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相似文献
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在320K 至120K 的温度范围内,研究了 Li_(0.025)Na_(0.975)NbO_3晶体的热学性质。焓的时间变化率和比热在降温过程中于180K 左右发生突变,在升温过程中于257K 左右发生突变,这暗示着晶体中发生了一级相变。根据升温时的测量结果,得出转变热为ΔQ=213.5268±(17)J/mol,相应的熵变为ΔS=0.7787J/mol.该相变的热滞约为70K,与介电及热电测量所得结果基本一致。  相似文献   

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在300K至20K的温废范围内,研究了Li_(0.025)Na_(0.975)NbO_3晶体的热电性。在降温和升温过程中,热电系数分别在180K附近和260K附近显示峰值。这表示晶体中发生了低温相变而且该相变有很大的热滞(约80K)。观测了热电电荷随时间的变化。在降温和升温过程中,热电响应分别在180K附近和260K附近随时间改变极性。这一现象被认为是相变过程中两相共存的结果。  相似文献   

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研究了铌酸钾晶体在低温时的热释电性和介电性.在相变温度范围,发现热释电响应随时间改变极性,表明晶体中两相共存.在降温和升温过程中,热释电系数分别于209K和237K出现峰值,显示此相变有约30K的热滞.这一结果与介电测量的结果相符.  相似文献   

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测试了镁铁双掺杂LiNbO3晶体的紫外-可见和红外吸收谱,发现掺镁阈值以下的晶体在482.5nm处有一小吸收峰,认为是由晶体场引起的FeLi^3 离子d-d禁戒跃迁所至,在掺镁超过阈值的晶体中此峰趋于消失,说明Fe^3 离子掺镁阈值前后所处的晶体场发生了变化,进而推测了铁离子的占位发生了变化。结合OH^-谱3504cm^-1吸收带的出现,进一步说明了阈值以上Fe进入Nb位。  相似文献   

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四方相钽铌酸钾晶体的生长和性质研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

9.
从方解石晶体的热膨胀示性面出发,引入无膨胀圆球(零膨胀球)这一概念,求得晶体的零热膨胀方向与晶体光轴方向成64.67°角,同时考虑到晶体的热致双折射,必然存在某一角度,当光波法线方向与光轴成该角度时,由晶体的热膨胀和热致双折射所引起的相位延迟量的变化可相互补偿,而使得该方向透射光相位延迟量与温度的变化无关或相关性最低.  相似文献   

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以光折变效应的带输运模型为基础,研究了高阱密度下温度为光折变晶体折射率主稳态体相位栅效率之间的关系;分析铌酸钾(KNbO3)晶体的温度特性,给出了相应的  相似文献   

11.
着重研究了经过不同氧化还原处理的不同掺杂及浓度的掺铁铌酸锂晶体的吸收边和透射谱,认为晶体的能带结构随掺杂离子及离子的价态变化而变化,并解释了吸收边的有关实验结果.  相似文献   

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双掺杂LiNbO_3晶体光谱和光折变特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了双掺杂Ce :Fe ,Ce :Mn ,Mn :Fe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性 .研究表明 ,双掺杂浓度较高时 ,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小 ,光折变效应二波耦合增益较低 .几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低 ,表现出较强的抗光折变特性  相似文献   

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在基于一次电光效应的光学电压传感器中,电光晶体的半波电压是影响传感器输入输出特性的关键参数之一。通过对电光调制原理的深入分析,选用LiNbO_3晶体搭建半波电压测量平台,针对关键参数半波电压进行了测量。对试验所选用的LiNbO_3晶体的半波电压进行了理论计算,并与实际结果进行对比;分析影响LiNbO_3晶体半波电压的因素,并指出在实际工程应用中应考虑的问题。  相似文献   

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本文研究了单光束照射下 Ce:SBN 晶体的光致光散射,给出了散射光光强的相对分布的理论结果,实验结果与理论基本相符。  相似文献   

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LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
按同成分配比的LiNbO3的原料中,掺入溶质钇,用提拉法生长晶体时,人为地引入生长层,生长层记录了不同时刻的生长界面形态,借以追溯生长过程中固-液界面的形态和演变过程。晶体沿Y轴生长,LiNbO3晶体形成小面的{0112}面族中的(0112)面与生长轴的夹角最小,它与凸的固-液界面相切时,形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离,在晶体底部观察到平坦的(0112)面小面生长区。通过不同的晶体截面,观察了晶体内(0112)面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固-液界面的曲率半径。结果表明:小面半径的平方与相应的固-液界面的曲面的曲率半径成比例,这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制,计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。  相似文献   

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研究选择性擦除的原理和方法,针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点,介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法,通过引入π相位差记录互补全息图,利用全息图及其互补全息图的非相干叠加,消除原全息图对晶体折射率的调制,从而实现对未来影全息图的选择性擦除,实验中实验了在晶体中某一数据面面内部分数据的擦除,并从理论上对实验结果进行了分析。  相似文献   

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