Ca和Sn对提升机控制手柄用Mg-Al-Zn-Si合金性能的影响

根据提升机控制手柄用镁合金的要求,研究了Ca和Sn对Mg—Al—Zn—Si合金性能的影响。拉伸测试表明：含量合适的Ca和Sn可使镁合金的抗拉强度达到220 MPa,伸长率达到12%。一定条件下的腐蚀率为0.09 mg·cm^—3·d^—1。Ca和Sn对Mg—Al—Zn—Si合金的力学性能及耐腐蚀能力的改善有较大的促进作用,可以满足提升机控制手柄的要求。     

水热条件下CaO—MgO—SiO_2—H_2O体系中反应物的竞争与产物的转化机制

本文研究了 Ca O—Mg O—Si O2 — H2 O体系的水热反应特性。结果表明 :在 Ca O— Mg O—Si O2 一 H2 O系统中 ,Ca O优先与 Si O2 反应生成水化硅酸钙 ,Mg O部分固溶于水化硅酸钙中 ,部分生成 Mg( OH) 2 ,部分与剩余的 Si O2 反应生成水化硅酸镁 ;Mg O固溶时 ,可促进托勃莫来石向硬硅钙石转化 ,不固溶 ,则其转化温度提高     

稀土在低硫16Mn钢中的作用

长条状的MnS夹杂对钢的横向韧塑性极为不利。喷吹Si—Ca或加入RE,通过脱硫和变质硫化物的作用,都可显著地消除其危害。喷吹Si—Ca变质硫化物的程度与钢中Ca/S有关。喷吹Si—Ca后加入少量RE,有利于控制MnS完全变质,此时钢中所需的RE/S可明显低于3。在大幅度脱硫的基础上加入少量RE,是使钢材韧塑性获得稳定大幅度提高的一条有效途径。     

环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究

环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等.综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想.展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题.     

环境友好半导体材料Ca2Si的研究进展

Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。     

用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO_2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中应用.在1977年以后,由J.G.Simmons 等发展了MOS 器件对三角形电压扫描的非平衡响应     

SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性研究

对SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性从理论和实验上进行了研究．建立了SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性灰色系统GM(1．1)模型．模型与实验数据符合良好．精确度较高．     

环境半导体Ca2Si薄膜制备及椭偏光谱研究

采用磁控溅射系统成功地制备出了环境半导体Ca2Si薄膜,并对制备出的Ca2Si薄膜进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火温度下Ca2Si薄膜的光学常数谱．结果表明,Ca2Si薄膜的折射率在4．3eV附近取得极小值,其消光系数在3．3eV附近取得极大值．     

C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质

在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。     

Pb—Ag—Ca合金阳极用于电解MnO2（EMD）的研究

本文初步报道了Pb—Ag—Ca合金阳极用于电解MnO_2(EMD)的实验研究工作,经二周期(一周期为30天)的连续电解,电流密度(i.d)稳定在80～90A/m~2,槽压稳定在2.5V以下,电流效率平均为约90％,所得产品约3Kg作成Ⅰ号电池测得电性能数据如下。(平均值):开路电压为1.76V,短路电流为8.5A。负载为3.9Ω连放时间(从1.64～0.9V)466分,样品均匀率为97.15％。含Pb量经微分脉冲极谱测定为0.4～0.5％。本研究为Pb—Ag—Ca合金阳极用于EMD生产工业化试验提供了实验室数据。     

含钒钢渣中钒再资源化的基础研究

采用熔融－冷却方法并在渣中分别添加SiO２和Al２O３进行改性,讨论了含钒钢渣中钒的富集以及钒 富集相的结晶与生长。研究表明,在添加SiO２的含钒钢渣中,钒由分布在２CaO·SiO２（C２S）和２CaO·Fe２O３ （C２F）两个相中转变为集中分布在Ca３［（V,P,Si）］O４］２固溶体相中,其中V２O５的质量分数达到２４畅３８％,但是生 成的钒富集相晶体尺寸较小;在添加Al２O３的钢渣中,钒同样也富集在Ca３［（V,P,Si）］O４］２固溶体相中,其中 V２O５的质量分数达到１４畅９０％。晶化试验表明     

Ca对Mg-12Al-12Zn-2Si合金组织和力学性能的影响

利用光学显微镜、X-ray衍射仪、带能谱分析的扫描电子显微镜等手段研究了Ca对Mg-12Al-12Zn-2Si合金组织和力学性能的影响。结果表明:加入Ca元素后合金中生成了弥散分布的Ca Si2相,可作为Mg2Si相异质形核的核心,将块状和条棒状的Mg2Si颗粒变为细小的多边形块状。当Ca含量为0.5%(质量分数)时,合金中Mg2Si颗粒较细小且弥散分布,此时,合金的室温及高温力学性能达到最大。     

C3S-S-H系统水化产物的热力学稳定性

依据高C3S水泥和混合材复合体系的组成特征,用热力学方法分析了C3S-S-H系统在不同n(Ca)/n(Si)组成时的水化反应.结果表明,C3S-S-H系统水化产物的稳定性由系统n(Ca)/n(Si)组成决定,当n(Ca)/n(Si)＞1.88时,最稳定的水化产物是C2SH1.17;当1.25＜n(Ca)/n(Si)＜1.88时,最稳定的水化产物是C4S3H1.5;当0.76＜n(Ca)/n(Si)＜1.25时,最稳定的水化产物是C5S6H5.5;当0.5＜n(Ca)/n(Si)＜0.76时,最稳定的水化产物是C2S3H2.5;当n(Ca)/n(Si)＜0.5时,最稳定的水化产物是C2S3H2.5和CS2H2.C3S-S-H系统在低n(Ca)/n(Si)组成时,水化生成的低n(Ca)/n(Si)的CSH凝胶比高n(Ca)/n(Si)的CSH凝胶更稳定,是二次火山灰反应的驱动力.     

Ca,Si和RE对AZ91合金的组织和性能的影响

Ca,Si和RE合金化和复合合金化AZ91的研究结果表明：Ca单独加入合金中和Ca,Si或Ca,RE同时加入合金中都能明显改善AZ91合金的铸态组织，Si和RE在合金中以Mg2Si和Al11RE3颗粒相形式存在，而Ca则主要溶解于β-Mg17Al12中，未形成新相，DTA分析表明，Ca溶入Mg17Al12后提高了它的熔点，亦即提高了它的热稳定性，这一点对合金的高温性能十分有益，使合金的蠕变性能得到大幅提高，性能最好的是含0.3%（指质量分数，下同）的Ca和2％的RE的合金，它在200℃/50MPa下的蠕变速率相对于基体合金AZ91降低了一个数量级，单独加入Ca对铸态AZ91合金有脆化作用，但Ca,Si或Ca,RE复合加入则能大幅提高AZ91合金的室温和高温强度，同时保持了与AZ91基体合金相同的或更好的塑性。     

用MOS结构高频C—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷

本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题作了定性的分析。该测量方法具有简单易行、直观性强、计算方便等优点。适用于工厂中做一般的工艺监控。     

Si-Ca,Si-Ba及Ca-Ba二元合金熔体组元活度的计算

根据Miedema二元合金生成热模型,结合相关热力学数据,对硅钙钡系中的每个二元合金在1623K下的活度进行计算·结果表明,采用该模型对Si Ca合金活度的计算结果与实测结果吻合较好,Si Ca合金与Si Ba合金计算结果相对于理想熔体有较大负偏差,说明Ca及Ba原子与Si原子都有很强的相互作用,Ba Ca合金熔体在整个成分范围内较为接近理想熔体,Ca原子与Ba原子相互作用不大·     

Al掺杂的Ca2Si的电子结构和光学性质的研究

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Ca2Si和Al掺杂Ca2Si的能带结构、态密度和光学性质进行计算。结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;费米能级插入价带中,Al掺杂Ca2Si变为P型半导体,禁带由未掺杂时的0.26eV变为0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1（0）值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小。     

硅衬底上薄金膜的椭偏光谱和光学性质

用椭圆偏振光谱法测量了Au膜—Si衬底系统在紫外—可见光范围的光学性质,其结果不能用理想的突变界面模型来解释.分析了空洞、表面粗糙及过渡层对椭圆偏振光谱的影响.此外,还考虑了界面处形成的Au—Si合金层,并用经典振子模型来进行分析.分析表明,后者对Au—Si系统的椭偏光谱影响最大.综合上述因素,可使椭圆偏振光谱的理论计算值与实验结果符合得很好.低温退火后(100℃,10分钟),Si原子扩散到Au膜表面并容易与氧作用形成氧化层.     

水化硅酸钙形成过程中对Cd(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)的俘获作用

利用分析纯CaO,H2SiO3和Cd（NO3）：·4H2OE或Zn（NO3）2]在液相中人工合成n（Ca）／n（si）为1．6和0．7的2种含Cd（Ⅱ）或含Zn（Ⅱ）的水化硅酸钙（C—s—H）,研究C—S—H在形成过程中对Cd（Ⅱ）或Zn（Ⅱ）的俘获情况。结果表明,2种n（Ca）／n（Si）的C—S—H在俘获Cd（Ⅱ）后,其XRD图谱均发生明显的变化,特别是在ca”量不足[n（Ca）／n（si）=0．7]的情况下,其晶格参数的变化较大,其特征峰无论是峰值还是峰位均发生了明显改变,表明有Cd2＋替代ca2＋进入了C—S—H晶体。2种n（Ca）／n（Si）比值的C—S—H在俘获Zn（Ⅱ）后,其XRD图谱变化很微弱,仅特征峰的峰值稍有改变,但是这也显示出Zn（Ⅱ）进入了C—S—H晶体。C—S—H均能对Cd（Ⅱ）、Zn（Ⅱ）予以化学俘获。     

（Pb，Ca）TiO3铁电薄膜光学性质的研究

我们用溶胶凝胶法在Si(100)衬底上制备了(Pb,Ca)TiO3铁电薄膜,测量了其在2．0—5．0eV能量范围的样品的椭偏光谱,并获得在该区间的光学常数谱。实验发现Pb离子被Ca离子取代后,在低能区折射率降低,在高能区折射率增加,并且折射率最大值向低能方向移动;同时随着Ca含量的增加,(Pb,Ca)TiO3的吸收边向低能方向移动,表明Ca离子取代Pb离子后,禁带宽度Eg减小。