共查询到18条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
自组装巯基环肽单层膜修饰金电极电化学行为的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
应用循环伏安及交流阻抗技术研究了巯基环肽自组装单层膜修饰金电极的电化学行为,证明了巯基环肽分子能够在金表面形成一定覆盖度的吸附层,同时考察了金/巯基环肽自组装单层膜电极在不同pH值的KCl溶液中的电化学行为。为深入研究巯基环肽的膜结构及性质打下了必要的基础。 相似文献
2.
噻吩羧酸在金表面的自组装膜及其电化学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了具有平面环状共轭体系的硫杂环化合物噻吩羧酸在金表面的自组装单分子膜及其修饰金电极的电化学行为.以Fe(CN)6^4-/3-为“探针”离子,用循环伏安法对自组装膜的形成、电极界面电容及其组装机理进行了研究.结果是噻吩羧酸在Au上的覆盖度约为95%,金电极的界面微分充电电容由修饰前的0.294μF/cm^2下降到0.167μF/cm^2,由此可见噻吩羧酸在金表面形成了致密的单分子膜. 相似文献
3.
自组装膜电极上烟酸的电化学行为及其分析应用 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了烟酸在 2 -巯基苯并噻唑自组装膜修饰金电极 (MBT/SAM/Au)上的电化学行为 ,建立了新的测定烟酸的电分析方法。在 p H1 1 .92 B-R溶液中 ,烟酸在 MBT/SAM/Au上出现了两对氧化还原峰 ,对应的氧化还原峰电位为 Epa,1=-0 .0 40 V、Epa,2 =0 .5 0 9V、Epc,1=-0 .1 87V、Epc,2 =0 .1 66V;Epc,2 处的还原峰电流与烟酸的浓度在 2 .44× 1 0 -2 ~ 2 .44× 1 0 -7mol/L的范围内呈线性 ,检测限达 1 .2 2× 1 0 -7mol/L,方法用于片剂中烟酸含量的测定 ,结果令人满意 相似文献
4.
用电化学方法研究了在金电极上十二烷基硫醇自组装单分子膜(SAM)在乙腈、乙醇及丙酮中的电位稳定性。在0.0Vvs.Ag/AgCl(饱和KCl),十二烷基硫醇自组装单分子膜有最大的稳定性,在较负电位(如2.0V)和较正电位(如+0.6V)电解时,在不同溶剂中的SAMs的表面覆盖率则表现出不同程度的损失,但在三种溶剂中,最大稳定性的电位窗口是相似的。 相似文献
5.
选用L-半胱氨酸(L-Cys)通过S-Au键修饰到金电极上形成L-半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极(L-Cys/Au),探讨了该电极形成机理并发现它对抗坏血酸具有电催化作用.进而利用示差脉冲伏安法对各种样品中的抗坏血酸含量测定,结果令人满意. 相似文献
6.
利用分子自组装热力学及动力学特性,通过控制第一种分子的组装饱和度,以及中间有序化处理过程,得到混合自组装模板,成功的组装出具有相分离结构的五碳硫醇和巯基苯胺二元分子混合自组装膜.这种混合自组装方法对二元相分离结构的混合自组装分子膜具有一定的普适性.同时发现,在两步法混合自组装膜中,随着第一种分子的沉积时间增长,第二种分子的组装面积减小.另外对第一种分子膜进行有序化处理以及不同的处理温度对二元混合自组装膜的质量和结构有着较大的影响. 相似文献
7.
L-半胱氨酸自组装膜修饰电极对抗坏血酸的电催化氧化及其分析应用 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了L-半胱氨酸自组装膜修饰电极(L-Cys/Au SANs)的制备方法和其电化学行为,发现该电极对抗坏血酸(AA)具有明显的电催化氧化作用,在pH 4.03的BR缓冲溶液中,AA在L-半胱氨酸自组装膜修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与AA浓度分别在8.0×10-7-8.0×10-6mol·L-1和4.0×10-5-4.0×10-4 mol·L-1范围内呈良好的线性关系,相关系数分别为0.997 0和0.996 7,检测限为1.6×10-7mol·L-1.该方法可用于AA的测定. 相似文献
8.
L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极的制备及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用共价自组装的方法,制得了L-半胱氨酸单分子层修饰金电极(Cys/Au), 并研究了Cys/Au的电化学特征及Zn2 在Cys/Au上的电化学行为.以Cys/Au为工作电极,建立了一种灵敏的、选择性检测水中痕量锌离子的新方法.在Britton-Robinson(B-R,pH=7.54)缓冲液中,Zn2 在0.2 V左右出现一不可逆的还原峰.峰电流与浓度在1.5×10-9 mol/L~1.5×10-6 mol/L范围内具有良好的线性关系,检测限可达3.5×10-10 mol/L.将该法用于水样中微量Zn2 的测定,8次测量结果的相对标准偏差小于2%,回收率为97.7%~105.4%,符合痕量分析要求. 相似文献
9.
采用方波伏安法,在包含1 mmol/L[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-的0.15 mol/L的NaCl溶液中,对Au/CaM膜的电化学行为进行了初步表征。由方波伏安电流响应图可知:CaM可以在Au基底自组装成膜,[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-在Au/CaM膜电极上发生的是电化学不可逆反应过程。 相似文献
10.
在金属铜表面上制备了L-半胱氨酸自组装膜,采用循环伏安法、电化学交流阻抗以及极化曲线研究了各种浓度的L-半胱氨酸溶液制备的自组装膜对铜的缓蚀性能,研究发现,1×10-3 mol/L的L-半胱氨酸溶液的自组装膜在0.5 mol/L的NaCl溶液中有较好的缓蚀效果,缓蚀效率84.9%. 相似文献
11.
将实验后的金/正18硫醇-卵磷脂(Au supported octadecanethiol-phosphatidylcholine,Au/ODT-PC)双层膜用无水乙醇冲洗并浸泡数小时后以除去卵磷脂(phosphatidylcholine,PC)层,电化学研究表明,这样重新得到的金/硫醇(Au supported octadecanethiol,Au/ODT)单层膜与用自组装法新制备的Au/ODT单层膜具有相同的循环伏安和交流阻抗性质,而且仍保持着其原来的完整性,在制备双层膜的过程中可以有限次重复使用。 相似文献
12.
利用自组装膜技术,将离子液体和半胱氨酸修饰到金电极上,制备离子液体/半胱氨酸自组装膜修饰电极,以循环伏安法和交流阻抗法研究其电化学性质,并用于抗坏血酸(AA)的电催化氧化。结果显示:当AA的浓度在1×10-6~8×10-4mol/L范围内时,与所测得的氧化峰电流呈良好的线性关系,检出限为8.6×10-7mol/L。催化效果明显,可实现对AA的电化学检测。 相似文献
13.
利用电化学方法在石墨烯表面上沉积金-钯纳米粒子,制备了金-钯纳米粒子/石墨烯修饰玻碳电极.扫描电子显微镜和X-射线能谱仪对修饰电极组装过程进行了表征.采用循环伏安法研究了对乙酰氨基酚在修饰电极上的电化学行为,在p H 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,对乙酰氨基酚在修饰电极上出现一对明显的氧化还原峰,其氧化还原峰电位分别为0.334V和0.299V.在最佳条件下,对乙酰氨基酚的氧化峰电流与其浓度在5.0×10-7-1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-7mol/L.利用该方法对药片中的对乙酰氨基酚含量进行检测,获得的结果令人满意. 相似文献
14.
二茂铁甲酸/L-半胱氨酸修饰金电极的制备及对抗坏血酸的电催化测定 总被引:4,自引:3,他引:1
实验制备了二茂铁甲酸/L-半胱氨酸自组装金电极,并用循环伏安法和电化学阻抗予以表征,研究了该电极在磷酸氢钾-磷酸氢二钾溶液(pH=7.0)中的电化学行为,考察了介质、酸度对修饰电极伏安行为的影响.实验表明,该电极对抗坏血酸(AA)的电化学氧化具有明显的催化作用.用示差脉冲伏安法对AA进行了测定,其氧化电流于AA的浓度在2.52×10-5-6.31×10-3mol L-1范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9931,检出限为1.30×10-6mol L-1. 相似文献
15.
利用层层组装技术,通过Cu2 的桥联作用,制备出铜铁氰自组装膜修饰电极(CuHCF/L-Cys/Au),并研究扫描速度、支持电解质、pH值对该修饰电极电化学性能的影响.结果表明,铜铁氰自组装膜修饰电极具有良好的稳定性和重现性,方法简单易行、干扰小,对对苯二酚具有较好的选择性,其催化电流与对苯二酚浓度在2.0×10-5~2.4×10-4mol·L-1范围呈良好的线性关系. 相似文献
16.
Au/席夫碱自组装单层膜的电化学行为 总被引:1,自引:0,他引:1
用交流阻抗技术对Au/席夫碱自组装单层膜的电化学行为进行研究的结果表明,酸性较强时,席夫碱单分子膜的膜电容随酸性的增强而增大;实验还表明,Au/席夫碱自组装单层膜可与Cu^2 发生作用,其速度随Cu^2 浓度的变化而不同,为深入研究膜的结构、席夫碱络合物的生物活性等打下了必要的基础。 相似文献
17.
采用交流阻抗的方法,在包含1 mmol/L Fe(CN)63-/4-的0.15 mol/L的NaCl溶液中,研究了Au/CaM膜在不同的酸碱环境下结合Ca2 的电化学行为.结果表明:在pH为6.5的环境下Au/CaM膜结合Ca2 的能力要比在pH为4.5环境下的强. 相似文献