Si（313）表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近拟下的sp^3s模型，首次计算了半导体Si的（313）高指数表面的表面电子结构。采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（313）表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构。计算结果表明：（313）表面在－10eV到＋2eV的能区内存在6个主要的表面态。在此基础上讨论了各表面态的色散特性、轨道特性和局域特性等。     

Si（313）表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的sp3s模型，首次计算了半导体Si的（313）高指数表面的表面电子结构.采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（313）表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构.计算结果表明（313）表面在-10eV到+2eV的能区内存在6个主要的表面态.在此基础上讨论了各表面态的色散特性、轨道特性和局域特性等.     

弛豫InAs（110）表面的电子结构理论研究

采用最近邻的紧束缚的ｓｐ＾３．ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，计算了ＩｎＡｓ（１１０）弛豫表面的电子结构给出了表面投影能带和Ｍ占的层态密度，分析了产生表面态的原因和轨道特性以及弛豫引起表面态的变化，所得结论与实验和其他理论结果相符合。     

GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析

基于GaAs(114)A表面的几何结构，采用散射理论的格林函数方法，首次从理论上计算了GaAs（114）A表面的电子结构，得到了该表面的投影能带结构，并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性，结果表明，在基本带隙中有4个表面态，异极带隙中有2个表面态，这些表面态分别与表面的离子悬挂键相对应。     

Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ＾３ｓ模型本电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＳＡｓ（１１０）表面上的电子特性，计算结果表明：在－１２ｅＶ－＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质，而不表现出金属的性质。     

表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas,2DEG）形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明：施主表面态为2DEG的电子来源;Al-GaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。     

Au（111）衬底上单层Pd的电子态密度

用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了几个表面系统的电子态密度，这些系统在费米能附近的态密度主要是由原子的ｄ轨道贡献的．Ｐｄ（１１１）的态密度峰基本上就在费米能附近，而Ａｕ（１１１）－Ｐｄ的态密度峰在费米能级以下约０．９ｅＶ附近，这种差别被归因于原子间距的增大和顶层与衬底间原子ｄ轨道能的较大差异．     

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征

在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3模型基础上,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的(311)A表面的电子结构,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构,并给出了GaAs的(311)A表面的层态密度函数,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和(311)A表面的共同电子结构特征,计算结果与实验结果基本一致.     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

^138Ce的高自旋态与扁椭集体转动带

通过重离子熔合－蒸发反应＾１２４Ｓｎ（＾１８Ｏ，４ｎ）＾１３８Ｃｅ研究＾１３８Ｃｅ的高自旋态结构，实验在中国原子能科学院Ｈ－１３串列加速器上进行，束流能量为７８ＭｅＶ，经过γ－γ符合及方向关联比率ＤＣＯ的分析，建立了＾１３８Ｃｅ新的高自旋态能级图，发现了两个扁椭形变集体转动速，并对这种扁椭集体带的特性进行了讨论。     

Ar^＋离子注入对Ge／GaAs（100）异质结能带偏离影响的XP…

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究了界面特性和Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）异质结的能带偏离关系。实验表明，当在清洁的ＧａＡｓ（１００）表面生长Ｇｅ异质结时，其价带偏离（△Ｅｖ）与界面特性无关，而在Ａｒ离子注入的ＧａＡｓ（１００）表面上生长的Ｇｅ异质结，其价带偏离与Ａｒ＾＋离子的浓度分布有关。     

渐近准周期势场中电子的局域态,扩展态和迁移率边界

应用数值方法研究了一维渐近准周期势Ｖｎ＝λｃｏｓ（Ｑｎ＋αｎν）（０＜ν＜１，及为无理数）中运动的电子的能级和波函数，发现当λ＞２时，所有的态都是局域态，而当λ＜２时，存在着扩展态、局域态和迁移率边界．我们研究了它们与参数Ｑ，α，ν的关系，发现能带结构由Ｑ决定，而α，ν是无关的参数．     

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法，采用考虑最紧邻的sp^3s^*模型描述体带，计算了BN（110）面的电子结构，分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度，并进行了较详细的讨论。结果表明：BN（110）DM面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的（110）面的电子结构定性上是类似的，但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别。这与它的反常弛豫有一定的关系。     

钇钡铜氧超导体表面电子特性研究

基于散射理论的格林函数方法，采用三近邻紧束缚模型描述超导氧化物YBCO的体电子结构，对YBCO（001）表面的3种可能截断的铜氧表面电子结构进行了计算，计算结果表明，相对于体电子结构特征，理想截断的CuO表面，其表面电子结构和体电子结构的差别较大，突出表现为在费米能级附近态密度有很大减少，相反，对另外两种理想截断的CuO2表面，没有表现出这种差别，计算给出了表面投影能带结构和表面角分辨的能级谱，并将这些计算结果同已有实验结果作了比较。     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。     

紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)B表面共同的表面电子结构特征     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

态射的Moore—Penrose逆的构成

给了了有满分解的态射的Ｍｏｏｒｅ－Ｐｅｎｒｏｓｅ逆的结构，并且一般态射给出由它的（１，３）逆和（１，４）逆表的Ｍｏｏｒｅ－Ｐｅｎｒｏｓｅ逆。     

紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．