酯酐生产装置中紧急停车系统（ESD）的应用

本文介绍了GE智能平台90—70GMR系统在皖维高新材料股份有限公司5万吨／年醋酐项目中的应用，具体就GMR系统中输入子系统、输出子系统的硬件配置，以及GMR系统在主要工序中的应用进行了描述。     

醋酐生产装置中紧急停车系统（ESD）的应用

本文介绍了GE智能平台90-70 GMR系统在皖维高新材料股份有限公司5万吨/年醋酐项目中的应用,具体就GMR系统中输入子系统、输出子系统的硬件配置,以及GMR系统在主要工序中的应用进行了描述。     

基于GMR磁传感器芯片的弱磁探伤电路

巨磁电阻（GMR）传感器芯片是国际刚刚开始实际应用的一种磁场传感器。本文介绍了NVE公司的AA系列GMR芯片的工作原理，并设计制作了实物，可以成功探测周围磁场的变化，对金属管道进行检测和探伤。做出的成品具有体积小巧，成本低廉，灵敏度高的优点。     

基于GMR磁传感器芯片的弱磁探伤电路

巨磁电阻（GMR）传感器芯片是国际刚刚开始实际应用的一种磁场传感器。本文介绍了NVE公司的AA系列GMR芯片的工作原理，并设计制作了实物，可以成功探测周围磁场的变化，对金属管道进行检测和探伤。做出的成品具有体积小巧，成本低廉，灵敏度高的优点。     

稀土元素的微合金化对Cu—Co—Ni合金巨磁电阻效应的影响

稀土元素的微合金化对溶体快淬Cu-Co-Ni合金巨磁电阻（Giant Magneto Resistance,简称GMR）的效应影响研究表明,当添加稀土元素的质量分数为0．05％－0．07％时,轻稀土Ce、La、Nd可以有效地增大Cu80Co1e5Ni5合金的GMR值,其中以Ce的效果最好,而重稀土Dy、Tb会使GMR减小,当添加轻稀土元素的质量分数大于0．1％时,GMR也明显减小,分析表明,轻稀土元素对合金的纯化和促进使过饱和固溶体分解,可增加磁性粒子密度的作用,这也是增大GMR的主要原因。     

0-1整数规划问题的巨磁电阻型DNA计算模型

给出了基于GMR(巨磁电阻)型DNA芯片技术的0-1整数规划问题的DNA计算模型。将问题的变量编码成DNA链,在GMR型芯片表面固定DNA探针,然后将被生物素标记的待分析目标DNA链与探针进行充分杂交,通过芯片上的GMR传感器对芯片上纳米磁珠的检测,以电信号方式输出,得到问题的解,避免了荧光分析中的信号转换而引起的失真。该模型具有较高灵敏度,信号检测和分析较为简单,对信号检测设备要求较低。     

巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型     

巨磁电阻效应

2007年诺贝尔物理学奖被授予了法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert.Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格尔(Peter.Griinberg),以表彰他们发现了巨磁电阻(Giant Magnetoresistance,GMR)效应.这个效应的应用导致了计算机硬盘记录密度的极大提高.此外,GMR效应的发现也是全新的自旋电子学的开端.我们可以期待电子自旋的量子效应带给我们更多的发现和创新技术.     

基于CORDIC算法的磁编码器设计

利用两轴正交全桥GMR传感器芯片SAS012产生两路正交信号,并利用Cyclone系列FP-GA芯片EP1C6PQ240设计了一台磁编码器原型机.由于设计中采用了流水线结构的CORDIC算法,能很好地满足系统实时性要求,并进一步在FPGA中进行了数字滤波.在原型机上的实验测试结果表明,该磁电编码器8倍频输出结果稳定.     

Fe-Al_2O_3纳米颗粒膜的巨磁电阻效应及微结构

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的 Fe- Al2 O3 颗粒膜样品 ,对样品的巨磁电阻效应 (GMR)和磁性能进行了测量 ,并用高分辨电镜 (HRTEM)对膜中 Fe颗粒的微结构进行观察 .结果表明 :磁电阻 MR随 Fe含量而变化 ,在体积分数为 47%时获得最大值 4.0 % .45 % Fe-Al2 O3 颗粒膜的室温磁性表现为超顺磁性 ,磁电阻 MR与 - (M/Ms) 2 成正比 ,相关常数 A≈ 0 .0 3 6 .HRTEM观察表明 ,当 Fe颗粒尺寸约小于 1 nm时 ,Fe颗粒为非晶态 ,而大于该尺寸时则为晶态 .在 Fe- Al2 O3 颗粒膜体系中存在与隧道相关的 GMR,GMR的起因可归于传输电子的自旋相关的散射     

退火处理对Dy4(Co21Cu79)96颗粒膜结构和巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射法制备Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻（GMR）效应及磁性能.应用X射线衍射仪（XRD）对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计（VSM）测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dy_x(Co₂₁Cu₇₉)_100-x（x=0,4,8,9,12,14）薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻（GMR）效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力H_c随退火温度的升高逐渐增大.     

Fe—Al2O3纳米颗粒膜的巨磁电阻效应及微结构

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了一系的Fe-Al2O3颗粒膜样品,对样品的巨磁电阻效应（GMR）和磁性能进行了测量,并用高分辨电匀（HRTEM）对膜Fe枯粒的微结构进行观察,结果表明,磁电阻MR随Fe含量而变化,而体积分数为47％时获得最大值4．0％,45％Fe-Al2O3颗 膜的室温磁性表现为超顺磁性,磁电阻MR与－（M／Ms)2成正比,相关常数A约0．036,HRTEM观察表明,当Fe颗粒尺寸约小于1nm时,Fe颗粒为非晶态,而大于该尺寸时则为晶态,在Fe-Al2O3颗粒膜体系中存在与隧道相关的GMR,GMR的起因可归于传输电子的自旋相关的散射。     

物理学奖解读：小硬盘大发明

大家可能都用过装有小硬盘的数字摄像机，小小一块硬盘可以储存30G或更多的信息、，用起来非常方便，直接连到计算机上就可以将拍摄的内容迅速转出。有了它，人人都可以随心所欲地制作自己的DV节目，而不再需要复杂的专业转录设备。然而，你知道吗？这一切都是源自20年前的一个伟大发现——巨磁电阻效应（GMR：Giant Magnetoresistance）。     

巨磁阻传感器在炉管渗碳层厚度模拟检测中的特性

裂解炉管在裂解石油的过程中,会发生渗碳现象.利用炉管渗碳层厚度增加,引起磁性增加的特性,采用巨磁阻传感器(GMR)检测磁性.在交流激励条件下,用铁片模拟渗碳层厚度变化,对巨磁阻传感器的激励频率、磁敏方向、探头正反行程的特性进行研究.结果表明:巨磁阻传感器在弱磁场的检测中,最佳激励频率为40～200Hz,巨磁阻传感器(GMR)元件应垂直于裂解炉管外壁,传感器能够响应不同的厚度,输出有规律递增或递减的电压.     

基于动态系统稳定估计器的机器人变刚度轨迹规划

针对现有基于动态系统稳定估计器(SEDS)的机械臂轨迹规划中无法兼顾运动精度和能量消耗的问题,提出变刚度轨迹规划的方法.首先,采用SEDS对示教轨迹进行拟合,得到从空间任一起点到终点的收敛轨迹.然后,基于人体上肢刚度模型,通过实验得到肌电信号与上肢末端刚度的映射关系,并使用高斯混合模型GMM和高斯混合回归GMR学习示教...     

电化学沉积纳米多层膜研究

用电化学沉积法和自制的微机数控电化学电源，在半导体硅片等衬底上成功制备出Cu/Co等组分调制多层膜，利用EPMA、SEM、STM（AFM）、TEM多种方法表征其微结构。电化学沉积实验表明，在较高过电压、较低电流密度和较低PH（＝1．8）等条件下，能获得GMR≥8％的纳米多层膜。     

地磁场对焊枪高度跟踪的影响及减小方法

应用地球磁场理论对GMR磁传感器在焊接过程中焊枪的高度跟踪问题进行系统分析与研究.实验结果表明,采用模拟实验方法,对GMR和放大电路分别采用屏蔽和非屏蔽措施,在正常的工作电压、焊枪与工件的垂直高度为5.0 mm以及地磁场Z分量为26971 nT时,测得地磁场分量Z引起焊枪的高度变化高达5%,即0.3 mm;此外,结合不同纬度地区的地磁分布情况,得出了桂林与满归两地之间因地磁场影响造成的焊枪高度误差也可高达5.5%即0.3 mm以上.从而证明了这种焊枪高度跟踪检测传感器明显地受地磁地影响.为了减小其影响,采用磁法勘探中磁场补偿原理进行补偿,为电弧焊接非接触检测提供了一种新的方法.     

NiCo-Ag纳米颗粒膜输运性质的研究

采用离子束溅射技术制备了一系列不同含量x的(Ni0.8Co0．2)x-Ag1-x。颗粒膜样品，并对样品的各向异性磁电阻和巨磁电阻效应进行了研究，在x=0．4的样品中，GMR值达最大值，为-3％，而AMR值在x=0．75时为0．8％。随着NiCo质量分数x的增加，电子输运行为有着一个从GMRAMR的转变。考察其输运性质，试图来更深入地理解各向异性磁电阻和巨磁电阻效应的物理本质。     

庞磁电阻材料Sr2FeMoO6的性能及其穆斯堡尔谱研究

应用传统的陶瓷制备方法，制备了烧结温度分别为1200℃和1250℃的双钙钛矿结构率磁电阻（GMR）材料Sr2FeMoO6样品，通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究，发现较低温度烧结的样品晶粒相对较小而磁阻较大，从而暗示晶界上的自旋极化电子对磁电阻效应有明显贡献。同时，通过观察不同温度下的穆斯堡尔谱，看到了晶界上Fe离子磁状态的改革，这从另一角度证实晶界上的载流子散射是室温下电阻产生的主要原因，而晶粒之间自施极化电子的跳运受到外加磁场的影响，产生 磁电阻效应。     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了（NiFeCo)36Ag64颗粒膜，用四探针法测量了法入Co离子前后（NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化，用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分，实验结果表明：注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响，在相同退火温度下，注入离子可使GMR效应提高一倍以上，随着退火温度增加，颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小，在360℃下退火可获得10．2％的最大室温巨磁电阻效应。