap structure of the s-wave superconductor.  相似文献   

17.
张冲 《江西科学》2014,32(4):499-500
报道一种新的约瑟夫森效应—涡旋态参与的约瑟夫森效应。在这种效应中,涡旋束缚态和Andreev态的干涉效应导致了约瑟夫森超流的台阶状演化,并且台阶数目等于有效导电通道数目。  相似文献   

18.
在小电容条件下,研究了热噪声(当作色噪声处理)对约瑟夫逊效应中伏安特性曲线的影响,得到了考虑噪声关联时间后的影响使得约瑟逊结上平均电压减小的结论。  相似文献   

19.
在研究超导体/正常金属/半导体/正常金属/超导体结的约瑟夫逊效应的基础上,利用Ginzburg-Lan-dau方程,对超导体/正常金属/半导体/正常金属/超导体结的临界厚度进行了理论推导.求得该结临界厚度的计算公式后,对相关的其它问题进行了进一步的讨论.  相似文献   

20.
This paper extends DC and AC Josephson equations from a single Josephson junction to any number of junctions in the linear "chain" using G.L .phenomenological theory and B.C.S theory, i.e, it demonstrates theoretically that one Josephson "chain" can be treated as one single Josephson "junction".  相似文献   

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